VLSI-Entwurf: Modelle und Schaltungen ; mit 15 Tabellen, 14 Beispielen und 77 Aufgaben
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
München [u.a.]
Oldenbourg
1996
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| Ausgabe: | 3., durchges. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Einführung in die Nachrichtentechnik
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 456 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3486238701 |
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|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS FORMELZEICHEN UND SYMBOLE 13 UMRECHNUNGSFAKTOREN UND
KONSTANTEN 16 1.0 GRUNDLAGEN DER HALBLEITERPHYSIK 17 1.1 THEORIE DES
BAENDERMODELLS 17 1.2 DOTIERTE HALBLEITER 22 1.3 GLEICHUNGEN FUER DEN
HALBLEITER IM THERMODYN. GLEICHGEWICHT 24 1.3.1
FERMI-VERTEILUNGSFUNKTION 24 1.3-2 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION IM
THERMODYN. GLEICHGEWICHT 27 1.3.3 DAS DICHTEPRODUKT IM THERMODYN.
GLEICHGEWICHT 29 1.3.4 ELEKTRONENENERGIE, SPANNUNG UND ELEKTRISCHE
FELDSTAERKE 33 1.4 LADUNGSTRAEGERTRANSPORT 36 1.4.1 DRIFTGESCHWINDIGKEIT
36 1.4.2 DRIFTSTROM 38 1.4.3 DIFFUSIONSSTROM 4L 1.4.4
KONTINUITAETSGLEICHUNG 42 1.5 STOERUNGEN DES THERMODYN. GLEICHGEWICHTS 44
UEBUNGEN 52 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN 54 LITERATURHINWEISE 55 2.0 DIE
DIODE 56 2.1 INHOMOGENER N-TYP-HALBLEITER 56 2.2 DER PN-UEBERGANG IM
THERMODYN. GLEICHGEWICHT 58 2.3 DIE PN-DIODE BEI ANLEGEN EINER SPANNUNG
60 2.3.1 DIE PN-DIODE IN DURCHLASSRICHTUNG 6L 2.3.2 DIE PN-DIODE IN
SPERRICHTUNG 63 2.3.3 DAS DICHTEPRODUKT BEI ABWEICHUNGEN
V.THERMODYN.GLEICHGEWICHT. 65 2.4 PN-DIODENGLEICHUNG 67 2.4.1 IDEALE
DIODENGLEICHUNG 67 2.4.2 ABWEICHUNGEN VON DER IDEALEN DIODENGLEICHUNG 70
2.4.3 SPANNUNGSBEZUGSPUNKT 73 2.5 KAPAZITAETSVERHALTEN DES PN-UEBERGANGS
74 2.5.1 SPERRSCHICHTKAPAZITAET 74 2.5.2 DIFFUSIONSKAPAZITAET 80 2.6
MODELLIERUNG DER PN-DIODE 85 2.6.1 DYNAMISCHES
GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 86 2.6.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 90
2.6.3 DIODENMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN 92 2.7 SCHALTVERHALTEN DER
PN-DIODE 93 2.8 TEMPERATURVERHALTEN 95 2.9 DURCHBRUCHVERHALTEN 96 2.10
METALL-HALBLEITER-UEBERGANG 98 2.10.1 SCHOTTKY-DIODE 99 2.10.2 OHMSCHE
KONTAKTE 105 UEBUNGEN 107 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN 110
