Goldhorn, A. (1996). Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP InGaAs für die Integration optischer Empfänger.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Goldhorn, Andreas. Technologie Und Charakterisierung Von PIN-Diode Und Heterostruktur-Bipolartransistoren Im Materialsystem InP InGaAs Für Die Integration Optischer Empfänger. 1996.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Goldhorn, Andreas. Technologie Und Charakterisierung Von PIN-Diode Und Heterostruktur-Bipolartransistoren Im Materialsystem InP InGaAs Für Die Integration Optischer Empfänger. 1996.
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