Dichtefunktionaltheorie mit exaktem Austausch für Halbleiter:
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| Format: | Thesis Book |
| Language: | German |
| Published: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München e.V.
1998
|
| Edition: | 1. Aufl. |
| Series: | Selected topics of semiconductor physics and technology
14 |
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INHALTSVERZEICHNIS
KURZZUSAMMENFASSUNG
1
1
THEORETISCHER
HINTERGRUND
UND
MOTIVATION
DIESER
ARBEIT
3
I
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
FUER
PERIODISCHE
KRISTALLE:
FUNDAMENTALE
KONZEPTE
9
2
GRUNDZUEGE
DER
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
(DFT)
11
2.1
WAS
LEISTET
DIE
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
?
.
11
2.2
DIE
FUNDAMENTALEN
THEOREME
VON
HOHENBERG
UND
KOHN
.
13
2.3
YYCONSTRAINED-SEARCH
"
-FORMULIERUNG
.
15
3
DIE
KOHN-SHAM-METHODE
DER
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
19
3.1
GRUNDLEGENDE
PRINZIPIEN
.
19
3.2
DIE
AUSTAUSCHENERGIE
IN
DER
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
.
24
3.3
EXAKTE
EIGENSCHAFTEN
DER
AUSTAUSCHKORRELATIONSFUNKTIONALE
.
26
3.4
NAEHERUNGEN
FUER
DIE
AUSTAUSCHKORRELATIONSENERGIE
E
X
C[P]
.
28
3.4.1
DIE
LOKALE
DICHTENAEHERUNG
(LDA)
.
28
3.4.2
GRADIENTENKORREKTUREN
FUER
E
IC
[P]
.
31
3.5
STOERUNGSTHEORETISCHER
ANSATZ
.
36
3.6
DAS
BANDLUECKEN-PROBLEM
IN
DER
KOHN-SHAM-THEORIE
.
37
3.6.1
ANREGUNGSENERGIEN
IN
DER
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE
.
37
3.6.2
DAS
BANDLUECKEN-PROBLEM
.
40
3.7
DIE
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
IM
KOHN-SHAM-FORMALISMUS
.
44
4
VERALLGEMEINERTE
KOHN-SHAM-METHODEN
47
5
DICHTEFUNKTIONALRECHNUNGEN
IN
PERIODISCHEN
KRISTALLEN
53
5.1
PSEUDOPOTENTIALE
.
53
5.1.1
DIE
GRUNDIDEE
DER
PSEUDOPOTENTIALTHEORIE
.
53
5.1.2
KONSTRUKTION
VON
PARAMETERFREIEN
PSEUDOPOTENTIALEN
.
55
5.1.3
TROULLIER-MARTINS-PSEUDOPOTENTIALE
.
60
5.2
DER
EBENE-WELLEN-FORMALISMUS
.
62
UE
INHALTSVERZEICHNIS
5.2.1
DIE
KOHN-SHAM-GLEICHUNGEN
IM
IMPULSRAUM
.
62
5.2.2
DIE
GESAMTENERGIE
DES
PERIODISCHEN
FESTKOERPERS
.
64
5.2.3
DIE
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
IM
IMPULSRAUM
.
67
II
EXAKTER
LOKALER
UND
NICHTLOKALER
AUSTAUSCH
IN
DER
DICHTEFUNKTIONALTHEORIE:
METHODEN
UND
RESULTATE
71
6
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH
IN
DER
KOHN-SHAM-THEORIE
73
6.1
HISTORISCHE
BEMERKUNGEN
.
73
6.2
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH
IN
ATOMEN
.
75
6.2.1
DIE
OEP-METHODE
UND
DIE
KLI-NAEHERUNG
.
75
6.2.2
OEP-PSEUDOPOTENTIALE
.
79
6.3
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH
IN
AUSGEDEHNTEN
SYSTEMEN
.
83
6.3.1
DIE
NEUE
EXX-METHODE
.
83
6.4
ABGESCHIRMTER
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH:
DIE
EXSX-METHODE
.
91
6.5
TECHNISCHE
DETAILS
DER
EXX
UND
EXSX-VERFAHREN
.
94
7
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH:
RESULTATE
FUER
FUNDAMENTALE
DFT-GROE
SSEN
97
7.1
AUSTAUSCHPOTENTIALE
.
98
7.2
DICHTEN
.
102
7.3
BEITRAEGE
ZUR
GESAMTENERGIE
.
