Stabstirn-Trennschleifen von einkristallinem Silizium:
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Düsseldorf
VDI-Verl.
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| adam_text | Titel: Stabstirn-Trennschleifen von einkristallinem Silizium
Autor: Hartmann, Matthias
Jahr: 1997
BERICHTE AUS DEM INSTITUT FÜR FERTIGUNGSTECHNIK UND SPANENDE WERKZEUGMASCHINEN UNIVERSITÄT HANNOVER PRODUKT ION ST ECHNIK XvX*£ •x-x-x xx-x i v/Xwi xvx/.;x- Dipl.-Ing. Matthias Hartmann, Bremen Stabstirn-Trennschleifen von einkristallinem Silizium Fortschritt-Berichte VDI Reihe 2 : Fertigungstechnik Nr. 422
V Inhalt Seite Verzeichnis der Formel- und Kurzzeichen................................................................VII Indizes, Symbole.......................................................................................................XI Abkürzungen.............................................................................................................XI Abstrakt...................................................................................................................XIII 1 EINLEITUNG...............................................................................................................1 2 STAND DER KENNTNISSE........................................................................................5 2.1 Verfahren zum Trennschleifen und Trennläppen von Halbleiterwerkstoffen.... 11 2.2 Innendurchmesser-Trennschleifen und Längs-Seiten-Planschleifen................13 2.3 Prozeßüberwachung, -diagnose und -regelung beim Trennschleifen von Halbleitenwerkstoffen........................................................................................19 3 AUFGABENSTELLUNG, ZIELSETZUNG UND VORGEHENSWEISE.....................24 4 VERSUCHSEINRICHTUNGEN.................................................................................26 4.1 Versuchsmaschine...........................................................................................26 4.2 Werkzeuge und Werkstücke.............................................................................28 4.3 Konditionieren der Werkzeuge.........................................................................29 4.4 Kühlschmierstoff...............................................................................................31 4.5 Messung der Maschinensteil- und Prozeßgrößen............................................32 4.5.1 Piezoelektrische Zerspankraftmessung.............................................34 4.5.2 Messung der
Trennblattauslenkung...................................................35 4.5.3 Messung der Schallemission.............................................................36 4.6 Messung von Form- und Maßgenauigkeit und Rauheit....................................38 4.7 Bestimmung der Randzoneneigenschaften des Werkstücks............................41
VI 5 KINEMATIK, KENNGRÖßEN UND PROZEßPHASEN.............................................44 6 WERKZEUGABDRÄNGUNG BEIM STABSTIRN-TRENNSCHLEIFEN...................49 6.1 Werkzeugabdrängung beim Längs-Seiten-Planschlelfen.................................49 6.1.1 Statisches Systemverhalten...............................................................50 6.1.2 Modellbetrachtung..............................................................................53 6.1.3 Verfahren zur Messung der Orientierung der Maschinenachsen.......58 6.1.4 Vergleichsbetrachtung.......................................................................64 6.2 Auslenkung des Innendurchmesser-Trennblattes............................................69 6.2.1 Messung der Trennblattverlagerung mit dem rotierenden Axialsensor.........................................................................................71 6.2.2 Prozeßverhalten des Innendurchmesser-Trennblattes......................78 7 SCHALLEMISSION BEIM STABSTIRN-TRENNSCHLEIFEN..................................83 7.1 Überwachung des Prozeßverlaufs mittels Schallemissionsanalyse..................87 7.2 Überwachung des Trennblattrundlaufs mittels Schallemission.........................94 8 ARBEITSERGEBNIS BEIM STABSTIRN- UND INNENDURCHMESSERTRENNSCHLEIFEN................................................................................................107 8.1 Prozeßverhalten und Wafergeometrie............................................................107 8.2 Randzoneneigenschaften getrennter und geschliffener Waferoberflächen....114 8.2.1 Oberflächengüte der Wafer..............................................................114 8.2.2 Ergebnisse der Störtiefenmessungen..............................................116 8.2.3 Ergebnisse der röntgenographischen Analyse geschliffener Waferoberflächen................ 118 9 FOLGERUNGEN UND HINWEISE FÜR DIE
PRAXIS............................................123 10 ZUSAMMENFASSUNG..........................................................................................128 11 LITERATURVERZEICHNIS....................................................................................130
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