LITERATURHINWEISE 111 3.0 BIPOLARER TRANSISTOR 112 3.1 WIRKUNGSWEISE DES
BIPOLAREN TRANSISTORS 112 3.1.1 TRANSISTOR IM NORMALEN VERSTAERKERBETRIEB
116 3.1.2 TRANSISTOR IM INVERSEN VERSTAERKERBETRIEB 123 3.1.3 TRANSISTOR
IM NORMALEN SAETTIGUNGSBETRIEB 127 3.2 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG 130 3.2.1
ABHAENGIGKEIT DER STROMVERSTAERKUNG VOM ARBEITSPUNKT 130 3.2.2
BASISWEITENMODULATION 134 3.2.3 EMITTERRANDVERDRAENGUNG 138 3-2.4
TEMPERATURVERHALTEN 141 3.2.5 DURCHBRUCHVERHALTEN 143 3.3 MODELLIERUNG
DES BIPOLAREN TRANSISTORS 146 3-3.1 DYNAMISCHES
GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 146 3.3.2 KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 150
3.4 TRANSISTORMODELL FUER CAD-ANWENDUNGEN 159 3.4.1 MODELLRAHMEN 159
3.4.2 TRANSPORTMODELL 162 3.4.3 GUMMEL-POON-MODELL 163 UEBUNGEN 17^1 DIE
WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN 177 LITERATURHINWEISE 179 4.0 INTEGRIERTE
BIPOLARE SCHALTUNGEN L8L 4.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN BIPOLAREN
SCHALTUNG 181 4.2 TRANSISTORSTRUKTUREN 187 4.2.1 ZUSAMMENFASSUNG
MEHRERER NPN-TRANSISTOREN 187 4.2.2 PNP-TRANSISTOR 188 4.3 PASSIVE
BAUELEMENTE 190 4.3.1 WIDERSTAENDE 191 4.3-2 KONDENSATOREN 195 4.3.3
DIODEN 197 4.4 BIPOLARER INVERTER 199 4.4.1 STOERABSTAND BEIM INVERTER
201 4.4.2 SCHALTVERHALTEN DES INVERTERS 204 4.4.3 UNGESAETTIGTER INVERTER
207 4.5 GESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN 208 4.5.1 TRANSISTOR-TRANSISTOR
LOGIK (TTL) 211 4.6 UNGESAETTIGTE GATTERSCHALTUNGEN 213 4.6.1
SCHOTTKY-TTL 213 4.6.2 CML-SCHALTUNGEN 215 4.6.3 ECL-SCHALTUNGEN 220
UEBUNGEN 227 DIE WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN 229 LITERATURHINWEISE 230 5.0
FELDEFFEKTTRANSISTOR 231 5.1 MOS-STRUKTUR 231 5.1.1 CHARAKTERISTIK DER
MOS-STRUKTUR 233 5.1.2 KAPAZITAETSVERHALTEN DER MOS-STRUKTUR 236 5.1.3
FLACHBANDSPANNUNG 238 5-1.4 GLEICHUNGEN DER MOS-STRUKTUR 243 5.1.4.1
LADUNG IN DER RAUMLADUNGSZONE 243 5.1.4.2 LADUNG IN DER
INVERSIONSSCHICHT. 245 5.1.4.3 EINSATZSPANNUNG 251 5.2 WIRKUNGSWEISE DES
MOS-TRANSISTORS * 253 5.2.1 ABLEITUNG DER TRANSISTORGLEICHUNGEN 254
5.2.2 GENAUERE TRANSISTORGLEICHUNGEN . 259 5. 3 EFFEKTE ZWEITER ORDNUNG
260 5.3-1 BEWEGLICHKEITSDEGRADATION 26L 5-3-2 KANALLAENGENMODULATION 262
5-3-3 EINSATZSPANNUNGSVERAENDERUNG BEI KLEINEN GEOMETRIEN 265 5-3-4
MOS-TRANSISTOR BEI SCHWACHER INVERSION 269 5-3-5 IMPLANTIERTE
MOS-TRANSISTOREN 271 5-3-6 TEMPERATURVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS 273
