Monolithisch integrierte W-Band-Mischer in Koplanartechnik auf der Basis einer pseudomorphen HEMT-Technologie:
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Düsseldorf
VDI-Verl.
1998
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| adam_text | FORTSCHRITT-BERICHTE VDI REIHE 10 INFORMATIK/ DIPL.-ING. LUDGER
VERWEYEN, KOMMUNIKATIONS- FREIBURG TECHNIK . 554 I MONOLITHISCH
INTEGRIERTE W-BAND-MISCHER IN KOPLANARTECHNIK AUF DER BASIS EINER
PSEUDOMORPHEN HEMT-TECHNOLOGIE VII INHALT VORWORT V INHALT VII
ABKUERZUNGEN UND PHYSIKALISCHE GROESSEN IX 1 EINLEITUNG 1 1.1 ANWENDUNGEN
VON MILLIMETERWELLENSYSTEMEN 1 1.2 TECHNOLOGISCHES UMFELD 3 1.3 ZIELE
DER ARBEIT 5 1.4 GLIEDERUNG DER ARBEIT 6 2 CHARAKTERISIERUNG VON
MISCHERN 8 2.1 ENTSTEHUNG VON MISCHPRODUKTEN 8 2.1.1 FREQUENZKONVERSION
8 2.1.2 INTERMODULATION 11 2.1.3 CHARAKTERISTISCHE GROESSEN EINES MISCHERS
12 2.2 EXPERIMENTELLE CHARAKTERISIERUNG VON W-BAND-MISCHERN 14 2.2.1
BESTIMMUNG DER KONVERSIONS- UND INTERMODULATIONSEIGENSCHAFTEN 14 2.2.2
RAUSCHEIGENSCHAFTEN VON MISCHERN , 17 2.3 MISCHERTYPEN UND
SCHALTUNGSTOPOLOGIEN 18 2.4 AUSWAHL DER UNTERSUCHTEN W-BAND-MISCHER 22 3
GROSSSIGNALMODELLIERUNG VON HEMTS FUER MISCHERANWENDUNGEN 24 3.1
PHYSIKALISCHE URSACHEN FUER NICHTLINEARITAETEN IM BAUELEMENT 25 3.1.1
AUFBAU DES AKTIVEN BAUELEMENTS 25 3.1.2 NICHTLINEARITAET DES HEMTS 26
3.1.3 NICHTLINEARITAET DER HEMT-DIODE 27 3.2 EINZELTRANSISTOREN ZUR
MODELLGENERIERUNG 28 3.2.1 LAYOUT DES EINZELBAUELEMENTS 28 3.2.2
EXTRAKTION DER PARASITAEREN ELEMENTE 31 3.3 GROSSSIGNALMODELLE FUER DEN
AKTIVEN HEMT 33 3.3.1 VERFUEGBARE HEMT-GROSSSIGNALMODELLE 33 3.3.2
ANFORDERUNGEN AN GROSSSIGNALMODELLE FUER DEN MISCHERENTWURF 35 3.3.3
VERWENDETES HEMT-GROSSSIGNALMODELL 36 3.4 EINFACHES GROSSSIGNALMODELL FUER
DEN PASSIVEN HEMT 39 3.5 GROSSSIGNALMODELL FUER HEMT-SCHOTTKY-DIODEN 41
VIII INHALT 4 PASSIVE KOPLANARE KOPPLERSTRUKTUREN 44 4.1 MODELLE FUER
KOPLANARE LEITUNGSELEMENTE 44 4.2 WILKINSON-TEILER 48 4.3
BRANCH-LINE-KOPPLER 50 4.3.1 KONVENTIONELLER BRANCH-LINE-KOPPLER 50
4.3.2 KAPAZITIV BELASTETER BRANCH-LINE-KOPPLER 52 4.4 RAT-RACE-KOPPLER
55 5 MONOLITHISCH INTEGRIERTE ABWAERTSMISCHER FUER DAS W-BAND 59 5.1
HEMT-DIODENMISCHER 59 5.1.1 VERFUEGBARE DIODENTECHNOLOGIEN 59 5.1.2
FUNKTIONSPRINZIP UND INTERMODULATIONSVERHALTEN 61 5.1.3 EINFACH
BALANCIERTER DIODENMISCHER MIT RAT-RACE-KOPPLER 63 5.1.4 EINFACH
BALANCIERTER DIODENMISCHER MIT BRANCH-LINE-KOPPLER 66 5.2 RESISTIVER
FET-MISCHER 69 5.2.1 FUNKTIONSPRINZIP 69 5.2.2 HERLEITUNG DER
KONVERSIONSVERLUSTE 72 5.2.3 UNBALANCIERTER RESISTIVER FET-MISCHER 76
5.2.4 BALANCIERTER RESISTIVER FET-MISCHER 79 5.2.5 VERGLEICH DER BEIDEN
SCHALTUNGSTOPOLOGIEN 82 5.3 GATEMISCHER 85 5.3.1 FUNKTIONSPRINZIP 85
5.3.2 HERLEITUNG DER KONVERSIONSVERLUSTE 86 5.3.3 KOPLANARER
UNBALANCIERTER GATEMISCHER 87 5.4 BEWERTUNG DER VERSCHIEDENEN MISCHER 91
6 HOEHER INTEGRIERTE KOPLANARE MILLIMETERWELLENSCHALTUNGEN 94 6.1
INTEGRIERTER EMPFANGSCHIP FUER 77 GHZ 95 6.2 INTEGRIERTER EMPFANGSCHIP
FUER 94 GHZ 97 6.3 INTEGRIERTER SENDE-EMPFANGS-CHIP FUER 77 GHZ 98 6.4
GRENZEN DER INTEGRATION 100 7 ZUSAMMENFASSUNG 102 ANHANG 104
LITERATURVERZEICHNIS 106
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