Verfügbarkeit: Elektrotechnik für Maschinenbauer

Elektrotechnik für Maschinenbauer: Grundlagen

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Hering, Ekbert 1943- (VerfasserIn), Gutekunst, Jürgen (VerfasserIn), Martin, Rolf (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Berlin [u.a.] Springer 1998
Schlagworte:	Elektrotechnik Maschinenbau Lehrbuch
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	XIII, 391 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3540626719

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adam_text	INHALT A GRUNDLAGEN DER ELEKTROTECHNIK . 1 A.L PHYSIKALISCHE GRUNDGESETZE UND DEFINITIONEN . 1 A.1.1 LADUNG . 1 A.L. 2 SPANNUNG . 1 A.L. 3 STROM . 2 A.1.4 OHMSCHES GESETZ . 4 A.1.5 WIDERSTAND . 4 A.L. 6 ARBEIT UND LEISTUNG . 6 A.L. 7 KIRCHHOFFSCHE REGELN . 6 UEBUNGSAUFGABEN . 8 A.2 GLEICHSTROMKREISE MIT LINEAREN KOMPONENTEN . 9 A.2.1 ZWEIPOLQUELLEN . 9 A.2.2 REIHENSCHALTUNG VON WIDERSTAENDEN . 12 A.2.3 PARALLELSCHALTUNG VON WIDERSTAENDEN . 13 A.2.4 GEMISCHTE SCHALTUNGEN . 14 A.2.5 MESSUNG ELEKTRISCHER GROESSEN . 18 A.2.5.1 STROMMESSUNG . 18 A.2.5.2 SPANNUNGSMESSUNG . 19 A.2.5.3 WIDERSTANDSMESSUNG . 19 UEBUNGSAUFGABEN . 21 A.3 ELEKTRISCHES FELD . 22 A.3.1 FELDBEGRIFF . 22 A.3.2 KONDENSATOR . 23 A.3.3 LADEN UND ENTLADEN VON KONDENSATOREN . 26 A.3.4 ENERGIEINHALT DES ELEKTRISCHEN FELDES . 26 UEBUNGSAUFGABEN . 27 A.4 MAGNETISCHES FELD . 28 A.4.1 FELDBEGRIFF . 28 A.4.2 KRAFTWIRKUNGEN IM MAGNETFELD . 31 A.4.3 MATERIE IM MAGNETFELD . 34 A.4.4 MAGNETISCHER KREIS . 38 A.4.5 ELEKTROMAGNETISCHE INDUKTION . 45 A.4.6 SELBSTINDUKTION . 48 A.4.7 EIN UND AUSSCHALTEN VON STROMKREISEN MIT INDUKTIVITAETEN . 49 A.4.8 ENERGIEINHALT DES MAGNETISCHEN FELDES . 51 UEBUNGSAUFGABEN . 51 A.5 WECHSELSTROMKREISE . 52 A.5.1 BENENNUNGEN UND DEFINITIONEN . 52 VIII INHALT A.5.2 SINUSFOERMIGE STROEME UND SPANNUNGEN . 55 A.5.3 ZEIGERDIAGRAMM . 57 A.5.4 WIDERSTAND, SPULE UND KONDENSATOR BEI SINUSFOERMIGEM WECHSELSTROM 62 A.5.5 WECHSELSTROMSCHALTUNGEN VON WIDERSTAND, SPULE UND KONDENSATOR . . 64 A.5.6 BLINDLEISTUNGSKOMPENSATION . 73 A.5.7 SCHWINGKREISE . 75 A.5.8 ORTSKURVEN . 80 A.5.9 TRANSFORMATOR . 81 UEBUNGSAUFGABEN . 91 A.6 DREHSTROM . 92 A.6.1 ENTSTEHUNG DER DREIPHASENWECHSELSPANNUNG . 