Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik:
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis Book |
| Language: | German |
| Published: |
Aachen
Shaker
1997
|
| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Berichte aus der Chemie
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Physical Description: | VI, 169 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3826521870 |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV011205904 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19971010 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 970211s1997 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 949622583 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3826521870 |c kart. : DM 94.00, sfr 99.00, S 659.00 |9 3-8265-2187-0 | ||
| 035 | |a (OCoLC)68600543 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV011205904 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-19 |a DE-355 |a DE-29T |a DE-12 |a DE-83 |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 080 | |a 37 | ||
| 084 | |a VE 9537 |0 (DE-625)147156:260 |2 rvk | ||
| 100 | 1 | |a Fröschle, Barbara |d 1964- |e Verfasser |0 (DE-588)115351566 |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik |c Barbara Fröschle |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Aachen |b Shaker |c 1997 | |
| 300 | |a VI, 169 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 0 | |a Berichte aus der Chemie | |
| 502 | |a Zugl.: München, Univ., Diss., 1996 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Chip |0 (DE-588)4197163-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Diffusionsbarriere |0 (DE-588)4289693-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a LPCVD-Verfahren |0 (DE-588)4277965-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Titannitrid |0 (DE-588)4185564-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Rapid thermal processing |0 (DE-588)4347011-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Titannitrid |0 (DE-588)4185564-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a LPCVD-Verfahren |0 (DE-588)4277965-0 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Rapid thermal processing |0 (DE-588)4347011-7 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Diffusionsbarriere |0 (DE-588)4289693-9 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Chip |0 (DE-588)4197163-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007516444&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007516444 | ||
Record in the Search Index
| _version_ | 1804125703035158528 |
|---|---|
| any_adam_object | 1 |
| author | Fröschle, Barbara 1964- |
| author_GND | (DE-588)115351566 |
| author_facet | Fröschle, Barbara 1964- |
| author_role | aut |
| author_sort | Fröschle, Barbara 1964- |
| author_variant | b f bf |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV011205904 |
| classification_rvk | VE 9537 |
| ctrlnum | (OCoLC)68600543 (DE-599)BVBBV011205904 |
| discipline | Chemie / Pharmazie |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02154nam a2200493 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV011205904</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19971010 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">970211s1997 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">949622583</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3826521870</subfield><subfield code="c">kart. : DM 94.00, sfr 99.00, S 659.00</subfield><subfield code="9">3-8265-2187-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)68600543</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV011205904</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-19</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="080" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">37</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VE 9537</subfield><subfield code="0">(DE-625)147156:260</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Fröschle, Barbara</subfield><subfield code="d">1964-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)115351566</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik</subfield><subfield code="c">Barbara Fröschle</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Shaker</subfield><subfield code="c">1997</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 169 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Berichte aus der Chemie</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Univ., Diss., 1996</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Chip</subfield><subfield code="0">(DE-588)4197163-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Diffusionsbarriere</subfield><subfield code="0">(DE-588)4289693-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">LPCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4277965-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Titannitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4185564-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Rapid thermal processing</subfield><subfield code="0">(DE-588)4347011-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Titannitrid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4185564-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">LPCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4277965-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Rapid thermal processing</subfield><subfield code="0">(DE-588)4347011-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Diffusionsbarriere</subfield><subfield code="0">(DE-588)4289693-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Chip</subfield><subfield code="0">(DE-588)4197163-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007516444&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007516444</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV011205904 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T18:05:46Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3826521870 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007516444 |
| oclc_num | 68600543 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-19 DE-BY-UBM DE-355 DE-BY-UBR DE-29T DE-12 DE-83 DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-19 DE-BY-UBM DE-355 DE-BY-UBR DE-29T DE-12 DE-83 DE-11 DE-188 |
| physical | VI, 169 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1997 |
| publishDateSearch | 1997 |
| publishDateSort | 1997 |
| publisher | Shaker |
| record_format | marc |
| series2 | Berichte aus der Chemie |
| spelling | Fröschle, Barbara 1964- Verfasser (DE-588)115351566 aut Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik Barbara Fröschle Als Ms. gedr. Aachen Shaker 1997 VI, 169 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Chemie Zugl.: München, Univ., Diss., 1996 Chip (DE-588)4197163-2 gnd rswk-swf Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd rswk-swf LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd rswk-swf Titannitrid (DE-588)4185564-4 gnd rswk-swf Rapid thermal processing (DE-588)4347011-7 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Titannitrid (DE-588)4185564-4 s LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 s Rapid thermal processing (DE-588)4347011-7 s Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 s Chip (DE-588)4197163-2 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007516444&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Fröschle, Barbara 1964- Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik Chip (DE-588)4197163-2 gnd Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd Titannitrid (DE-588)4185564-4 gnd Rapid thermal processing (DE-588)4347011-7 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4197163-2 (DE-588)4289693-9 (DE-588)4277965-0 (DE-588)4185564-4 (DE-588)4347011-7 (DE-588)4113937-9 |
| title | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik |
| title_auth | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik |
| title_exact_search | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik |
| title_full | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik Barbara Fröschle |
| title_fullStr | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik Barbara Fröschle |
| title_full_unstemmed | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik Barbara Fröschle |
| title_short | Die chemische Gasphasenabscheidung von Titannitrid durch Einwirkung von thermischer Strahlung auf monokristalline Siliciumsubstrate zur Herstellung von Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik |
| title_sort | die chemische gasphasenabscheidung von titannitrid durch einwirkung von thermischer strahlung auf monokristalline siliciumsubstrate zur herstellung von diffusionsbarrieren in der mikroelektronik |
| topic | Chip (DE-588)4197163-2 gnd Diffusionsbarriere (DE-588)4289693-9 gnd LPCVD-Verfahren (DE-588)4277965-0 gnd Titannitrid (DE-588)4185564-4 gnd Rapid thermal processing (DE-588)4347011-7 gnd |
| topic_facet | Chip Diffusionsbarriere LPCVD-Verfahren Titannitrid Rapid thermal processing Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007516444&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT froschlebarbara diechemischegasphasenabscheidungvontitannitriddurcheinwirkungvonthermischerstrahlungaufmonokristallinesiliciumsubstratezurherstellungvondiffusionsbarrierenindermikroelektronik |