Niedertemperatur-Deposition von Siliziumdioxid mittels Remote-PECVD:
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| Format: | Book |
| Language: | German |
| Published: |
Aachen
Shaker
1999
|
| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Item Description: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999 |
| Physical Description: | 125 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
.3
2
GRUNDLAGEN
ZUM
SILIZIUMDIOXID
.
5
2.1
SIC 2
UND
SEINE
EIGENSCHAFTEN
.
5
2.2
VERGLEICH
DER
HERSTELLUNGSVERFAHREN
FUER
SIOZ
.
6
2.3
ELEKTRISCH
AKTIVE
DEFEKTE
IM
MOS-SYSTEM
.
9
2.4
PHYSIK
ULTRA
DUENNER
OXIDSCHICHTEN:
TUNNELOXIDE
.
16
2.5
DURCHBRUCHM
'
ODELLE
.
20
3 HERSTELLUNG
UND
CHARAKTERISIERUNG
VON
MOS-KAPAZITAETEN
.
23
3.1
MOS-KAPAZITAETEN
UND
IHRE
HERSTELLUNG
.
23
3.1.1
REINIGUNG
.
23
3.1.2
DEPOSITION
/
OXIDATION
.
24
3.L3
KONTAKTIERUNG
.
24
3.1.4
STRUKTURIERUNG
.
24
3.1.5
TEMPERUNG
.
24
3.2
ELEKTRISCHE
MESSVERFAHREN
UND
IHRE
INTERPRETATION
.
25
3.2.1
CV-MESSUNGEN
.
25
3.2.2
IV-MESSUNGEN
.
28
3.2.3
INJEKTIONSMESSUNGEN
UND
LEBENSDAUERABSCHAETZUNGEN
.
29
3.3
NICHT-ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.
32
4
ANLAGENBESCHREIBUNG
.
37
4.1
RPECVD-KAMMER
.
37
4.2
RTP-KAMMER
.
39
4.3
MODULKONZEPT
.
41
5
REMOTE-PECVD
VERFAHREN
.
43
5.1
CHEMIE
DES
REMOTE-PECVD
PROZESSES
.
43
5.1.1
PLASMAREINIGUNG
UND
NIEDERTEMPERATUR-OXIDATION
.
43
5.1.2
NIEDERTEMPERATUR-OXIDDEPOSITION
.
44
2
INHALTSVERZEICHNIS
5.2
PARAMCTERRAUM,
EINFLUSSFAKTOREN
UND
OPTIMIERUNGSANSAETZE
.
45
5.2.1
SCHICHTDICKENUNIFORMITAET
.
47
5.2.2
DEPOSITIONSRATE
.
48
5.2.3
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
50
6
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
.
59
6.1
ERGEBNISSE
DER
REMOTE-PECVD
PROZESSOPTIMIERUNG
.
59
6.1.1
NICHT-ELEKTRISCHE
OXIDCHARAKTERISIERUNG
.
59
6.1.2
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
UND
HOMOGENITAET
AUF
150
MM-WAFERN
.
61
6.1.3
PASSIVIERUNG
VERTIKALER
OBERFLAECHEN
.
68
6.2
UNTERSUCHUNG
ULTRA
DUENNER
OXIDSCHICHTEN
.
70
6.3
OPTIMIERUNG
DER
ELEKTRISCHEN
STRESSSTABILITAET
/
LEBENSDAUER
.
75
6.3.1
EINFLUSS
DER
RTP-TEMPERATUR
.
76
6.3.2
EINFLUSS
DER
RTP-DAUER
.
81
6.3.3
2-STUFEN
RTP
UND
LEBENSDAUERABSCHAETZUNG
.
84
7
ANWENDUNG
.
91
7.1
SIGE-IN
PLANE
GATE
FET
.
.^,.91
8
ZUSAMMENFASSUNG
.
97
9
AUSBLICK
.99
ANHANG
A:
LITERATURVERZEICHNIS
.
103
ANHANG
B:
VEROEFFENTLICHUNGEN
.
.115
ANHANG
C:
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
.
116
ANHANG
D:
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
.119
ANHANG
E:
CHEMISCHE
BEZEICHNUNGEN
.
121
ANHANG
F:
FORMELZEICHEN
.
122 |
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