92 A.6.2 STERNSCHALTUNG . 94 A.6.3 DREIECKSCHALTUNG . 98 UEBUNGSAUFGABEN . 100 A.7 LEITUNGSPHAENOMENE . 101 A.7.1 ELEKTRISCHE LEITUNG IN METALLEN . 101 A.7.2 ELEKTRISCHE LEITUNG IN HALBLEITERN . 102 UEBUNGSAUFGABEN . 107 B ELEKTRISCHE MESSTECHNIK B.L GRUNDLAGEN . 108 B.1.1 DEFINITIONEN UND BEGRIFFE . 108 B.1.2 EINTEILUNG ELEKTRISCHER MESSGERAETE . 114 B.L. 3 UEBERSICHT UEBER DIE DARSTELLUNG DER MESSWERTE . 114 B.L. 4 MESSFEHLER, GENAUIGKEIT UND EMPFINDLICHKEIT . 116 B.2 MESSUNG VON SPANNUNG UND STROM . 12,1 B.2.1 GLEICHSTROMKREIS . 121 B.2.2 WECHSELSTROMKREIS . 124 B.2. 3 ZEITLICH VERAENDERLICHE SPANNUNGEN . 126 B.3 MESSUNG VON WIDERSTAENDEN . 127 B.3.1 MESSUNG OHMSCHER WIDERSTAENDE IM GLEICHSTROMKREIS . 127 B.3.2 MESSUNG VON BLIND-UND SCHEINWIDERSTAENDEN IM WECHSELSTROMKREIS . . 127 B.4 ARBEITSMESSUNG . 133 B.5 LEISTUNGSMESSUNG . 134 B.6 ZEIT UND FREQUENZMESSUNG . 136 B.6.1 ELEKTRONISCHERZAEHLER . 136 B.6.2 ZEIT UND FREQUENZMESSUNG . 136 C HALBLEITERTECHNIK . 139 C.L HALBLEITER . 139 C.1.1 VORSICHTSMASSNAHMEN BEIM UMGANG MIT HALBLEITERBAUELEMENTEN . 140 C.2 DIODEN . 141 INHALT IX C.2.1 SCHALTDIODEN . 143 C.2.2 GLEICHRICHTERDIODEN . 146 C.2.3 NETZGLEICHRICHTER . 146 C.2.4 SCHNELLE GLEICHRICHTERDIODEN . 148 C.2.4.1 SPERRERHOLZEIT T RR . 148 C.2.4.2 VBRWAERTSERHOLZEIT TF R . 149 C.2.5 SCHOTTKY-LEISTUNGSDIODEN . 149 C.2.6 Z-DIODEN . 150 C.3 TRANSISTOREN . 152 C.3.1 ARTEN VON TRANSISTOREN UND DEREN AUFBAU . 152 C.3.2 BESCHALTUNG UND FUNKTION DES TRANSISTORS . 154 C.3.3 WICHTIGE KENNWERTE VON TRANSISTOREN . 155 C.3.3.1 EINGANGSWIDERSTAND . 155 C.3.3.2 STROMVERSTAERKUNG . 156 C.3.3.3 AUSGANGSLEITWERT UND SPANNUNGSRUECKWIRKUNG . 158 C.3.3.4 RAUSCHEN . 158 C.3.4 TRANSISTOR-GRENZWERTE . 160 C.3.4.1 SPERRSPANNUNGEN I7 MAX . 160 C.3.4.2 STROEME I MAX . 160 C.3.4.3 TEMPERATUREN . 160 C.3.4.4 VERLUSTLEISTUNG P V . 160 C.3.5 TYPENSCHLUESSEL FUER HALBLEITER . 161 C.3.6 ANALOGE GRUNDSCHALTUNGEN MIT BIPOLAREN TRANSISTOREN . 161 C.3.6.1 EMITTERSCHALTUNG . 163 C.3.6.2 EMITTERSCHALTUNG MIT STROMGEGENKOPPLUNG . 166 C.3.6.3 EINSTELLUNG DES ARBEITSPUNKTES . 167 C.3. 7 KOLLEKTORSCHALTUNG . 168 C.3.8 STROMQUELLE . 169 C.3.9 DIFFERENZVERSTAERKER . 169 C.3. 10 DARLINGTONSCHALTUNG . 170 C.4 FELDEFFEKTTRANSISTOREN (FET) . 