Lithographie-unabhängige MOS-Transistoren mit Kanallängen kleiner 100 nm:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI Verl.
1997
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
248 |
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INHALTSVERZEICHNIS
V
INHALTSVERZEICHNIS
DANKSAGUNG
.
III
INHALTSVERZEICHNIS
.
V
BEZEICHNUNGEN
UND
ABKUERZUNGEN
.
VII
VERWENDETE
GROESSEN
UND
FORMELZEICHEN
.
VIII
1
EINLEITUNG
.
1
2
DAS
SUPERMOS-BAUELEMENT.
.
5
2.1
MOS-TRANSISTORGLEICHUNGEN
.
5
2.2
DER
VELOCITY-OVERSHOOT-EFFEKT
IN
MOS-TRANSISTOREN
.
16
2.3
STAND
DER
TECHNIK:
MOS-BAUELEMENTE
FUER
KANALLAENGEN
KLEINER
100
NM
.
20
2.4
DAS
SUPERMOS-BAUELEMENT
FUER
KANALLAENGEN
KLEINER
100NM
.25
2.4.1
FUNKTIONSWEISE
DES
SUPERMOS-BAUELEMENTES
.
25
2.4.2
DER
VERGLEICH
SUPERMOS,
HS-GOLD,
STANDARD
MOS
.
30
2.4.3
DIE
SPICE-MODELLIERUNG
DES
SUPERMOS-BAUELEMENTES.
.32
2.4.4
DAS
SUPERMOS-BAUELEMENT
IN
EINER
SOI-GATE-ARRAY
UMGEBUNG
.
36
3
TECHNOLOGISCHE
REALISIERUNG
.
40
3.1
DIELEKTRISCHE
ISOLIERUNG
DER
EINZELNEN
TRANSISTOREN
.
41
3.1.1
VERTIKALE
DIELEKTRISCHE
ISOLIERUNG
.
41
3.1.2
LATERALE
DIELEKTRISCHE
ISOLIERUNG
.
44
3.1.2.1
LATERALE
LOCOS-LSOLIERUNG
.
45
3.1.2.2
MESA-ISOLIERUNG
.
48
3.1.3
DIE
FUNKTIONALE
DIELEKTRISCHE
ISOLIERUNG
.
58
3.1.3.1
DAS
EPITAKTISCHE
LATERALE
UEBERWACHSEN
(EPITAXIAL
LATERAL
OVERGROWTH)
.
59
3.1.3.2
DAS
CHEMISCH-MECHANISCHE
POLIEREN
(CMP)
AKTIVER
SILIZIUMSCHICHTEN
.
68
3.2
ERZEUGUNG
DUENNER
GATEOXIDE
.
75
3.2.1
N
2
O-REAKTIONSKINETIK
BEI
DER
OXIDATION
IN
EINEM
COOL
ZONE-SYSTEM
3.2.2
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
N
2
O-GATEOXIDE
.
79
3.2.3
DIE
MASKIERFAEHIGKEIT
DER
N
2
O-OXIDE
.
83
VI
LITHOGRAPHIE-UNABHAENGIGE
MOS-TRANSISTOREN
MIT
KANALLAENGEN
KLEINER
100NM
3.3
LITHOGRAPHIE-UNABHAENGIGE
HERSTELLUNG
KLEINSTER
MOS
KANALLAENGEN
.86
3.3.1
KANALERZEUGUNG
DURCH
DIFFUSION
-
DER DMOS-TRANSISTOR
.
86
3.3.2
KANALERZEUGUNG
DURCH
ABSCHEIDEN
UND
AETZEN
-
DER
EDMOS
TRANSISTOR
.
98
3.3.3
KANALERZEUGUNG
DURCH
IN-SITU
DOTIERUNG
BEI
DER
EPITAXIE
-
DER
EPI-CHANNEL
TRANSISTOR
.110
4
ZUSAMMENFASSUNG
.
123
5
ANHANG
.
126
5.1
SPICE-PARAMETERLISTE
.
126
5.2
BESCHREIBUNG
DES
SUPERMOS-MASKENSATZES
.
127
5.3
ENTWURFSREGELN
SUPERMOS
.
131
5.4
BENUTZTE
GERAETE
UND
PROGRAMMA
.
134
6
LITERATURVERZEICHNIS
.
135 |
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