Ätz- und Wachstumssimulation von Halbleitereinkristallen:
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V
INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
NASSCHEMISCHES
AETZEN
4
2.1
REAKTIONS-UND
DIFFUSIONSBEGRENZUNG
4
2.2
ANISOTROPES
AETZEN
6
2.3
REZIPROZITAET
ZWISCHEN
AUFLOESUNG
UND
WACHSTUM
VON
KRISTALLEN
10
3.
AETZSIMULATIONSMODELLE
13
3.1
GEOMETRISCHE
MODELLE
13
3.1.1
AETZDIAGRAMM
13
3.1.2
SLOWNESS-DIAGRAMM
16
3.2
ZELLULAERE AUTOMATEN
18
4.
ZELLULAERER
AUTOMAT
MIT
DETERMINISTISCHEM
ALGORITHMUS
22
4.1
KONKAVE
STRUKTUREN
23
4.2
KONVEXE
STRUKTUREN
29
4.3
GEMISCHTE
STRUKTUREN
35
4.4
REALISIERUNGSASPEKTE
38
5.
ANWENDUNGSBEISPIELE
43
5.1
KOH-ISOPROPANOL/SI
43
5.2
KOH/SI
45
5.3
HBR/INP
52
5.3.1
EXPERIMENTELLE
DATENGEWINNUNG
52
5.3.2
SIMULATIONSERGEBNISSE
59
6.
WACHSTUMSSIMULATION
68
6.1
GRUNDLEGENDE
PROZESSE
68
6.1.1
ANISOTROPIE
70
VI
6.1.2
GASPHASENDIFFUSION
71
6.1.3
OBERFLAECHENDIFFUSION
72
6.2
SIMULATIONSALGORITHMUS
74
6.2.1
BERUECKSICHTIGUNG
DER
ANISOTROPIE
74
6.2.3
BERUECKSICHTIGUNG
DER
DIFFUSION
76
6.3
ANWENDUNGSBEISPIELE
77
6.3.1
EXPERIMENTELLE
DATENGEWINNUNG(INGAAS/INP-INP)
78
6.3.2
SIMULATIONSERGEBNISSE
84
7.
ZUSAMMENFASSUNG
88
8.
LITERATUR
90 |
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