Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI Verl.
1996
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
234 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | XI, 143 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3183234092 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV010923208 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19961216 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 960902s1996 d||| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 94831818X |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3183234092 |9 3-18-323409-2 | ||
| 035 | |a (OCoLC)75778269 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV010923208 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-29T |a DE-210 |a DE-83 | ||
| 084 | |a ELT 280d |2 stub | ||
| 084 | |a ELT 321d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Strähle, Silvia |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung |c Silvia Strähle |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI Verl. |c 1996 | |
| 300 | |a XI, 143 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |v 234 | |
| 502 | |a Zugl.: Ulm, Univ., Diss. | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Indiumphosphid |0 (DE-588)4161535-9 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a HEMT |0 (DE-588)4211873-6 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 810 | 2 | |a 9] |t Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI |v 234 |w (DE-604)BV047505631 |9 234 | |
| 856 | 4 | 2 | |m HBZ Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007306565&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007306565 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804125413825314816 |
|---|---|
| adam_text | Titel: Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkun
Autor: Strähle, Silvia
Jahr: 1996
V INHALTSVERZEICHNIS Seite LISTE DER SYMBOLE..........................................................................................VIII 1. EINLEITUNG UND MOTIVATION.....................................................................1 2. WIRKUNGSWEISE DES HETEROSTRUKTURFELDEFFEKT TRANSISTORS.......................................................................................................5 2.1. Eindimensionales Ladungsträger-KontroUmodell............................................5 2.2. Die Strom-Spannungsbeziehung des HEMTs................................................10 2.3. Modell zur Beschreibung des Hochfrequenzverhaltens..................................16 3. AUFBAU UND ANALYSE DER EPITAXIESTRUKTUREN............................21 3.1. Aufbau der Epitaxiestrukturen.......................................................................21 3.1.1. Kontaktschicht.................................................................................22 3.1.1.1. Theoretische Betrachtungen.................................................22 3.1.1.2. Variation der Kontaktschichten............................................25 3.1.2. Schottkyschicht...............................................................................28 3.1.3. Dotierschicht...................................................................................29 3.1.3.1. Dotierprofil..........................................................................29 3.1.3.2. Dotierdichte.........................................................................30 3.1.3.3. Ort der Dotierung................................................................30 3.1.3.4. Probenserien........................................................................32 3.1.4. Spacer..............................................................................................34 3.1.5.
Kanal...............................................................................................35 3.1.5.1. Kanaikonfigurationen..........................................................37 3.1.6. Puffer..............................................................................................39 4. HERSTELLUNG DER TRANSISTOREN..........................................................41 4.1. Prinzipielle Technologieschritte....................................................................41 4.2. MESA...........................................................................................................42 4.3. Ohmsche Kontakte........................................................................................45 4.3.1. Optimierung der Ohmschen Kontakte..............................................45 4.3.1.1. Einfluß der Legiertemperatur und Legierzeit auf den Kontaktwiderstand........................................................46 4.3.1.2. Einfluß der Reinigungsschritte auf den Kontaktwiderstand ..48
VI 4.3.1.3. Einfluß der Metalle auf den Kontaktwiderstand...................50 4.4. Gatekontakt und Rezeß..................................................................................52 4.4.1. Variation des Gaterezeß...................................................................52 4.4.1.1. Theoretische Abschätzung...................................................52 4.4.1.2. Technologie.........................................................................54 5. CHARAKTERISIERUNG DER GLEICHSTROMEIGENSCHAFTEN...........61 5.1. Ausgangskennlinienfeld................................................................................62 5.2. Steilheitsverlauf.............................................................................................66 5.3. Gatediodencharakteristik und Durchbruchverhalten.......................................69 5.3.1. Änderung des Al-Gehalt in der AlInAs Schottkyschicht..................71 5.3.2. Änderung der Rezeßtechnologie......................................................72 5.3.3. Änderung des lateralen Rezeß..........................................................73 6. HOCHFREQUENZANALYSE DER TRANSISTOREN....................................75 6.1. Hochfrequenzmessung...................................................................................75 6.2. Extraktion der Kleinsignal-Ersatzschaltbildgrößen........................................76 6.2.1. Bestimmung der parasitären Padkapazitäten....................................78 6.2.2. Bestimmung der parasitären Induktivitäten und Widerstände.....................................................................................78 6.2.3. Bestimmung der intrinsischen Kleinsignalgrößen............................79 6.3. Bestimmung der Verstärkung und Grenzfrequenzen......................................84 6.3.1. Stromverstärkung h 2 i und Grenzfrequenz f t ....................................84 6.3.2.
