Herstellung und Charakterisierung epitaktischer CuInS2-Schichten:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
1996
|
Schlagworte: | |
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Beschreibung: | Zugl.: Göttingen, Univ., Diss., 1997 |
Beschreibung: | X, 154 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
EIGENSCHAFTEN
VON
CUINS
2
7
2.1
KRISTALLSTRUKTUR
VON
CUINS
2
.
7
2.1.1
DIE
CHALCOPYRITSTRUKTUR
.
7
2.1.2
DIE
TETRAGONALE
VERZERRUNG
VON
CUINS
2
.
9
2.2
PHASENBEZIEHUNGEN
IM
CU-IN-S
SYSTEM
.
11
2.2.1
TERNAERES
PHASENDIAGRAMM
.
11
2.2.2
PSEUDOBINAERES
PHASENDIAGRAMM
CU
2
S-IN
2
SS
.
11
2.2.3
EXISTENZBEREICH
VON
CUINS
2
.
13
2.3
BANDSTRUKTUR
.
15
2.4
MATERIALEIGENSCHAFTEN
.
17
2.4.1
EIGENDOTIERUNG
UND
EIGENDEFEKTE
VON
CUINSJ
.
17
2.4.2
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
UND
ANWENDUNGEN
.
19
2.4.3
ZUSAMMENSTELLUNG
EINIGER
MATERIALPARAMETER
.
19
2.5
C'UINS
2
IN
SOLARZELLEN
.
21
2.5.1
DER
P/N-UBERGANG
ALS
SOLARZELLE
.
21
2.5.2
SONNENSPEKTRUM
UND
WIRKUNGSGRAD
.
24
2.5.3
SOLARZELLEN
AUF
DER
BASIS
VON
CUINS
2
.
27
3
SILIZIUM-OBERFLAECHEN
FUER
DIE
HETEROEPITAXIE
31
3.1
GRUNDLEGENDES
ZU
KRISTALLOBERFLAECHEN
.
31
3.2
REKONSTRUKTION
VON
SILIZIUM-OBERFLAECHEN
.
33
3.2.1
DIE
SI(100)(2XL)-OBERFLAECHE
.
33
3.2.2
DIE
SI(LLL)(7X7)-OBERFLAECHE
.
34
3.3
REINIGUNG
VON
SILIZIUM-OBERFLAECHEN
.
34
3.4
TERMINIERUNG
VON
SILIZIUM-OBERFLAECHEN
.
36
3.4.1
TERMINIERUNG
DER
SI(100)
.
37
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.4.2
TERMINIERUNG
DER
SI(LLL)
.
37
3.5
SCHWEFEL
ALS
ADSORBAT
AUF
SILIZIUM-OBERFLAECHEN
.
38
4
EXPERIMENTELLE
METHODEN
41
4.1
ROENTGENBEUGUNG
.
42
4.2
BEUGUNG
NIEDERENERGETISCHER
ELEKTRONEN
.
43
4.2.1
ENTSTEHUNG
EINES
LEED-BILDES
.
43
4.2.2
KINEMATISCHE
THEORIE
DER
ELEKTRONENBEUGUNG
.
47
4.3
AUGERELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
.
49
4.4
RUTHERFORD
RUECKSTREUUNG
.
52
4.5
RAUHIGKEIT
DUENNER
SCHICHTEN
AUS
RBS-SPEKTREN
.
56
4.6
GITTERFUEHRUNG
(CHANNELING)
.
59
4.7
GESTOERTE
7-7
WINKELKORIELATION
.
62
4.7.1
DER
SONDENKERN
LU
LN
.
62
4.7.2
DIE
UNGESTOERTE
7-7
WINKELKORRELATION
.
63
4.7.3
DIE
GESTOERTE
7-7
WINKELKORRELATION
.
64
4.7.4
MESSUNG
DER
GESTOERTEN
7-7
WINKELKORRELATION
.
65
5
AUFBAU
DER
MOLEKULARSTRAHLEPITAXIEANLAGE
69
5.1
KONZEPTION
.
69
5.2
REALISATION
.
71
5.2.1
UEBERBLICK
UEBER
DIE
ANLAGE
.
71
5.2.2
DIE
VERDAMPFERQUELLEN
.
74
5.2.3
DIE
LEED/AES-ELEKTRONENOPTIK
.
76
5.2.4
DIE
PAC-MESSUNGEN
.
77
6
TERMINIERUNG
VON
SI-OBERFLAECHEN
MIT
SCHWEFEL
81
6.1
PRAEPARATION
REKONSTRUIERTER
SILIZIUMOBERFLAECHEN
.
81
6.2
PRAEPARATION
SCHWEFELTERMINIERTER
OBERFLAECHEN
.
87
6.3
DAS
SYSTEM
S/SI(LLL)
.
87
6.4
DAS
SYSTEM
S/SI(100)
.
95
6.5
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
.
96
7
STADIEN
DES
WACHSTUMS
EPITAKTISCHER
CUINS
2
FILME
101
7.1
BEOBACHTUNG
DER
NUKLEATION
EPITAKTISCHER
CUINS
2
FILME
MIT
TELS
LEED
UND
AES
.
101
7.2
BEOBACHTUNG
DER
NUKLEATION
EPITAKTISCHER
CULNS
2
FILME
MIT
TELS
M-SILU
PAC
.
105
INHALTSVERZEICHNIS
III
7.3
DISKUSSION
DER
ERGEBNISSE
.
106
8
EIGENSCHAFTEN
EPITAKTISCHER
CUINS
2
FILME
111
8.1
CUINS
2
FILME
AUF
SI(LLL)
.
112
8.1.1
ERGEBNISSE
DER
RUTHERFORD
RUECKSTREUUNG
.
112
8.1.2
ERGEBNISSE
DER
ROENTGENBEUGUNG
.
116
8.1.3
CHANNELING
MESSUNGEN
.
121
8.1.4
ERGEBNISSE
DER
TEM-MESSUNGEN
.
124
8.1.5
STM-MESSUNGEN
.
129
8.2
CUINSZ
FILME
AUF
SI(
100)
.
130
8.3
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
.
130
8.3.1
WACHSTUM
POLYKRISTALLINER
CUINSJ
FILME
.
132
8.3.2
EINFLUSS
DER
SUBSTRATORIENTIERUNG
.
132
8.3.3
EINFLUSS
DER
SUBSTRATTEMPERATUR
.
133
8.3.4
MOLEKULARITAETSABWEICHUNG
UND
PRAEZIPITATE
.
133
8.3.5
WACHSTUMSVERHALTEN
EPITAKTISCHER
CUINS2
SCHICHTEN
.
.
135
8.3.6
STRUKTURMODELL
EPITAKTISCHER
CULNS
2
SCHICHTEN
.
136
8.3.7
ELEKTRONISCHES
VERHALTEN
DES
SI/CUINS2
HETEROUEBERGANGS
137
9
ZUSAMMENFASSUNG
141
LITERATURVERZEICHNIS
144 |
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