Magnetisierungsverhalten austauschgekoppelter Schichtsysteme für die magneto-optische Datenspeicherung:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1995
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INHALTVERZEICHNIS
INHALTVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
STAND
DER
TECHNIK
1
1.2
MOTIVATION,
ZIELSETZUNG
UND
VORGEHENSWEISE
3
2
DIE
MAGNETO-OPTISCHE
DATENSPEICHERUNG
6
2.1
DER
SPEICHERVORGANG
6
2.2
EIGENSCHAFT
DER
RE/TM
SPEICHERSCHICHTEN
8
2.2.1
STRUKTUR
8
2.2.2
ANISOTROPIE
9
2.2.3
MAGNETISCHE
EIGENSCHAFTEN
12
2.2.4
MAGNETO-OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
1
4
2.3
GRUNDZUEGE
DER
RE/TM
DOPPELSCHICHTEN
16
3
SCHICHTHERSTELLUNG
18
3.1
SPUTTERPROZESSE
18
3.1.1
DER
DC-SPUTTERPROZESS
18
3.1.2
DER
HF-SPUTTERPROZESS
19
3.1.3
DER
REAKTIVE
SPUTTERPROZESS
19
3.2
HERSTELLUNG
DER
TB/FE-TB/FECO
DOPPELSCHICHTEN
21
3.2.1
TARGET
UND
SUBSTRAT-KONFIGURATION
21
3.2.2
ABLAUF
DES
HERSTELLUNGSPROZESSES
21
3.3
MODIFIZIERUNG
DES
SUBSTRATHALTERS
22
4
DAS
KERRMAGNETOMETER
26
4.1
DER
MAGNETO-OPTISCHE
KERR-EFFEKT
26
4.2
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
DES
KERR-MAGNETOMETERS
27
4.3
VERSTAERKUNG
DES
KERR-SIGNALS
DURCH
ENTSPIEGELUNG
28
5
ANALYSE
DES
UMMAGNETISIERUNGSVERHALTENS
AUSTAUSCHGEKOPPELTER
RE/TM
DOPPELSCHICHTEN
30
5.1
UMMAGNETISIERUNGSPROZESS
EINER
RE/TM
EINZELSCHICHT
30
5.2
SCHALTVERHALTEN
ANTIPARALLEL
GEKOPPELTER
DOPPELSCHICHTEN
32
5.2.1
PRINZIPIELLES
VERHALTEN
32
5.2.2
BESTIMMUNG
DER
SCHALTFELDER
DURCH
PARTIELLES
UMMAGNETISIEREN
37
5.2.3
BESTIMMUNG
DER
SCHALTFELDER
DURCH
VOLLSTAENDIGES
UMMAGNETISIEREN
40
INHALTVERZEICHNIS
II
5.3
SCHALTVERHALTEN
PARALLEL
GEKOPPELTER
DOPPELSCHICHTEN
44
5.3.1
PRINZIPIELLES
VERHALTEN
44
5.3.2
BESTIMMUNG
DER
SCHALTFELDER
DURCH
VOLLSTAENDIGES
UMMAGNETISIEREN
46
5.3.3
BESTIMMUNG
DER
SCHALTFELDER
DURCH
PARTIELLES
UMMAGNETISIEREN
48
5.4
SCHALTVERHALTEN
VON
SCHICHTEN
MIT
KOMPENSATIONSPUNKT
50
5.4.1
VERHALTEN
VON
ETNZELSCHICHTEN
MIT
KOMPENSATIONSPUNKT
50
5.4.2
PRINZIPIELLES
VERHALTEN
VON
DOPPELSCHICHTEN
MIT
KOMPENSATIONSPUNKT
51
5.4.3
SCHALTFELD-BESTIMMUNG
EINER
DOPPELSCHICHT
MIT
SCHWACHER
KOPPLUNG
53
5.4.4
SCHALTFELD-BESTIMMUNG
EINER
DOPPELSCHICHT
MIT
STARKER
KOPPLUNG
56
6
ENTWICKLUNG
EINES
SCHALTFELD-DIAGRAMM-FORMALISMUS
61
7
ANWENDUNG
DES
FORMALISMUS
AUF
DEN
"DIRECT
OVERWRITE"-PROZESS
(DOW)
68
7.1
