Elektrochemische Kupferabscheidung an n-Galliumarsenid(001): Untersuchungen mit differentieller Reflexionsspektroskopie, in-situ-Rastertunnelmikroskopie und in-situ-Oberflächenröntgenbeugung
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INHALTSVERZEICHNIS
INHALTSVERZEICHNIS
1
EINFUEHRUNG
.
1
2
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
.
4
2.1
ELEKTROCHEMIE
AN
HALBLEITERN
.
4
2.1.1
ENERGIEBAENDER
IN
HALBLEITER
UND
ELEKTROLYT
.
4
2.1.2
DIE
PHASENGRENZE
N-HALBLEITER/ELEKTROLYT
.
11
2.2
DIFFERENTIELLE
REFLEXIONSSPEKTROSKOPIE
.
16
2.3
RASTERTUNNELMIKROSKOPIE
.
18
2.4 ROENTGENBEUGUNG
AN
OBERFLAECHEN
.
23
3
EXPERIMENTELLES
.
30
3.1
PROBENMATERIAL
.
30
3.2
POTENTIOSTATISCHES
MESSVERFAHREN
.
30
3.3
VOLTAMMETRISCH/OPTISCHE
MESSUNGEN
.
32
3.4
IN-SITA-STM-MESSUNGEN
.
37
3.5
IN-SIM-SXRD-MESSUNGEN
.
40
3.6 CHEMIKALIENVERZEICHNIS
.
46
INHALTSVERZEICHNIS
4
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
.
47
4.1
VOLTAMMETRISCH/OPTISCHE
UNTERSUCHUNGEN
.
47
4.1.1
N-GAAS
IM
ELEKTROLYTEN
.
47
YY4.1.2
REFLEXIONSEIGENSCHAFTEN
VON
CU
AUF
GAAS
.
51
4.1.3
KUPFERABSCHEIDUNG
DURCH
ZYKLISCHE
VOLTAMMETRIE
.
54
4.1.4
KUPFERABSCHEIDUNG
DURCH
SPRUNGPOLARISATION
.
66
4.1.5
ZUSAMMENFASSUNG
.
71
4.2
RN-.SIM-STM-UNTERSUCHUNGEN
.
72
4.2.1
TOPOGRAPHIE
DER
N-GAAS(001)-FLAECHE
IM
ELEKTROLYTEN
.
72
4.2.2
M-.SITU-STM-MESSUNGEN
ZUR
KUPFERABSCHEIDUNG
AN
N-GAAS(OOL)
.
79
4.2.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
84
4.3
M-.SIRN-SXRD-UNTERSUCHUNGEN.
85
4.3.1
CHARAKTERISIERUNG
DER
N-GAAS(001)-FLAECHE
IN
SCHWEFELSAEURE
.
85
4.3.2
UNTERSUCHUNG
ELEKTROCHEMISCH
ABGESCHIEDENER
KUPFERFILME
.
92
4.3.3
ZUSAMMENFASSUNG
.
101
5
ABSCHLUSSBETRACHTUNG
UND
AUSBLICK
.
103
LITERATURVERZEICHNIS
.
106
DANKSAGUNG
LEBENSLAUF |
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