II-VI-Quantendrähte und Quantenpunkte: hochauflösende Lithographie und optische Charakterisierung
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Osnabrück
<<Der>> Andere Verl.
2000
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2000 |
| Beschreibung: | 145 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
9
1
EINLEITUNG
15
2
WERKZEUGE
ZUR
STRUKTURIERUNG
UND
CHARAKTERISIERUNG
21
2.1
EPITAXIE
.
22
2.2
LATERALE
STRUKTURIERUNG
.
24
2.2.1
ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
.
24
2.2.2
AETZVERFAHREN
.
25
2.2.3
IMPLANTATIONSINDUZIERTE
DURCHMISCHUNG
.
29
2.3
OPTISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
32
3
VERSPANNUNG
UND
LATERALE
QUANTISIERUNG
IN
CDZNSE/ZNSE-DRSHTEN
35
3.1
EINFUEHRUNG
.
35
3.2
VERSPANNUNGSFELDER
IN
DRAEHTEN
.
38
3.2.1
PSEUDOMORPHE
SCHICHTEN
.
;
.
38
3.2.2
BERECHNUNG
DES
VERSPANNUNGSTENSORS
.
40
3.2.3
INHOMOGENE
VERSPANNUNG
IN
TEILRELAXIERTEN
DRAEHTEN
.
43
3.3
BANDLUECKE
IN
VERSPANNTEN
SYSTEMEN
.
45
3.3.1
BERECHNUNG
DER
BANDSTRUKTUR
.
46
3.3.2
BANDSTRUKTUR
IN
TEILRELAXIERTEN
DRAEHTEN
.
47
3.4
VERSPANNUNGSEFFEKTE
IM
EXPERIMENT
.
50
3.5
VERGLEICH
EXPERIMENT
-
MODELL
.
52
4
SPEKTROSKOPIE
AN
SELBSTORGANISIERTEN
QUANTENPUNKTEN
57
4.1
EINFUEHRUNG
.
57
4.1.1
EPITAKTISCH
GEWACHSENE
QUANTENPUNKTE
.
57
4.1.2
ORTSAUFGELOESTE
SONDEN
.
60
4.2
CDSE/ZNSE-STRUKTUREN
.
62
4.2.1
MEE
VON
CDSE/ZNSE-PUNKTEN
.
63
4.2.2
MESSUNGEN
MIT
NIEDRIGER
ORTSAUFLOESUNG
.
66
4.2.3
EINZELNE
EXZITONEN
.
69
4.2.4
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
HOMOGENEN
LINIENBREITE
.
72
4.3
EXZITONISCHE
FEINSTRUKTUR
IN
QUANTENPUNKTEN
.
74
4.3.1
EXZITONEN
IN
QUANTENPUNKTEN
.
74
4.3.2
AUSTAUSCHWECHSELWIRKUNG
UND
FEINSTRUKTUR
.
76
4.3.3
EXPERIMENTELLE
ANALYSE
DER
FEINSTRUKTUR
.
79
4.4
CDS/ZNS-STRUKTUREN
.
82
5
IN-SITU-STRUKTURIERUNG
I:
UHV-AETZPROZESSE
85
5.1
UHV-TECHNIKEN
ZUR
HERSTELLUNG
VON
QUANTENSTRUKTUREN
.
86
5.1.1
MOTIVATION
.
86
5.1.2
VORAUSSETZUNGEN
FUER
UEBERWACHSPROZESSE
.
87
5.2
UHV-AETZANLAGE
.
90
5.2.1
AUFBAU
UND
FUNKTION
.
90
5.2.2
AETZEN
MIT
KORROSIVEN
GASEN
.
93
5.2.3
PROBENHALTER
.
94
5.2.4
PROZESSSCHRITTE
BEIM
AETZEN
.
96
5.3
THERMISCH
UNTERSTUETZTES
UHV-ECR-AETZEN
.
98
5.4
MORPHOLOGIE
UND
AETZPROFILE
.
101
5.4.1
TEMPERATUR
UND
OBERFLAECHE
.
102
5.4.2
MIKROWELLENLEISTUNG
UND
AETZPROFIL
.
103
5.5
PHOTOLUMINESZENZEIGENSCHAFTEN
TA-ECR-GEAETZTER
STRUKTUREN
.
106
5.5.1
QUANTENAUSBEUTEN
.
106
5.5.2
TROCKENGEAETZTE
QUANTENDRAEHTE
.
109
5.6
EINFLUSS
DER
ATMOSPHAERE
AUF
DIE
QUANTENAUSBEUTE
.
111
5.7
UEBERWACHSENE
STRUKTUREN
.
113
6
IN-SITU-STRUKTURIERUNG
II:
HERSTELLUNG
VERGRABENER
EINZELPUNKTE
DURCH
IONENIMPLANTATION
117
6.1
DURCHMISCHTE
CDTE/CDMNTE-STRUKTUREN
.
118
6.2
EINZELPUNKTMESSUNGEN
.
122
6.3
POTENTIALE
UND
ENERGIENIVEAUS
IN
EINZELQUANTENPUNKTEN
.
126
ANHANG
131
PHYSIKALISCHE
GROESSEN
.
131
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
.
131
LITERATURVERZEICHNIS
133
VEROEFFENTLICHUNGEN
143 |
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