Potentialtöpfe und kurzperiodische Übergitter: GaInAs(P)InP-Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren und elektrooptische Modulatoren
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1995 |
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INHALT:
1.
EINLEITUNG
UND
ZIELSETZUNG
YY
2.
GRUNDLEGENDE
BETRACHTUNGEN
ZU
HALBLEITER-GRENZFLAECHEN
5
2.1
DIE
IDEALE
GRENZFLAECHE
5
2.2
EIGENSCHAFTEN
REALER
INP/GALNAS-GRENZFLAECHEN
7
3.
ANFORDERUNG
AN
DIE
EIGENSCHAFTEN
DER
HETEROSTRUKTUREN
11
3.1
STREUUNG
VON
EXZITONEN
AN
GRENZFLAECHEN
H
3.2
MINIBAENDER
IN
HALBLEITERUEBERGITTERN:
DER
WANNIER-STARK-EFFEKT
12
3.3
STREUUNG
VON
ELEKTRONEN
AN
GRENZFLAECHEN
16
4.
CHARAKTERISIERUNG
VON
GRENZFLAECHENEIGENSCHAFTEN
20
4.1
PHOTOLUMINESZENZSPEKTROSKOPIE
20
4.2
ROENTGENBEUGUNG
23
4.3
RAMAN-SPEKTROSKOPIE
26
4.4
KAPAZITAETS-SPANNUNGS-MESSUNGEN
26
5.
GRENZFLAECHENUNSCHAERFE
VON
INP/GALNAS/INP-HETEROUEBERGAENGEN
29
5.1
ABHAENGIGKEIT
DER
INASP-BILDUNG
VON
DEN
EPITAXIEPARAMETEM
31
5.2
EINFLUSS
DER
HYDRID-SPUELZEITEN
AUF
DIE
ZWISCHENSCHICHTBILDUNG
37
5.3
BEDEUTUNG
DER
H
2
-SPUELZEITEN
FUER
DIE
GRENZFLAECHENEIGENSCHAFTEN
44
6.
ELEKTRONENTRANSPORT
IN
INP/GALNAS-HETEROSTRUKTUREN
51
6.1
ABHAENGIGKEIT
DER
TRANSPORTEIGENSCHAFTEN
VON
DEN
HYDRIDSPUELZEITEN
53
6.2
EINFLUSS
DER
H
2
-SPUELZEITEN
AUF
DEN
LADUNGSTRAEGERTRANSPORT
61
6.3
BEDEUTUNG
DER
GRENZFLAECHENEIGENSCHAFTEN
FUER
DIE
FUNKTION
VON
HETEROFELDEFFEKTTRANSISTOREN
65
6.3.1
EINFLUSS
DER
GRENZFLAECHENEIGENSCHAFTEN
AUF
STEILHEITEN
(G
M
)
UND
TRANSITFREQUENZEN
(F
T
)
66
6.3.2
BEDEUTUNG
DER
GRENZFLAECHEN
FUER
DAS
NIEDERFREQUENZRAUSCHEN
68
6.4
RAUHIGKEIT,
KOMPOSITION
UND
DEFEKTDICHTE
DES
INP/GALNAS
71
UND
GALNAS/INP-HETEROUEBERGANGES
7.
ABSCHEIDUNG
VON
UEBERGITTEM
FUER
ELEKTROOPTISCHE
MODULATOREN
74
7.1
INP/GALNAS-UEBERGITTER
74
7.2
UMGEHUNG
DES
GRENZFLAECHENPROBLEMS:
GA^IN^AS/GAYLN^AS-UEBERGITTER
89
7.3
EINFLUSS
DER
BARRIERENPARAMETER
AUF
DIE
EIGENSCHAFTEN
DER
UEBERGITTER
98
7.4
VERBESSERUNG
DER
PROBENQUALITAET
DURCH
VERSPANNUNGSKOMPENSATION
101
7.5
UEBERGITTER
AUS
GAJN^ASJYYGAYLN^ASJP^
107
7.5.1
EINFLUSS
DES
AS/P-VERHAELTNISSES
AUF
DIE
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
109
DER
UEBERGITTER
7.5.2
EINFLUSS
DER
WACHSTUMSPARAMETER
AUF
DIE
EIGENSCHAFTEN
DER
UEBERGITTER
111
8.
ZUSAMMENFASSUNG
117
9.
LITERATURVERZEICHNIS
12Q
/
ANHANG:
DIE
MOVPE-APPARATUR
135
HERSTELLUNG
DER
HETEROSTRUKTUREN
137
TABELLE
DER
MATERIALPARAMETER
138
DIE
PHOTOLUMINESZENZAPPARATUR
138
DIE
RAMANAPPARATUR
139
ROENTGENBEUGUNG
,
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