DOW
BEI
ANTIPARALLELER
KOPPLUNG
70
7.1.1
DER
INITTALISIERUNGSPROZESS
BEI
ANTIPARALLELER
KOPPLUNG
72
7.1.2
DIE
SCHREIBTEMPERATURZYKLEN
BEI
ANTIPARALLELER
KOPPLUNG
75
7.2
DOW
BEI
PARALLELER
KOPPLUNG
79
7.2.1
DER
INITTALISIERUNGSPROZESS
BEI
PARALLELER
KOPPLUNG
81
7.2.2
DIE
SCHREIBTEMPERATURZYKLEN
BEI
PARALLELER
KOPPLUNG
83
7.3
WEITERE
DOW-FAEHIGE
DOPPELSCHICHTKONFIGURATIONEN
85
7.3.1
DER
DOW-PROZESS
BEI
DOPPELSCHICHTEN
MIT
KOMPENSATIONSPUNKT
85
7.3.2
EIN
MODIFIZIERTER
DOW-PROZESS
91
7.3.3
DER
DOW-PROZESS
BEI
VIERFACHSCHICHTEN
93
8
EXPERIMENTE
ZUR
SCHICHTOPTIMIERUNG
97
8.1
KRITERIEN
FUER
DIE
WAHL
DER
UNTERSUCHUNGSMETHODE
97
8.2
EINSTELLUNG
DER
MAGNETISCHEN
SCHICHTPARAMETER
ZUR
HERSTELLUNG
EINER
ANTIPARALLEL
GEKOPPELTEN
DOPPELSCHICHT
100
8.2.1
VARIATION
DER
SPUTCERPARAMETER
102
8.2.2
VARIATION
DER
TARGET-BELEGUNG
104
8.3
UEBERPRUEFUNG
DER
SCHICHTHOMOGENITAET
105
8.4
HERSTELLUNG
UND
UNTERSUCHUNG
VON
DOPPELSCHICHTEN
MIT
KOMPENSATIONSPUNKT
109
9
EXPERIMENTELLE
DEMONSTRATION
DES
DOW-PROZESSES
112
9.1
AUFBAU
DES
"SCANNING
LASER
MICROSCOPE"
(SLM)
112
9.2
SCHREIBEXPERIMENTE
AN
EINZELSCHICHTEN
114
9.3
SCHREIBEXPERIMENTE
AN
DOPPELSCHICHTEN
115
9.3.1
SCHREIBEN
MIT
KONTINUIERLICHER
LASERLEISTUNG
115
9.3.2
SCHREIBEN
MIT
GEPULSTER
LASERLEISTUNG
118
INHALTVERZEICHNIS
III
10
OPTIMIERUNG
VON
DOPPELSCHICHTEN
DURCH
VIELLAGENSTRUKTUREN
122
10.1
AUFBAU
DER
"FACE-TO-FACE"
SPUTTERANLAGE
122
10.2
HERSTELLUNG
UND
UNTERSUCHUNG
VON
VIELLAGEN-''EINZELSCHICHTEN"
123
10.3
HERSTELLUNG
UND
UNTERSUCHUNG
VON
VIELLAGEN-"DOPPELSCHICHTEN"
125
11
ANWENDUNG
DES
FORMALISMUS
AUF
DAS
"MAGNETICALLY
INDUCED
SUPERRESOLUTION"-VERFAHREN
(MSR)
128
11.1
ERZEUGUNG
VON
BITS
KLEINER
ALS
DER
LASERSPOT
129
11.2
AUSLESEN
DER
DATEN
MIT
DER
METHODE
"MSR
BY
FAD"
130
11.3
AUSLESEN
DER
DATEN
MIT
DER
METHODE
"MSR
BY
RAD"
133
11.4
CHARAKTERISTISCHER
SCHALTFELDVERLAUF
"MSR
BY
FAD"
-TAUGLICHER
DOPPELSCHICHTEN
135
12
DER
EINFLUSS
VON
STICKSTOFF-UEBERSCHUSS
IN
SIN-ABDECKUNGEN
AUF
DIE
MAGNETISCHEN
SCHICHTEN
139
12.1
NACHWEIS
EINER
N-TB
REAKTION
MITTELS
KERR-HYSTERESEN
140
12.2
NACHWEIS
EINER
N-TB
REAKTION
MITTELS
WINKELABHAENGIGER
KERR-MESSUNGEN
144
13
AUSBLICK
-
KONTROLLE
DER
DEPOSITIONSTEMPERATUR
147
14
ZUSAMMENFASSUNG
150
15
LITERATURVERZEICHNIS
152
TAGUNGSBEITRAEGE/VEROEFFENTLICHUNGEN
162 |
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