171 C.4.1 SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR (JFET) . 171 C.4.1.1 KENNLINIEN UND ARBEITSBEREICHE DES FELDEFFEKTTRANSISTORS . 173 C.4. 1.2 OHMSCHER BEREICH . 174 C.4. 1.3 TRIODENBEREICH . 174 C.4. 1.4 ABSCHNUERBEREICH . 174 C.4.1. 5 DURCHBRUCHBEREICH . 175 C.4.2 MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOREN . 175 C.4.2.1 EINGANGSWIDERSTAND . 177 C.4.2.2 STEILHEIT . 177 C.4.2.3 AUSGANGSLEITWERT . 178 C.4.3 WEITERE KENNWERTE DER FELDEFFEKTRANSISTOREN . 178 C.4.3.1 RAUSCHEN . 178 C.4.3.2 GRENZFREQUENZ . 178 C.4.3.3 SCHALTZEITEN . 178 C.4.4 GRENZWERTE DER FELDEFFEKTTRANSISTOREN . 179 C.4.4.1 STROEME . 179 C.4.4.2 SPERRSPANNUNGEN . 179 C.4.4.3 TEMPERATUREN . 179 X INHALT C.4.4.4 VERLUSTLEISTUNG UND ERLAUBTER ARBEITSBEREICH . 179 C.4.5 SCHALTUNGSTECHNIK MIT FELDEFFEKTTRANSISTOREN . 180 C.4.5.1 UEBERGANG VOM BIPOLAREN TRANSISTOR ZUM FELDEFFEKTTRANSISTOR . 180 C.4.5.2 BEISPIELE FUER DIE ANWENDUNG VON FET UND MOSFET . 181 C.4.5.3 STABILISIERUNG DES ARBEITSPUNKTES UND DER VERSTAERKUNG DURCH GEGENKOPPLUNG IN ANALOG ARBEITENDEN VERSTAERKERN . 181 C.4.5.4 STEUERBARE SPANNUNGSTEILER MIT FELDEFFEKTTRANSISTOREN . 185 C.4.5.5 FELDEFFEKTRANSISTOREN ALS SCHALTER FUER ANALOGE SIGNALE . 186 C.4.6 MOSFET-LEISTUNGSTRANSISTOREN FUER SCHALTER . 186 C.4.6.1 SCHWELLSPANNUNG . 187 C.4.6.2 SCHALTZEIT . 187 C.4.6.3 TREIBER . 188 C.4.6.4 GATE-SOURCE-UEBERSPANNUNGEN . 188 C.4.6.5 MAXIMALER DRAIN-STROM . 188 C.4.6.6 PARALLELSCHALTEN . 189 C.4.6.7 EINSCHALTWIDERSTAND R DS ( ON ) . 189 C.4.6.8 AVALANCHE-DURCHBRUCHSPANNUNG . 189 C.5 ANALOGE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN . 189 C.5.1 HERSTELLUNG UND TECHNOLOGIE . 189 C.5.2 OPERATIONSVERSTAERKER . 191 C.5.2.1 IDEALER UND REALER OPERATIONSVERSTAERKER . 192 C.5.2.2 SCHALTUNGSTECHNISCHER AUFBAU . 193 C.5.2.3 OPERATIONSVERSTAERKER FUER HOEHERE ANFORDERUNGEN . 193 C.5.2.4 STABILITAETSBETRACHTUNG . 193 C.5.3 OPERATIONSVERSTAERKER MIT STATISCHER BESCHALTUNG . 195 C.5.3.1 INVERTIERENDER SPANNUNGSVERSTAERKER . 197 C.5.3.2 NICHT INVERTIERENDER SPANNUNGSVERSTAERKER . 198 C.5.3.3 SUBTRAHIERVERSTAERKER . 199 C.5.3.4 SCHMITT-TRIGGER . 200 C.5.3. 5 ADDIERENDER VERSTAERKER, INVERTIEREND . 202 C.5.3.6 KONSTANTSTROM-QUELLEN . 203 C.5.3.7 IDEALER EINWEGGLEICHRICHTER . 