Zur Herstellung und elektrischen Charakterisierung von Gate-Oxiden auf Siliziumkarbid:
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| Language: | German |
| Published: |
Aachen
Shaker
1996
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| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Item Description: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
5
2
GRUNDLAGEN
11
2.1
MOS-SYSTEM
.
12
2.1.1
BETRIEBSZUSTAENDE
UND
CV-VERHALTEN
.
12
2.1.2
IV-VERHALTEN
.
15
2.2
DEFEKTE
IM
MOS-SYSTEM
.
16
2.2.1
FESTE
OXIDLADUNGEN
.
16
2.2.2
GRENZFLAECHENZUSTAENDE
.
17
2.2.3
MOBILE
IONEN
.
19
2.2.4
OXIDFANGSTELLEN
.
20
3
SUBSTRATMATERIAL
SIC
UND
PROBENPRAEPARATION
23
3.1
SUBSTRATMATERIAL
SIC
.
23
3.2
OXIDATIONSKINETIK
VON
SIC
.
26
3.3
MOS-KAPAZITAETEN
.
27
3.3.1
REINIGUNG
.
27
3.3.2
OXIDATION
.
28
3.3.3
TEMPERUNG
(POA)
.
28
3.3.4
METALLISIERUNG
.
29
3.4
MOSFET-PROZESS
.
29
2
I
NHALTSVERZEICHNIS
4
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
33
4.1
CV-MESSTECHNIK
.
33
4.1.1
RAUMTEMPERATURMESSUNGEN
.
34
4.1.2
MODELLVORSTELLUNG
.
36
4.1.3
HOCHTEMPERATURMESSUNGEN
.
41
4.1.4
MESSUNG
NACH
BELEUCHTUNG
.
51
4.1.5
RAEUMLICHE
LAGE
DER
OXIDLADUNGEN
.
53
.
4.1.6
SCHLUSSFOLGERUNGEN
FUER
DIE
MESSTECHNIK
.
54
4.2
IV-MESSUNGEN
.
56
4.3
BELASTUNGEN
DURCH
HEISSE
LADUNGSTRAEGER
.
57
4.3.1
FN-INJEKTIONEN
.
57
4.3.2
PHOTOINJEKTIONEN
.
62
4.3.3
LADUNGSBEFREIUNG
AUS
FANGSTELLEN
.
64
4.3.4
ERZEUGUNG
VON
GRENZFLAECHENZUSTAENDEN
.
67
4.3.5
SCHLUSSFOLGERUNGEN
FUER
DIE
MESSTECHNIK
.
68
5
WEITERE
ANALYSEN
ZUM
MOSIC-SYSTEM
71
5.1
TEM-AUFNAHMEN
.
71
5.2
AUGER-TIEFENPROFILE
.
73
5.3
IPE-MESSUNGEN
.
75
6
TECHNOLOGISCHE
EINFLUESSE
77
6.1
SUBSTRATQUALITAET
UND
REINIGUNG
.
78
6.1.1
SUBSTRATQUALITAET
.
78
6.1.2
OBERFLAECHENVORBEHANDLUNG
.
.
.
.
79
6.2
PROZESSTEMPERATUR
.
80
6.3
TEMPEREINFLUESSE
IN
INERTEN
GASEN
.
81
6.3.1
TROCKENOXIDE
AUF
N-DOTIERTEM
SIC
.
82
6.3.2
FEUCHTOXIDE
AUF
N-DOTIERTEM
SIC
.
85
I
NHALTSVERZEICHNIS
3
6.3.3
TROCKENOXIDE
AUF
P-DOTIERTEM
6H-S1C
.
90
6.3.4
FEUCHTOXIDE
AUF
P-DOTIERTEM
6H-SIC
.
91
6.4
TEMPEREINFLUESSE
IN
REAKTIVEN
GASEN
.
95
6.4.1
HOCHTEMPERATURTEMPERUNGEN
IN
H2
UND
H2O
.
95
6.4.2
NIEDERTEMPERATURTEMPERUNGEN
IN
H2
.
103
6.4.3
TEMPERUNGEN
MIT
CH-ANTEIL
.
104
6.5
EINFLUSS
VON
STRAHLENSCHAEDEN
.
106
7
DISKUSSION
111
7.1
OXIDE
AUF
P
UND
N-SIC
.
111
7.2
DEFEKTE
UND
PASSIVIERUNG
.
112
7.2.1
GRENZFLAECHENZUSTAENDE
.
113
7.2.2
FESTE
OXIDLADUNGEN
.
114
7.2.3
OXIDFANGSTELLEN
.
115
7.3
DEFEKTURSACHEN
.
117
7.4
VERGLEICH
ZU
OXIDEN
AUF
SI
.
120
7.5
SCHLUSSFOLGERUNGEN
FUER
DEN
TRANSISTORPROZESS
.
121
8
BETRIEB
IM
MOSFET
123
9
ZUSAMMENFASSUNG
131
10
AUSBLICK
135
LITERATURVERZEICHNIS
137
A
FORMELZEICHEN
UND
ABKUERZUNGEN
147
A.L
NATURKONSTANTEN
.
150
A.2
MATERIALPARAMETER
VON
6H-SIC
.
150
4
I
NHALTSVERZEICHNIS
B
MESSTECHNIK
151
B.0.1
CV-MESSTECHNIKEN
.
151
B.0.2
INJEKTIONSMESSTECHNIK
.
153
C
TECHNOLOGIE
155
C.L
SAEUREN
UND
LOESUNGEN
.
155
C.1.1
STANDARDISIERTE
NASSCHEMISCHE
REINIGUNG
(SNC)
.
155
C.1.2
AETZLOESUNGEN
.
156
C.2
POLY-SI-KONTAKTE
.
156
C.3
PROBEN
MIT
FELDOXID
UND
NITRIDSCHICHT
.
157
C.4
MASKEN
ZUM
MOSFET-PROZESS
.
158 |
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