5-3-7 DURCHBRUCHVERHALTEN DES MOS-TRANSISTORS 274 5-3-8 BIPOLAREFFEKTE
BEI MOS-TRANSISTOREN 276 5-4 MODELLIERUNG DES MOS-TRANSISTORS 280 5-4.1
DYNAMISCHES GROSSSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 280 5-4.2
KLEINSIGNAL-ERSATZSCHALTBILD 283 5-5 TRANSISTORMODELL FUER
CAD-ANWENDUNGEN 286 5-5-1 MODELLRAHMEN 286 5-5-2 INNERES
TRANSISTORMODELL 288 5-5-3 LADUNGSMODELL DES INNEREN TRANSISTORS 291
5-5-4 BESTIMMUNG DER MODELLPARAMETER 293 5 - 6 SONDERBAUELEMENTE . 296
5.6.1 LADUNGSVERSCHIEBEELEMENTE 296 5.6.2 EIN-TRANSISTOR-SPEICHERZELLE
298 5.6.3 NICHTFLUECHTIGE SPEICHERZELLEN 301 UEBUNGEN 304 DIE WICHTIGSTEN
BEZIEHUNGEN 308 LITERATURHINWEISE 309 6.0 GRUNDLAGEN INTEGRIERTER
MOS-SCHALTUNGEN 312 6.1 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN CMOS-SCHALTUNG
312 6.2 HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN NMOS-SCHALTUNG 320 6.3
GEOMETRISCHE ENTWURFSREGELN 320 6.4 ELEKTRISCHE ENTWURFSREGELN 323 6.5
CAD-WERKZEUGE BEIM PHYSIKALISCHEN ENTWURF INTEGR. SCHALTUNGEN 325 6.6
MOS-INVERTER 327 6.6.1 NMOS-INVERTER 329 6.6.2 CMOS-INVERTER 333 6.6.3
SCHALTVERHALTEN DER NMOS-INVERTER 339 6.6.4 SCHALTVERHALTEN DER
CMOS-INVERTER 344 6.6.5 DIMENSIONIERUNG DER MOS-INVERTER 3^6 6.7
TREIBERSCHALTUNGEN 349 6.8 TRANSFER-ELEMENTE 356 UEBUNGEN 357 DIE
WICHTIGSTEN BEZIEHUNGEN 362 LITERATURHINWEISE 363 7.0 SCHALTNETZE UND
SCHALTWERKE IN CMOS-TECHNIK 364 7.1 STATISCHE SCHALTNETZE 364 7.1.1
STATISCHE GATTERSCHALTUNGEN 365 7.1.2 LAYOUT STATISCHER
GATTERSCHALTUNGEN 368 7.1.3 TRANSFER - GATTERSCHALTUNGEN 371 7.2
GETAKTETE SCHALTNETZE 374 7.2.1 GETAKTETE GATTERSCHALTUNGEN (C 2 MOS)
375 7.2.2 DOMINOSCHALTUNGEN 377 7.2.3 MODIFIZIERTE DOMINOSCHALTUNG
(NORA) 379 7.2.4 DIFFERENTIELL KASKADIERTE SCHALTUNG (DCVS) 382 7.2.5
SCHALTVERHALTEN DER GATTER 383 7.3 LOGISCHE FELDER 385 7.3.1 DEKODER 386
7.3*2 PROGRAMMIERBARE LOGIKANORDNUNG (PLA) 390 7.4 SCHALTWERKE 392 7.4.1
FLIPFLOPS 393 7.4.2 REGISTER UND ZAEHLER 396 7.4.3 MOS-SPEICHER 399
UEBUNGEN 415 LITERATURHINWEISE 420 8.0 INTEGRIERTE BICMOS-SCHAL TUNGEN
422 8.1 HERSTELLUNG EINER BICMOS-SCHALTUNG 422 8.2 VERGLEICH VON CMOS-
UND BIPOLARGATTERN 424 8.3 BICMOS-TREIBER UND -GATTER 427 8.4
BANDABSTANDS-REFERENZSPANNUNG 432 8.5 ECL-PERIPHERIESCHALTUNGEN 440 8.6
STATISCHE BICMOS-SPEICHER 444 UEBUNGEN 448 LITERATURHINWEISE 450
SACHREGISTER 452
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