Maximal verfügbare Verstärkung MAG und maximal verfügbare stabile Verstärkung MSG...............................................84 6.3.3. Die maximale unilaterale Verstärkung MUG...................................86 6.4. Analyse der Transistoren...............................................................................87 7. DISKUSSION DER ERGEBNISSE......................................................................98 7.1. Vergleich der Transistoren............................................................................98 7.2. Drift-Modell................................................................................................103 8. ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK.......................................................109 Ausblick.............................................................................................................111
vn ANHANG...................................................................................................................112 ANHANG A......................................................................................................112 Schichtaufbauten.......................................................................................112 Standard HEMT Struktur.................................................................112 Doppelseitig dotierte HEMT-Struktur..............................................113 GalnAs/InP Subkanal HFET-Struktur..............................................114 Serie kanaldotierter HFET-Strukturen..............................................115 ANHANG B......................................................................................................116 Bestimmung der Ätzraten der selektiven Ätze für GalnAs und AlInAs......................................................................................................116 Bestimmung der Ätzraten für GalnAs, AlInAs und InP.............................117 ANHANG C......................................................................................................119 Optischer Zweilagenlackprozeß für Lift-Off-Profile..................................119 ANHANG D......................................................................................................122 Bestimmung der parasitären Padkapazitäten..............................................122 Bestimmung der parasitären Induktivitäten und Widerstände....................122 Bestimmung der intrinsischen Kleinsignalgrößen......................................123 LITERATURLISTE 127
|
| any_adam_object | 1 |
| author | Strähle, Silvia |
| author_facet | Strähle, Silvia |
| author_role | aut |
| author_sort | Strähle, Silvia |
| author_variant | s s ss |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV010923208 |
| classification_tum | ELT 280d ELT 321d |
| ctrlnum | (OCoLC)75778269 (DE-599)BVBBV010923208 |
| discipline | Elektrotechnik |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01747nam a2200421 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV010923208</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19961216 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">960902s1996 d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">94831818X</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3183234092</subfield><subfield code="9">3-18-323409-2</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75778269</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010923208</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 321d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Strähle, Silvia</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung</subfield><subfield code="c">Silvia Strähle</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI Verl.</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XI, 143 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]</subfield><subfield code="v">234</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Ulm, Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Indiumphosphid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4161535-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">HEMT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4211873-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">9]</subfield><subfield code="t">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">234</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">234</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">HBZ Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007306565&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007306565</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV010923208 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T18:01:10Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3183234092 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007306565 |
| oclc_num | 75778269 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-210 DE-83 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-210 DE-83 |
| physical | XI, 143 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | VDI Verl. |
| record_format | marc |
| series2 | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |
| spelling | Strähle, Silvia Verfasser aut Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Silvia Strähle Als Ms. gedr. Düsseldorf VDI Verl. 1996 XI, 143 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 234 Zugl.: Ulm, Univ., Diss. Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd rswk-swf HEMT (DE-588)4211873-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 s HEMT (DE-588)4211873-6 s DE-604 9] Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI 234 (DE-604)BV047505631 234 HBZ Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007306565&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Strähle, Silvia Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4161535-9 (DE-588)4211873-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung |
| title_auth | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung |
| title_exact_search | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung |
| title_full | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Silvia Strähle |
| title_fullStr | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Silvia Strähle |
| title_full_unstemmed | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Silvia Strähle |
| title_short | Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung |
| title_sort | entwurf und technologie von heterostrukturfeldeffekttransistoren auf inp basis mit hohem verstarkungsbandbreiteprodukt bei hoher leistungsverstarkung |
| topic | Indiumphosphid (DE-588)4161535-9 gnd HEMT (DE-588)4211873-6 gnd |
| topic_facet | Indiumphosphid HEMT Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007306565&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV047505631 |
| work_keys_str_mv | AT strahlesilvia entwurfundtechnologievonheterostrukturfeldeffekttransistorenaufinpbasismithohemverstarkungsbandbreiteproduktbeihoherleistungsverstarkung |