Untersuchung des Reflexionsverhaltens direkter und indirekter Halbleiter:
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1999
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
3
2
DIE
THEORIE
DER
REFLEXION
5
2.1
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
UND
BRECHUNGSINDEX
5
2.2
REFLEXION
UND
BRECHUNG
BEI
SCHWACHER
WECHSELWIRKUNG
7
2.3
DAS
EIN-OSZILLATOR-MODELL
11
2.4
DAS
KONZEPT
DER
POLARITON-WECHSELWIRKUNG
14
2.4.1
DIE
DISPERSIONSRELATION
FUER
POLARITONEN
15
2.4.2
RAEUMLICHE
DISPERSION
16
2.5
REFLEXION
MIT
RAEUMLICHER
DISPERSION,
ABC
19
2.6
MEHR-OSZILLATOR-MODELL
UND
EXZITONENFREIE
RANDSCHICHT
21
3
REFLEXIONSMESSUNGEN
AN
GAN
23
3.1
VERSUCHSAUFBAU
24
3.2
DAS
MATERIALSYSTEM
GAN
28
3.3
PHOTOLUMINESZENZ
ALS
ERGAENZENDE
MESSMETHODE
29
3.4
REFLEXIONSMESSUNGEN
AN
GAN
30
3.4.1
GAN
AUF
SAPHIR-SUBSTRAT
31
3.4.2
GAN
AUF
GAN-SUBSTRAT,
STRUKTUR
DER
EXZITONISCHEN
BANDKANTE
32
3.4.3
SUBSTRATBEDINGTE
VERSPANNUNG
38
3.5
REFLEXIONSMESSUNGEN
UNTER
EXTERNEM
DRUCK
40
3.5.1
DIE
THEORIE
DER
DRUCKVERSCHIEBUNG
40
3.5.2
MESSERGEBNISSE
44
4
DIE
THEORIE
DER
ELEKTROREFLEXION
46
4.1
REFLEXION
UND
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
46
4.2
DIE
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
IM
EIN-ELEKTRON-MODELL
47
4.3
VAN-HOVE-SINGULARITAETEN,
EINTEILUNG
DER
KRITISCHEN
PUNKTE
49
4.4
DER
FRANZ-KELDYSH-EFFEKT,
PHAENOMENOLOGISCHE
BESCHREIBUNG
DER
LINIENFORM
51
4.5
DIE
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
MIT
AEUSSEREM
FELD
53
4.6
DIE
LINIENFORM
DES
ELEKTROREFLEXIONSSPEKTRUMS
57
4.7
LEBENSDAUERVERBREITERUNG
UND
NIEDRIGFELD-FALL
59
5
ELEKTROREFLEXIONSMESSUNGEN
AM
MATERIALSYSTEM
SIGE
62
5.1
VERSUCHSAUFBAU
UND
PROBENKONTAKTIERUNG
62
5.2
DAS
MATERIALSYSTEM
SI|.,GE
X
66
5.3
DIE
ER-SPEKTREN
VON
SILIZIUM
UND
GERMANIUM
69
5.4
PHOTOLUMINESZENZMESSUNGEN
AN
SI,.
X
GE
X
-PROBEN
71
5.5
ER-MESSUNGEN
AN
SI|.
X
GE
X
-VOLUMENKRISTALLEN
73
5.5.1
UEBERSICHT
DER
ER-SPEKTREN
74
5.5.2
DER
E
0
-UEBERGANG
77
5.5.2.1
AUSWERTUNG
VON
FRANZ-KELDYSH-OSZILLATIONEN
78
5.5.2.2
FELDABHAENGIGKEIT
DER
AMPLITUDEN
88
5.5.3
DIE
E,-STRUKTUR
BEI
GE-REICHEN
PROBEN
81
5.5.4
DIE
E,/E
0
'-STRUKTUR
IN
GE-ARMEN
PROBEN
82
5.5.5
DIE
E,-STRUKTUR
84
5.5.6
ZUSAMMENFASSUNG
DER
ERGEBNISSE
FUER
SI,.
X
GE
X
-VOLUMENPROBEN
84
5.6
ER-MESSUNGEN
AN
PSEUDOMORPHEN
SI|.
X
GE
X
-SCHICHTEN
86
5.6.1
SPANNUNGSINDUZIERTE
VERSCHIEBUNG
OPTISCHER
UEBERGAENGE
87
5.6.1.1
SPANNUNGSINDUZIERTE
VERSCHIEBUNG
DES
E
0
-UEBEFGANGES
89
5.6.1.2
SPANNUNGSINDUZIERTE
VERSCHIEBUNG
DES
E
0
'-UEBERGANGES
92
5.6.1.3
SPANNUNGSINDUZIERTE
VERSCHIEBUNG
DES
E,-UEBERGANGES
93
5.6.2
UEBERSICHT
DER
ER-SPEKTREN
95
5.6.2.1
DIE
NIEDERENERGETISCHEN
UEBERGAENGE
BEI
PROBEN
KLEINEN
GE
GEHALTES
95
5.6.2.2
DIE
NIEDERENERGETISCHEN
UEBERGAENGE
BEI
PROBEN
HOHEN
GEGEHALTES
97
5.6.2.3
DIE
HOCHENERGETISCHEN
UEBERGAENGE
99
5.6.3
DIE
THEORIE
DER
DRUCKVERSCHIEBUNG
UND
MESSERGEBNISSE
99
5.6.3.1
DER
E
0
-UEBERGANG
100
5.6.3.2
DER
E,-UEBERGANG
101
5.6.3.3
DER
E
0
'-UEBERGANG
101
5.6.3.4
DIE
UEBERGAENGE
E
2
(X),
E,(S)
UND
E,'
102
5.7
ER-MESSUNGEN
UNTER
EXTERNEM,
UNIAXIALEM
DRUCK
103
6
ZUSAMMENFASSUNG
106
ANHANG
A
-
AUFBAU
DER
PROBEN
108
ANHANG
B
-
DAS
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110
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