Verfügbarkeit: Lösungszüchtung von Siliziumkarbid

Lösungszüchtung von Siliziumkarbid:

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Müller, Matthias 1968- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2000
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Siliciumcarbid Kristallzüchtung Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 1999
Beschreibung:	148 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3826571371

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adam_text	BERICHTE AUS DER HALBLEITERTECHNIK MATTHIAS MUELLER LOESUNGSZUECHTUNG VON SILIZIUMKARBID D 29 (DISS. UNIVERSITAET ERLANGEN-NUERNBERG) SHAKER VERLAG AACHEN 2000 INHALTSVERZEICHNIS ZUSAMMENFASSUNG...................................................................................... 3 1 EINLEITUNG.................. . ........................................7 2 GRUNDLAGEN ZUR LOESUNGSZUECHTUNG VON SIC.................................... 10 2.1 DAS STOFFSYSTEM SILIZIUM-KOHLENSTOFF.......... .... . 10 2.1.1 DAS SI-C PHASENDIAGRAMM 10 2.1.2 PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN VON SIC 12 2.2 PRINZIP UND VERFAHREN ZUR LOESUNGSZUECHTUNG VON SIC............. 13 2.3 BETRACHTUNGEN ZU WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT UND WACHSTUMSSTABILITAET ....... ..... ............................................................19 2.3.1 WACHSTUMSMECHANISMEN 19 2.3.2 STOFFTRANSPORT 23 2.3.3 KRITERIUM DER KONSTITUTIONELLEN UNTERKUEHLUNG 29 2.3.4 ERWEITERTE STABILITAETSBETRACHTUNG ZUR LOESUNGSZUECHTUNG 31 2.3.5 ABSCHAETZUNG DER WACHSTUMSSTABILITAET BEI DER SIC- LOESUNGSZUECHTUNG 35 3 MODELLEXPERIMENTE ZUR ZUECHTUNG VON SIC AUS DER SILIZIUM- LOESUNG........................................................................................................ 39 3.1 APPARATIVER AUFBAU............ ..............................................39 3.2 UNTERSUCHUNGEN ZU TIEGELMATERIALIEN ........................................40 3.2.1 EXPERIMENTELLES VORGEHEN 41 3.2.2 ERGEBNISSE UND DISKUSSION 42 3.3 ZUECHTUNG VON EPITAKTISCHEN SIC-SCHICHTEN IM GRAPHITTIEGEL ..47 3.3.1 EXPERIMENTELLE DURCHFUEHRUNG 47 3.3.2 ERGEBNISSE 48 3.3.3 BEWERTUNG 60 4 ENTWICKLUNG EINER ANLAGE ZUR LOESUNGSZUECHTUNG VON SIC- VOLUMENKRISTALLEN......... ....................................................................62 4.1 FESTLEGUNG DES PARAMETERRAUMES, 62 4.2 KONZEPTIONIERUNG DER ANLAGE ......................................................70 4.2.1 OFENAUFBAU 70 4.2.2 TRANSLATIONS- UND ROTATIONSEINHEITEN 78 4.3 EIGENSCHAFTSPROFIL DER ANLAGE......................................................79 4.3.1 THERMISCHE EIGENSCHAFTEN 81 4.3.2 ABDAMPFPROBLEMATIK 90 4.3.3 ANTRIEB 90 4.4 BEWERTUNG......................................................................................91 5 VERSUCHE ZUR ZUECHTUNG VON SIC-VOLUMENKRISTALLEN AUS DER SI- LOESUNG................................... ................................................94 5.1 ZUECHTUNGSPROZESS. .................. .............94 5.2 EINSTELLUNG DER PROZESSRANDBEDINGUNGEN ...................................96 5.3 ZUECHTUNGSVERSUCHE UNTER VARIATION VON TEMPERATUR UND UEBERSAETTIGUNG ..................................................................... ..............100 5.3.1 KRISTALLQUALITAET UND WACHSTUMSGESCHWINDIGKEIT 101 5.3.2 VERHALTEN VON MIKROROEHREN 104 5.3.3 POLYTYPENSTABILITAET 113 5.4 ZUECHTUNGSVERSUCHE UNTER VARIATION DER TIEGELROTATION.......... 115 5.5 DISKUSSION DER EXPERIMENTE ZUR LOESUNGSZUECHTUNG VON SIC .. 117 5.5.1 VERGLEICH THEORIE/EXPERIMENT 117 5.5.2 ANSAETZE ZUR VERBESSERUNG DER WACHSTUMSSTABILITAET 123 ANHANG A - STOFFDATEN 125 ANHANG - HERLEITUNG DES STABILITAETSKRITERIUMS NACH CARLSON ........126 ANHANG * - VERWENDETE FORMELZEICHEN............................................... 128 ANHANG D - MODELLGEOMETRIE ZUR NUMERISCHEN SIMULATION DER STROEMUNGSBEDINGUNGEN ..........................................................................130 LITERATUR 131
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