Ionenstrahlinduzierte epitaktische Kristallisation und Interface-Amorphisierung von III - V-Verbindungshalbleitern und Germanium:
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INHALTSVERZEICHNIS
1. EINLEITUNG 1
2. GRUNDLAGEN 5
2.1 WECHSELWIRKUNG VON IONEN IM FESTKOERPER. 5
2.2 THERMISCHE KRISTALLISATION (SPE). 8
2.3 MODELLVORSTELLUNGEN ZUR IONENSTRAHLINDUZIERTEN REKRISTALLISATION
(IBIEC) . 12
2.4 NUKLEATION UND KEIMWACHSTUM. 19
2.5 ZWILLINGSBILDUNG WAHREND DER FESTPHASENEPITAXIE .22
2.6 RUTHERFORD-RUECKSTREU-SPEKTROMETRIE (RBS) .24
2.7 GRUNDLAGEN DER DEFEKTPROFILANALYSE MIT MONOENERGETISCHEN POSITRONEN
. . 30
3. EXPERIMENTELLE DURCHFUEHRUNG 35
3.1 PROBENPRAEPARATION.35
3.2 NACHBESTRAHLUNGEN. 36
3.3 SCHICHTDICKENBESTIMMUNG .39
3.4 ELEKTRONENMIKROSKOPISCHE UNTERSUCHUNGEN.40
3.5 IN-SITU REFLEXIONSMESSUNG.40
4. ERGEBNISSE 45
4.1 HOCHENERGIEBESTRAHLUNGEN AN GERMANIUM .45
4.1.1 ERMITTLUNG DER AKTIVIERUNGSENERGIEN FUER IBIEC UND IBIIA.45
4.1.2 UBERGANGSTEMPERATUR UND RICHTUNGSABHAENGIGKEIT DER RATE.48
4.1.3 ANALYSE DER REKRISTALLISIERTEN SCHICHT MITTELS
POSITRONENVEMICHTUNG 51
L
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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57
4.2 HOCHENERGIEBESTRAHLUNGEN AN III-V-HALBLEITEM.
4.2.1 TEMPERATURABHAENGIGKEIT DER KRISTALHSATIONSRATE.
4.2.2 IONENSTRAHLINDUZIERTE NUKLEATION .
4.2.3 IBIEC IM VERGLEICH ZU SPE IN INP.
4.2.4 DOSISRATENABHAENGIGKEIT DER KRISTALLISATIONSRATE.
4.2.5 IN-SITU BEOBACHTUNG DER INTERFACEBEWEGUNG.
5. DISKUSSION DER ERGEBNISSE
5.1 UNTERDRUECKUNG DER ZWILLINGSBILDUNG.
5.2 VERGLEICH DER EXPERIMENTE MIT MOLEKULARDYNAMISCHEN RECHNUNGEN .
5.3 UEBERGANGSTEMPERATUR
TR
ALS MATERIALPARAMETER.
5.4 WACHSTUM IONENSTRAHLINDUZIERTER KRISTALLITE.
5.5 NUKLEATION UND TEMPERATURVERLAUF DER KRISTALLISATIONSRATE.
5.6 VOLLSTAENDIGE REKRISTALLISATION .
6. ZUSAMMENFASSUNG
7. SCHLUSSBEMERKUNG
57
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