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Hecht, C. (1998). Untersuchung der tiefen Störstelle Vanadium in semi-isolierendem 4H- und 6H-SiC mittels des spektralen Lochbrennens.

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Hecht, Christian. Untersuchung Der Tiefen Störstelle Vanadium in Semi-isolierendem 4H- Und 6H-SiC Mittels Des Spektralen Lochbrennens. 1998.

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Hecht, Christian. Untersuchung Der Tiefen Störstelle Vanadium in Semi-isolierendem 4H- Und 6H-SiC Mittels Des Spektralen Lochbrennens. 1998.