Theoretische Untersuchung von Monovakanzen in SiC-Polytypen:
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INHALT SV0RZ6ICHMS
EINLEITUNG 1
1 GRUNDLAGEN 6
1.1 DICHTEFUNKTIONALTHEORIE. 6
1.1.1 HOHENBERG-KOHN-THEOREM. 7
1.1.2 KOHN-SHAM-THEOREM.-. 8
1.1.3 LOKALE-DICHTE- UND LOKALE-SPINDICHTE-APPROXIMATION. 10
1.1.4 EBENE WELLEN. 11
1.2 PSEUDOPOTENTIALE. 12
1.2.1 DAS PSEUDOPOTENTIALKONZEPT. 13
1.2.2 NORMERHALTENDE PSEUDOPOTENTIALE. 16
1.2.3 BERUECKSICHTIGEN MEHRERER REFERENZENERGIEN. 18
1.2.4 VANDERBILT'SCHE NICHT-NORMERHALTENDE PSEUDOPOTENTIALE.20
1.2.5 RESULTIERENDE FUNKTIONALE UND KOHN-SHAM GLEICHUNGEN . 22
1.2.6 EXTREM WEICHE PSEUDOPOTENTIALE. 23
2 METHODISCHES 24
2.1 SUPERZELLENMETHODE. 24
2.1.1 KUBISCHES SILIZIUMKARBID. 25
2.1.2 HEXAGONALES SILIZIUMKARBID . 26
2.2 BRILLOUINZONEN-INTEGRATION. 27
2.3 BILDUNGSENERGIE EINER VAKANZ . 29
2.4 UMLADUNGSNIVEAUS UND DAS HUBBARD-F/.32
2.5 DEFEKTMOLEKUEL- UND TIGHT-BINDING-MODELL.33
3 NEUTRALE VAKANZEN IN SI, C UND 3C-SIC 38
3.1 NUMERISCHE DETAILS.39
3.2 ATOMARE RELAXATIONEN UND VERZERRUNGEN.40
3.3 EINFLUSSDER SUPERZELLE UND DER K-PUNKTE.42
3.4 ERGEBNISSE. 50
4 GELADENE VAKANZEN IN 3C- UND 4H-SIC 58
4.1 3C-SIC. 59
4.1.1 ATOMARE STRUKTUR. 59
4.1.2 ENERGETISCHES VERHALTEN .61
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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4.1.3 ELEKTRONISCHE STRUKTUR. 63
4.1.4 HOCHSPINZUSTAENDE. 67
4.2 4H-SIC. 68
4.2.1 ATOMARE STRUKTUR. 69
4.2.2 HOCHSPINZUSTAENDE. 71
4.2.3 ENERGETISCHES VERHALTEN .' 72
4.2.4 ELEKTRONISCHE STRUKTUR. 73
5 ANGEREGTE ZUSTAENDE UND VIELTEILCHENEFFEKTE 75
5.1 ANGEREGTE ZUSTAENDE UND UEBERGANGSENERGIEN. 75
5.2 MAGNETISCHER JAHN-TELLER-EFFEKT. 80
ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 91
LITERATUR 97 |
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