Degradation von MOS-Feldeffekttransistoren auf Silicon-on-Insulator-Substraten durch heiße Ladungsträger:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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2000
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
.
V
SUMMARY
.
IX
1
EINLEITUNG
.
1
2
DER
VOLUMEN-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR
.
3
2.1
AUFBAU
UND
WIRKUNGSWEISE
DES
TRANSISTORS
.
3
3
DER
SOI-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR
.
9
3.1
SILICON-ON-INSULATOR-SUBSTRATE
.
9
3.1.1
DAS
SIMOX-VERFAHREN
.
10
3.1.2
WAFER-BONDING-VERFAHREN
(BESOI)
.
11
3.2
SOI-CMOS
PROZESSABLAUF.
.
14
3.2.1
VORBEREITUNG
DES
SUBSTRATS
.
14
3.2.2
MESA-ISOLATION
.
14
3.2.3
ELEVATED-SOURCE/DRAIN
KONZEPT
.
16
3.2.4
DUAL-WORKFUNCTION
TECHNOLOGIE
.
18
3.2.5
TRANSISTOR-LAYOUT
.
20
3.3
SPEZIFISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
SOI-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
21
3.3.1
PARASITAERE
EFFEKTE
.
21
3.3.2
VOLLSTAENDIGE
/
TEILWEISE
VERARMUNG
.
24
3.3.3
SELF-HEATING-EFFEKT
.
25
3.4
VOR
/
NACHTEILE
GEGENUEBER
VOLUMEN-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
26
4
GRUNDLAGEN
DER
DEGRADATION
VON VOLUMEN-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
29
4.1
N-KANAL
TRANSISTOREN
.
30
4.1.1
INJEKTION
VON
HEISSEN
LADUNGSTRAEGERN
.
30
4.1.2 DER
GATESTROM
.
31
4.1.3
DER
SUBSTRATSTROM
.
32
4.1.4
AUSWIRKUNGEN
DER
LADUNGSTRAEGERINJEKTION
IN
DAS
GATEOXID
.
32
4.1.5
ABHAENGIGKEIT
DES
DEGRADATIONSMECHANISMUS
VOM
ARBEITSPUNKT
.
35
4.1.6
ZEITABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
DURCH
BILDUNG
VON
GRENZFLAECHEN
ZUSTAENDEN
.
37
INHALTSVERZEICHNIS
4.2
P-KANAL
TRANSISTOREN
.
37
4.2.1
DEGRADATIONSMECHANISMUS
BEI
P-KANAL
TRANSISTOREN
.
37
4.2.2
ABHAENGIGKEIT
DES
DEGRADATIONSMECHANISMUS
VOM
ARBEITSPUNKT
.
38
4.2.3
ZEITABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
DURCH
EINFANG
VON
LADUNGSTRAEGERN
.
39
S
MODELLIERUNG
DER
DEGRADATION
VON
SOI-MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
41
5.1
DEGRADATION
DES
FRONTTRANSISTORS
.
41
5.1.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
.
41
5.1.2
ZEITLICHER
VERLAUF
DER
DEGRADATION
.
42
5.1.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
43
5.1.4
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
43
5.1.5
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
44
5.1.6
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
46
5.1.7
METHODEN
ZUR
EXTRAPOLATION
DER
LEBENSDAUER
AUF
BETRIEBSBEDINGUNGEN
.
47
5.2
DEGRADATION
DES
RUECKTRANSISTORS
.
49
5.2.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
.
49
5.2.2
ZEITLICHER
VERLAUF
DER
DEGRADATION
.
50
5.2.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
51
5.2.4
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
51
5.2.5
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
52
5.2.6
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
52
5.3
DEGRADATION
DES
GESAMTRANSISTORS
.
53
5.3.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
.
53
5.3.2
ZEITLICHER
VERLAUF
DER
DEGRADATION
.
54
5.3.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
54
5.3.4
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
55
5.3.5
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
55
5.3.6
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
55
5.3.7
METHODEN
ZUR
EXTRAPOLATION
DER
LEBENSDAUER
AUF
BETRIEBSBEDINGUNGEN.
55
6
CHARAKTERISIERUNG
UND
MESSTECHNIK.
57
6.1
STANDARDVERFAHREN
.
57
6.1.1
MESSUNG
VON
TRANSISTORPARAMETEM
WAEHREND
DER
BELASTUNG
.
57
6.1.2
LADUNGSPUMPEN
.
60
6.1.3
THERMISCHES
AUSHEILEN
DER
SCHAEDIGUNGEN
.
63
6.2
NEUES
MESSVERFAHREN
:
DAS
LADUNGSKOPPLUNGS-VERFAHREN
.
64
7
EXPERIMENTELLE
UEBERPRUEFUNG
DER
MODELLE
.
67
7.1
DEGRADATION
DES
FRONTTRANSISTORS
.
67
7.1.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
UND
ZEITLICHER
VERLAUF
.
67
7.1.2
PHYSIKALISCHE
NATUR
DER
SCHAEDIGUNGSPROZESSE
.
69
INHALTSVERZEICHNIS
7.1.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
70
7.1.4
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
72
7.1.5
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
73
7.1.6
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
75
7.1.7
METHODEN
ZUR
EXTRAPOLATION
DER
LEBENSDAUER
AUF
BETRIEBSBEDINGUNGEN
.
76
7.2
DEGRADATION
DES
RUECKTRANSISTORS
.
79
7.2.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
UND
ZEITLICHER
VERLAUF
.
79
7.2.2
PHYSIKALISCHE
NATUR
DER
SCHAEDIGUNGSPROZESSE
.
83
7.2.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
84
7.2.4
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
85
7.2.5
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
87
7.2.6
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
90
7.3
DEGRADATION
DES
GESAMTTRANSISTORS
.
91
7.3.1
DEGRADATIONSMECHNISMUS
UND
ZEITLICHER
VERLAUF
.
91
7.3.2
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATESPANNUNG
.
94
7.3.3
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
DRAINSPANNUNG
.
95
7.3.4
EINFLUSS
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
AUF
DIE
DEGRADATION
.
96
7.3.5
ABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
DER
GATELAENGE
.
98
7.3.6
METHODEN
ZUR
EXTRAPOLATION
DER
LEBENSDAUER
AUF
BETRIEBSBEDINGUNGEN
.
99
8
TECHNOLOGISCHE
MASSNAHMEN
ZUR
VERRINGERUNG
DER
DEGRADATION
.
101
8.1
GRADUIERTE
PN-UEBERGAENGE
.
101
8.1.1
DDD-STRUKTUR
.
101
8.1.2
LDD-STRUKTUR
.
102
8.1.3
LATID-STRUKTUR
.
102
8.2
UNTERDRUECKUNG
DES
PARASITAEREN
BIPOLARTRANSISTORS
.
102
8.2.1
OPTIMALES
TRANSISTORDESIGN
.
103
8.2.2
WAHL
DES
GRUNDMATERIALS
.
103
8.2.3
WEITERE
MASSNAHMEN
.
104
8.3
INNOVATION
:
IMPLANTATION
VON
STICKSTOFF
.
104
9
AUSBLICK
.
107
SYMBOLVERZEICHNIS
.
109
LITERATURVERZEICHNIS
.
113
PUBLIKATIONSLISTE
.
121
DANKSAGUNG
.
123 |
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