204 C.5.4 OPERATIONSVERSTAERKER MIT DYNAMISCHER BESCHALTUNG . 205 C.5.4.1 INTEGRATOR . 205 C.5.5 WEITERE WICHTIGE INTEGRIERTE ANALOGSCHALTUNGEN . 209 C.5.5.1 KOMPARATOREN . 209 C.5. 5.2 SPANNUNGSREGLER . 211 C.5. 5.3 BANDGAP-REFERENZELEMENT . 211 C.6 THYRISTOREN UND TRIACS . 212 C.6.1 THYRISTOR . 214 C.6.1.1 STATISCHE KENNLINIEN . 214 C.6.2 TRIAC . 215 C.6.3 ABSCHALTTHYRISTOR (GTO) . 216 C.6.4 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) . 216 C.7 OPTOELEKTRONIK . 216 C.7.1 HALBLEITER-EMITTER . 216 C.7.1.1 STRAHLUNGSEMISSION AUS HALBLEITERN . 216 C.7.1.2 LUMINESZENZDIODEN . 218 INHALT XI C.7.1.3 HALBLEITER-LASER . 222 C.7.2 HALBLEITER-DETEKTOREN . 226 C.7.2.1 STRAHLUNGSABSORPTION IN HALBLEITERN . 226 C.7.2.2 FOTODIODE . 226 C.7.2.3 FOTOTRANSISTOR . 230 C.7.2.4 FOTOTHYRISTOR . 231 UEBUNGSAUFGABEN . 231 C.7.3 DATENUEBERTRAGUNG UEBER LICHTWELLENLEITER . 232 C.7.3.1 OPTISCHER SENDER . 235 C.7.3.2 OPTISCHER EMPFAENGER . 237 C.7.3.3 UEBERTRAGUNGSSTRECKE . 238 C.7.3.4 LICHTLEISTUNGSBILANZ (OPTICAL POWER BUDGET) . 242 C.7.3.5 DYNAMIKBEREICH . 246 C.7.3.6 UEBERTRAGUNGSBANDBREITE . 247 UEBUNGSAUFGABEN . 250 C.8 LOGIKBAUSTEINE . 252 C.8.1 LOGISCHE VERKNUEPFUNGEN UND SCHALTZEICHEN . 252 C.8.2 LOGIKFAMILIEN . 255 C.8.3 BAUFORMEN UND GEHAEUSE DER LOGIKBAUTEILE . 262 UEBUNGSAUFGABEN . 264 LITERATUR . 265 D LEISTUNGSELEKTRONIK . 266 D.L BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK . 266 D.1.1 PASSIVE BAUELEMENTE . 267 D.L. 1.1 INDUKTIVITAETEN . 267 D.L. 1.2 STROMTRANSFORMATOREN . 271 D.L. 1.3 KONDENSATOREN . 273 D.L. 1.3.1 SELBSTHEILENDE KONDENSATOREN . 278 D.L. 1.3.2 KONDENSATOR ALS ENERGIESPEICHER . 279 D.L. 1.3.2 ENTSTOERKONDENSATOREN . 280 D.L. 1.3.3 ANLAUFKONDENSATOREN . 280 D.L. 1.4 HOCHLEISTUNGSWIDERSTAENDE . 284 D.L. 1.5 HOCHLEISTUNGSDIODEN . 285 D.L. 1.6 SCHUTZELEMENTE . 285 D.1.2 AKTIVE BAUELEMENTE . 288 D.L. 2.1 DARLINGTONSCHALTUNG . 288 D.L.2.2 POWER MOS-FET . 291 D.L.2.3 SMART POWER ICS . 291 D.L.2.4 IGBT . 295 D.L.2.5 THYRISTOREN UND ARTVERWANDTE BAUELEMENTE . 296 D.L.2.5.1 THYRISTOR . 297 D.L.2.5.2 GTO . 301 D.L.2.5.3 SITAC . 301 D.L.2.5.4 TRIAC . 303 D.2 LEISTUNGSELEKTRONIK IN DER PRAXIS . 304 D.2.1 ANWENDUNG PASSIVER BAUELEMENTE . 304 D.2. 1.1 NETZFILTER . 