Herstellung und Untersuchung von Halbleiterbauelementen mit dem Rasterkraftmikroskop:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München
Diss.-Verl. NG-Kopierladen
1997
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 1996 |
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YYINHALTSVERZEICHNIS
INHALTSVERZEICHNIS
1.
GRANDLAGEN
DER
KRAFTMIKROSKOPIE
1.1
BETRIEBSARTEN
DES
KRAFTMIKROSKOPS
1.2
APPARATIVER
AUFBAU
1
2
6
2.
DIE
SPITZEN
DES
KRAFTMIKROSKOPS
2.1
SILIZIUM-SPITZEN
2.2
LEITFAEHIGE
SPITZEN
2.3
KONTAMINATIONSSPITZEN
2.3.1
DER
KONTAMINATIONSPROZESS
IM
ELEKTRONENMIKROSKOP
2.3.2
HERSTELLUNG
VON
KONTAMINATIONSSPITZEN
2.3.3
SCHAERFEN
VON
KONTAMINATIONSSPITZEN
2.3.4
HERSTELLUNG
LATERAL
GESCHRIEBENER
KONTAMINATIONEN
2.3.5
CHARAKTERISIERUNG
VON
KONTAMINATIONSSPITZEN
8
9
10
12
12
14
19
21
24
3.
CHARAKTERISIERUNG
MIT
DEM
KRAFTMIKROSKOP
29
3.1
PROBENREINIGUNG
29
3.2
BELACKEN
30
3.3
BELICHTEN
UND
ENTWICKELN
31
3.4
REINIGUNG
IM
SAUERSTOFFPLASMA
32
3.5
AUFBRINGEN
VON
METALLISIERUNGEN
33
3.6
NASSAETZEN
34
3.7
REAKTIVES
LONENAETZEN
34
3.8
LONENSTRAHLSCHAEDIGUNG
35
4.
LITHOGRAPHIE
MIT
DEM
KRAFTMIKROSKOP
37
4.1
EINLEITUNG
37
4.2
DIE
LITHOGRAPHISCHE
METHODE
38
4.3
LITHOGRAPHIE
VON
FOTOLACK
40
4.4
LITHOGRAPHIE
VON
METALLEN
45
4.5
LITHOGRAPHIE
ANDERER
MATERIALIEN
47
4.6
LITHOGRAPHIE
AN
MEHRSCHICHTSYSTEMEN
48
4.7
DIREKTE
STRUKTURUEBERTRAGUNG
50
5.
HERSTELLUNG
DER
BAUELEMENTE
5.1
HERSTELLUNG
DER
MESASTRUKTUREN
5.1.1
GAAS-ALGAAS
HETEROSTRUKTUREN
5.1.2
INAS-ALSB
QUANTENTOEPFE
5.2
OBERTRAGUNG
DER
MASKE
IN
DAS
ELEKTRONENSYSTEM
5.2.1
NASSAETZEN
5.2.2
LONENSTRAHLSCHAEDIGUNG
5.2.3
LOKALE
STRESSOREN
52
52
53
54
56
56
57
59
6.
ELEKTRONISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
BAUELEMENTE
62
6.1
EINLEITUNG
62
6.2
QUADRATISCHE
ANTIDOTS
KLEINER
PERIODE
63
6.3
ANTIDOTSYSTEME
MIT
KOMPLEXER
BASIS
69
6.4
DICHTEMODULIERTE
SYSTEME
76
6.4.1
INAS-ALSB
QUANTENTOEPFE
77
6.4.2
LOKALE
STRESSOREN
80
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
83
LITERATURVERZEICHNIS
8
5 |
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