105
8
EXAKTER
LOKALER
AUSTAUSCH:
ELEKTRONISCHE
UND
STRUKTURELLE
EIGEN
SCHAFTEN
113
8.1
BANDSTRUKTUREN
UND
VERWANDTE
GROESSEN
.
113
8.1.1
HALBLEITER-BANDLUECKEN
.
114
8.1.2
VERGLEICH
MIT
YYFAST
EXAKTEN
"
KKR
UND
LMTO-RESULTATEN
.
120
8.1.3
EXX-BANDLUECKEN
UND
DIE
DISKONTINUITAET
A
IC
.
123
8.1.4
BANDLUECKEN-DEFORMATIONSPOTENTIALE
.
126
8.1.5
EFFEKTIVE
MASSEN
.
126
8.1.6
DIELEKTRISCHE
FUNKTIONEN
.
131
8.2
STRUKTURELLE
UND
KOHAESIVE
EIGENSCHAFTEN
.
132
8.2.1
GITTERKONSTANTEN
UND
KOMPRESSIONSMODULN
.
133
8.2.2
KOHAESIVE
ENERGIEN
.
137
8.3
WIE
GUT
IST
DIE
KLI-NAEHERUNG
IN
AUSGEDEHNTEN
SYSTEMEN
?
.
142
8.4
EXSX-RESULTATE
FUER
EXAKTEN
LOKALEN
ABGESCHIRMTEN
AUSTAUSCH
.
.
.
144
8.4.1
ABGESCHIRMTE
LOKALE
AUSTAUSCHPOTENTIALE
.
146
8.4.2
EXSX-BANDLUECKEN
.
147
8.4.3
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
.
149
INHALTSVERZEICHNIS
III
9
VERALLGEMEINERTE
KOHN-SHAM-METHODEN
MIT
NICHTLOKALEM
AUS
TAUSCH
153
9.1
DIE
METHODEN
SX,
SXLDAXC
UND
SXLDA
.
153
10
EXAKTER
NICHTLOKALER
AUSTAUSCH:
RESULTATE
159
10.1
GESAMTENERGIEN
.
159
10.2
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
.
161
10.3
BANDLUECKEN
.
162
10.3.1
RESULTATE
MIT
DIAGONALEN
MODELLEN
.
162
10.3.2
SXLDA-RESULTATE
MIT
DER
VOLLEN
NICHTDIAGONALEN
DIELEKTRI
SCHEN
FUNKTION
.
164
11
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
169
ANHANG:
EXPLIZITE
FORMELN
UND
TESTRECHNUNGEN
177
A
EFFIZIENTE
BERECHNUNG
LOKALER
UND
NICHTLOKALER
AUSTAUSCHPOTEN
TIALE
177
A.L
BRILLOUINZONENINTEGRATION
UND
KRISTALLSYMMETRIE
.
178
A.2
POLARISIERBARKEIT
XO
UND
DIELEKTRISCHE
FUNKTION
E
.
182
A.3
MATRIXELEMENTE
DER
NICHTLOKALEN
AUSTAUSCHOPERATOREN
V
X
L
/V^.
L
.
.
186
A.4
DAS
LOKALE
KS-AUSTAUSCHPOTENTIAL
V
X
.
192
A.5
SKALIERUNGSEIGENSCHAFTEN
DER
EXX-METHODE
.
192
A.6
DAS
ABGESCHIRMTE
LDA-AUSTAUSCHPOTENTIAL
.
196
B
TESTRECHNUNGEN
197
B.L
KONVERGENZTESTS
.
197
B.2
PSEUDOPOTENTIALTESTS
.
201
LISTE
DER
VEROEFFENTLICHUNGEN
I
LITERATURVERZEICHNIS
III
DANKSAGUNG
XIV |
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| series2 | Selected topics of semiconductor physics and technology |
| spelling | Städele, Martin Verfasser aut Dichtefunktionaltheorie mit exaktem Austausch für Halbleiter Martin Städele. Physik-Department, Technische Universität München, Institut für Theoretische Physik 1. Aufl. Garching Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München e.V. 1998 IV, 202, XIII S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Selected topics of semiconductor physics and technology 14 Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998 Dichtefunktionalformalismus (DE-588)4258514-4 gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 gnd rswk-swf Austauschwechselwirkung (DE-588)4217856-3 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Dichtefunktionaformalismus gnd rswk-swf Halbleiter (DE-588)4022993-2 s Dichtefunktionalformalismus (DE-588)4258514-4 s Austauschwechselwirkung (DE-588)4217856-3 s DE-604 Dichtefunktionaformalismus f Selected topics of semiconductor physics and technology 14 (DE-604)BV011499438 14 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=008236626&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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