304 XII INHALT D.2.1.2 DREIPHASEN NETZFILTER . 305 D.2.2 AKTORSTEUERUNG . 307 D.2.2.1 AKTORANSTEUERUNG MIT EINEM EINFACHEN LEISTUNGSTRANSISTOR . 308 D.2.2.2 AKTORANSTEUERUNG MIT SMART POWER ICS . 309 D.2.2.3 PULSWEITENMODULATION (PWM) FUER QUASIANALOGE AUSGAENGE . 310 D.2.3 BRUECKENSCHALTUNGEN . 313 D.2.3.1 HALBBRUECKE . 313 D.2.3.2 VOLLBRUECKE . 314 D.2.3.3 DREHSTROMBRUECKE . 316 D.2.3.4 STROMUMRICHTER . 317 D.2.4 UNTERBRECHUNGSFREIE STROMVERSORGUNGEN (USV) . 319 D.2.4.1 AUFBAU DER USV . 321 D.2.4.2 STOERUNTERDRUECKUNG DURCH DIE USV . 324 D.2.5 SPANNUNGSWANDLER . 326 D.2.5.1 PRINZIP DER GETAKTETEN STROMVERSORGUNG . 327 D.2.5. 1.1 STEUERUNG DURCH PULSBREITENMODULATION . 327 D.2.5.2 DURCHFLUSSWANDLER . 330 D.2. 5.2.1 TIEFSETZSTELLER . 330 D.2.5.2.2 EINTAKT-FLUSSWANDLER . 332 D.2.5.3 SPERRWANDLER . 333 D.2.6 HOCHLEISTUNGSLASER . 335 D.2.6.1 LASERSCHNEIDTECHNIK . 335 D.2.6.2 LEISTUNGSVERSTAERKER FUER CO 2 -LASER . 336 LITERATUR . 337 E SENSOREN UND AKTOREN . 338 E.L SENSOREN . 338 E.1.1 GRUNDLAGEN . 338 E.L. 2 WEG-UND POSITIONS-SENSOREN . 340 E. 1.2.1 ENDSCHALTER . 341 E.L. 2.1.1 INDUKTIVE SENSOREN . 342 E.L. 2.1.2 KAPAZITIVE SENSOREN . 345 E.L.2.1.3 OPTISCHE SENSOREN . 346 E.L.2.2 WEGMESSSYSTEME . 348 E.L. 2.2.1 AKUSTISCHE LAENGENMESSUNG . 348 E.L. 2.2.2 HALL SENSOREN . 349 E.L. 2.2.3 OPTISCHE MESSVERFAHREN . 350 E.L.2.2.4 HOCHAUFLOESENDE ABSOLUTGEBER . 355 E.2 AKTUATOREN . 364 E.2.1 HYDRAULISCHE AKTUATOREN . 365 E.2. 1.1 SCHALTVENTILE . 365 E.2. 1.2 PROPORTIONALVENTILE . 366 E.2.2 PNEUMATISCHE AKTOREN . 367 E.2.3 PIEZO STELLER . 368 E.2.3.1 PIEZOELEKTRISCHE TRANSLATOREN . 368 E.2.3.2 HAUPTANWENDUNGSGEBIETE, EIGENSCHAFTEN UND ANSTEUERUNG . 369 E.2.3.3 PIEZOELEKTRISCHE KIPPSPIEGEL . 370 E.2.3.4 HEXAPOD, MIKROPOSITIONIERSYSTEM MIT SECHS FREIHEITSGRADEN . 370 INHALT XIII E.2.3.5 AKTIVE PIEZO-SCHWINGUNGSISOLIERUNG MIT EINEM HEXAPOD . 371 E.2.3.6 200 PM PIEZO-LINEARTISCH . 371 E.3 EIGENUEBERWACHTE AKTUATOREN UND SENSOREN . 372 E.4 ANSCHLUSSTECHNIK . 372 E.4.1 AKTORSTECKER . 372 E.4.2 SENSORSTECKER . 374 E.4.3 STANDARDISIERUNG DER STECKERBELEGUNG UND DIE VORTEILE . 374 WEITERFUEHRENDE LITERATUR . 375 LOESUNGEN DER UEBUNGSAUFGABEN . 377 SACHVERZEICHNIS . 385
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