Untersuchung und Anwendung des epitaktischen Wachstums von (AlGa)As und (GaIn)P auf strukturierten Substraten:
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Aachen
Shaker
2000
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| Beschreibung: | Zugl.: Marburg, Univ., Diss., 2000 |
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II
INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
UND
MOTIVATION
1
2
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
3
2.1
EINFUEHRUNG
3
2.2
III-V-VERBINDUNGSHALBLEITER
3
2.3
OBERFLAECHENREKONSTRUKTION
VON
GAAS
6
2.4
EPITAXIEVERFAHREN
ZUR
HERSTELLUNG
VON
IH-V-HALBLEITERSTRUKTUREN
8
3
EXPERIMENTELLES
12
3.1
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
(MOVPE)
12
3.2
UNTERSUCHUNGSMETHODEN
14
3.3
PROBENHERSTELLUNG
18
4
UEBERWACHSEN
VON
GRAEBEN
MIT
(ALGA)AS
21
4.1
EINFUEHRUNG
21
4.2
VORUNTERSUCHUNG:
(ALGA)AS
AUF
(100)-,
(31
1)A
UND
(31
1)B-SUBSTRATEN
24
4.3
(ALGA)AS-WACHSTUM
IN
EINER
GRABENSTRUKTUR
UNTER
BENUTZUNG
VON
ASH
3
26
4.3.1
ENTWICKLUNG
DER
WACHSTUMSFRONT
26
4.3.2
EINFLUSS
DER
EPITAXIEPARAMETER
AUF
DIE
WACHSTUMSRATEN
27
4.3.3
(ALGA)AS-ZUSAMMENSETZUNG
AUF
DEN
GRABENSEITENFLAECHEN
30
4.3.4
ERGEBNISUEBERSICHT
_
36
4.4
BINAERES
UND
TERNAERES
WACHSTUM
IN
GRABENSTRUKTUREN
37
4.4.1
EINLEITUNG
37
4.4.2
BINAERE
UND
TERNAERE
WACHSTUMSRATEN
IN
GRAEBEN
IN
[011]39
4.4.3
(ALGAJAS-ZUSAMMENSETZUNG
AUF
DEN
SEITENFLAECHEN
_41
4.4.4
ERGEBNISUEBERSICHT
44
4.5
WACHSTUM
VON
(ALGA)AS
IN
EINER
GRABENSTRUKTUR
UNTER
BENUTZUNG
VON
TBAS
44
4.6
KORRELATION
ZUM
UEBERWACHSEN
ANDERER
GEOMETRIEN
47
4.7
DISKUSSION
DER
PHYSIKALISCHEN
EFFEKTE
_
51
III
5
UEBERWACHSEN
VON
GRAEBEN
MIT
(GALN)P
55
5.1
WACHSTUM
VON
(GALN)P
IN
EINER
GRABENSTRUKTUR
UNTER
BENUTZUNG
VON
PH
3
55
5.1.1
ENTWICKLUNG
DER
WACHSTUMSFRONT
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
TEMPERATUR
_
56
5.1.2
ZUSAMMENSETZUNG
AUF
DEN
GRABENSEITENFLAECHEN
58
5.2
WACHSTUM
VON
(GALN)P
IN
EINER
GRABENSTRUKTUR
UNTER
BENUTZUNG
VON
TBP
62
5.3
VERGLEICH
DER
ERGEBNISSE
ZUM
(GALN)P
UND
(ALGA)AS-WACHSTUM
IN
GRAEBEN
66
6
UEBERWACHSEN
MIT
(ALGA)AS
FUER
BAUELEMENTEANWENDUNGEN
67
6.1
TRANSFER
DER
GRUNDLAGEN
AUF
DAS
BAUELEMENT
67
6.2
UEBERWACHSEN
VON
GRAEBEN
FUER
RISAS-LASER
70
6.3
UEBERWACHSEN
VON
GITTERN
FUER
DBR
LASER
_
73
6.3.1
GITTER
1.
ORDNUNG
IN
(GALN)P
75
6.3.2
GITTER
2.
ORDNUNG
IN
GAAS
79
6.3.3
GITTER
1.
ORDNUNG
IN
GAAS
81
6.4
UEBERWACHSEN
VON
GITTERN
FUER
A-DFB-LASER
84
7
ZUSAMMENFASSUNG
87
LITERATURVERZEICHNIS
89
DANKSAGUNG
93
LEBENSLAUF
_
95 |
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| topic_facet | Kristallwachstum Nanostruktur Indiumphosphid Galliumphosphid Galliumarsenid Mischkristall MOCVD-Verfahren Aluminiumarsenid Hochschulschrift |
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