Holdings: Nichtquasistatisches MOS-Transistormodell

Nichtquasistatisches MOS-Transistormodell:

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Bibliographic Details
Main Author:	Matthes, Carsten (Author)
Format:	Thesis Book
Language:	German
Published:	Düsseldorf VDI-Verl. 1999
Edition:	Als Ms. gedr.
Series:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 290
Subjects:	Mathematisches Modell Metal oxide semiconductors > Mathematical models Finite-Differenzen-Methode CAD Selbstadjungierte elliptische Differentialgleichung Transistor Entwurfsautomation MOS Partielle Differentialgleichung MOS-FET Hochschulschrift
Online Access:	Inhaltsverzeichnis
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ISBN:	318329009X

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adam_text	FORTSCHRITT-BERICHTE VDI REIHE 9 ELEKTRONIK DIPL.-ING. CARSTEN MATTHES, MUENCHEN 290 [ NICHTQUASISTATISCHES MOS-TRANSISTORMODELL INHALTSVERZEICHNIS INHALTSVERZEICHNIS LISTE DER VERWENDETEN FORMELZEICHEN VIII PHYSIKALISCHE KONSTANTEN VIII PHYSIKALISCHE GROESSEN VIII 1 EINLEITUNG 1 2 GRUNDLAGEN 4 2.1 WIRKUNGSWEISE DES MOS-TRANSISTORS 5 2.1.1 STATISCHES VERHALTEN 7 2.1.2 DYNAMISCHES VERHALTEN 8 2.1.2.1 QUASISTATISCHE NAEHERUNG 9 2.1.2.2 NICHTQUASISTATISCHER FALL 11 2.1.2.3 GRENZEN DER QUASISTATISCHEN NAEHERUNG 12 2.2 HERLEITUNG DER GRUNDGLEICHUNGEN 17 2.2.1 MAXWELL-GLEICHUNGEN 18 2.2.2 DIVERGENZSATZ VON GAUSS 18 2.2.3 POISSON-GLEICHUNG 19 2.2.4 KONTINUITAETSGLEICHUNGEN 20 2.2.5 BAENDERMODELL, ELEKTRONENENERGIE, FERMI-VERTEILUNG UND PO- TENTIALE 22 2.2.6 TRANSPORTGLEICHUNGEN 26 VI INHALTSVERZEICHNIS 2.2.7 LADUNGSTRAEGERDICHTEN 36 2.2.8 GENERATION UND REKOMBINATION 40 2.2.8.1 DIREKTE BANDUEBERGAENGE 41 2.2.8.2 INDIREKTE BANDUEBERGAENGE 43 2.2.8.3 GESAMTE NETTO-REKOMBINATION 47 2.2.8.4 SPEZIALFAELLE 48 2.2.9 BEWEGLICHKEIT 49 2.2.10 TEMPERATUR VERHALTEN 54 3 NEUES NICHTQUASISTATISCHES LANGKANAL-MODELL 56 3.1 2-TERMINAL- UND 3-TERMINAL-MOS-STRUKTUR 59 3.2 CHARGE-SHEET NAEHERUNG 69 3.3 NEUARTIGE OBERFLAECHENPOTENTIALBERECHNUNG 72 3.3.1 ^-BERECHNUNG BEI KENNTNIS DER KANALSPANNUNG UCB * * * 72 3.3.2 (^-BERECHNUNG BEI KENNTNIS DER KANALLADUNG Q J 79 3.4 KANALSTROM IN DER CHARGE-SHEET-FORMULIERUNG (4-TERMINAL- MOSFET) 81 3.5 SCHEMA ZUR BERECHNUNG VON Q J, F S UND I X 85 3.5.1 RANDWERTE 85 3.5.2 ANFANGSWERTE 91 3.5.3 PARTIELLE DIFFERENTIALGLEICHUNG 94 3.6 TERMINALSTROEME 97 4 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG 108 4.1 BEWEGLICHKEITSMODELL 109 4.2 KANALLAENGENMODULATION 113 4.3 SUBSTRATSTROM AUFGRUND VON STOSSIONISATION 119 4.4 REKOMBINATION UND CHARGE-PUMPING 121 4.5 AUSBLICK UND MOEGLICHE ERWEITERUNGEN 133 5 AEUSSERER TRANSISTOR 135 INHALTSVERZEICHNIS VII 6 MODELLVERIFIKATION UND ERGEBNISSE 142 6.1 MESSAUFBAU 143 6.2 VERGLEICH DES NQS-MODELLS MIT MESSUNGEN UND DEVICE-SIMULATIONEN 150 6.2.1 DC-MODELL 150 6.2.2 TRANSIENTES MODELL 155 6.2.2.1 STEIGENDE GATERAMPE 0 /* 5 V, SAETTIGUNGSBEREICH: U DS = 5V 156 6.2.2.2 STEIGENDE GATERAMPE 0 / 5 V, WIDERSTANDSBE- REICH: U D S = 2V 165 6.2.2.3 FALLENDE GATERAMPE 5 0 V 173 6.2.3 RECHENZEITEN 181 6.3 ANWENDUNGEN 184 6.3.1 TRANSITZEIT R 184 6.3.2 CHARGE-PUMP-SCHALTUNG 186 7 NUMERIK 188 7.1 DIFFERENZENVERFAHREN ZUR LOESUNG DER PARTIELLEN DIFFERENTIALGLEICHUNG 188 7.2 ZEITSCHRITTSTEUERUNG 193 8 ZUSAMMENFASSUNG 197 A ABLAUFPLAN DES NQS-MODELLS (FORTRAN-TEIL) 199 LITERATURVERZEICHNIS 202
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