Herstellung und Dotierung von Galliumarsenid-Strukturen mittels Flüssigphasenepitaxie und Charakterisierung der Minoritätsladungsträger-Eigenschaften im Hinblick auf Solarzellen:
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1995
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
PROZESSTECHNOLOGIE
3
2.1
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
.
3
2.1.1
GRUNDLAGEN
DER
FLUESSIGPHASENEPITAXIE
.
3
2.1.2
WACHSTUMSTECHNIKEN
.
4
2.1.3
SCHMELZENZUSAMMENSETZUNG
.
6
2.1.4
ERSTELLEN
DER
EINWAAGEN
.
8
2.1.5
EPITAXIEANLAGE
.
9
2.1.6
BESCHREIBUNG
DES
LPE-SCHIFFCHENS
.
9
2.1.7
EPITAXIEPROZESS
.
11
2.2
STRUKTUR
UND
POLITURAETZEN
.
13
2.3
PHOTOLITHOGRAPHIE
.
14
2.4
KONTAKTIERUNG
.
16
2.5
SAEGEN
UND
EINHAEUSEN
.
16
3
PROBENCHARAKTERISIERUNG
17
3.1
SCHICHTDICKEN
.
17
3.1.1
SCHRAEGSCHLIFFE
.
17
3.1.2
VERMESSEN
DES
SCHICHTDICKENPROFILS
.
18
3.2
SCHICHTWIDERSTAND
.
18
3.2.1
TIEFENAUFGELOESTE
SCHICHTWIDERSTANDSMESSUNG
.
19
3.3
SPREADING
RESISTANCE
.
20
3.4
C(V)-MESSUNGEN
.
21
INHALTSVERZEICHNIS
3.4.1
C(V)-MESSUNG
MIT
SCHOTTKY-KONTAKTEN
.
21
3.4.2
AETZPROFILER-MESSUNGEN
.
22
4
DIFFUSIONSSCHICHTEN
23
4.1
GRUNDLEGENDE
BETRACHTUNGEN
23
4.2
DURCHFUEHRUNG
DER
DIFFUSION
.
24
4.3
BERYLLIUM-DIFFUSION
.
26
4.3.1
BE-DIFFUSION
IN
SN-DOTIERTEM
GAAS
.
26
4.3.2
BE-DIFFUSIONSKOEFFIZIENT
IN
SN-DOTIERTEM
GAAS
.
27
4.3.3
BE-DIFFUSION
IN
TE-DOTIERTEM
GAAS
.
30
4,4
DOTIERUNG
DES
GAAS
DURCH
BERYLLIUMDIFFUSION
.
32
4.4.1
SCHICHTWIDERSTAND
UND
MITTLERE
DOTIERUNG
.
32
4.4.2
DOTIERUNGPROFIL
DER
BERYLLIUMDIFFUSION
.
33
4.5
MG-DIFFUSION
.
39
5
EPITAXIESCHICHTEN
43
5.1
SCHICHTWACHSTUM
DER
N-GAAS-EPITAXIESCHICHTEN
.
43
5.1.1
STEP-COOLING-EXPERIMENTE
.
43
5.1.2
EQUILIBRIUM-COOLING-EXPERIMENTE
.
45
5.2
DOTIERUNG
DER
GAAS-EPITAXIESCHICHTEN
.
46
5.2.1
C(V)-MESSUNGEN
AN
N-EPITAXIESCHICHTEN
.
46
5.2.2
DOTIERUNG
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
EINWAAGE
.
50
6
PHOTOVOLTAISCHE
PROBEN
51
6.1
SPEKTRALE
EMPFINDLICHKEIT
UND
EXTERNER
QUANTENWIRKUNGSGRAD
.
51
6.2
BERYLLIUM-DIFFUNDIERTE
PROBEN
.
52
6.2.1
EINFLUSS
DER
DIFFUSIONSTIEFE
.
52
6.2.2
REFLEXION
DER
PROBEN
.
53
6.2.3
EINFLUSS
DER
FENSTERSCHICHTDICKE
.
60
INHALTSVERZEICHNIS
7
MINORITAETSLADUNGSTRAEGER-EIGENSCHAFTEN
63
7.1
DIFFUSIONSLAENGENBESTIMMUNG
AN
SCHOTTKY-KOLLEKTOR-TRANSISTOREN
.
63
7.1.1
MOTIVATION
.
63
7.1.2
HERSTELLUNG
.
64
7.1.3
BASISWEITENABHAENGIGKEIT
DES
KOLLEKTORSTROMS
.
65
7.1.4
MESSSCHALTUNG
.
66
7.1.5
KENNLINIEN
.
67
7.1.6
AUSWERTUNG
VON
DIFFUSIONSLAENGEN
.
69
7.1.7
SPERRSAETTIGUNGSSTROEME
UND
BAND-GAP-NARROWING
.
72
7.2
LEBENSDAUERBESTIMMUNG
AN
P-GAAS-DOPPEL-HETEROSTRUKTUREN
.
75
7.2.1
EFFEKTIVE
LEBENSDAUER
DER
DOPPELHETEROSTRUKTUR
.
75
7.2.2
PROBENSTRUKTUR
ZUR
MESSUNG
DER
PHOTOLEITUNG
.
76
7.2.3
BERECHNUNG
DER
EFFEKTIVEN
LEBENSDAUER
AUS
DER
PHOTOLEITFAEHIGKEIT
.
77
7.2.4
MESSANORDNUNG
FUER
DIE
PHOTOLEITFAEHIGKEIT
.
79
7.2.5
AUSWERTUNG
VON
LEBENSDAUERN
UND
REKOMBINATIONSGESCHWINDIGKEIT
79
7.3
DIFFUSIONSLAENGENBESTIMMUNG
AN
P-(BE)-DIFFUSIONSSCHICHTEN
.
84
7.3.1
GRUNDLEGENDE
BESTIMMUNGSMETHODE
.
84
7.3.2
BERUECKSICHTIGUNG
DES
DRIFTFELDES
.
85
7.3.3
EINFLUSS
EINES
DRIFTFELDES
.
88
7.3.4
AUSWERTUNG
DER
FELDKORRIGIERTEN
DIFFUSIONSLAENGEN
.
90
7.4
DOTIERUNGSABHAENGIGKEIT
DER
DIFFUSIONSLAENGEN
.
94
7.4.1
LOECHERDIFFUSIONSLAENGEN
IN
N-GAAS
.
95
7.4.2
ELEKTRONENDIFFUSIONSLAENGEN
IN
P-GAAS
.
97
8
ZUSAMMENFASSUNG
100
A
ANHANG
102
A.L
SYMBOLVERZEICHNIS
.
102
A.2
PHOTOGRAPHIEN
.
106
VEROEFFENTLICHUNGEN
110
DANKSAGUNG
111
INHALTSVERZEICHNIS
LEBENSLAUF
112
LITERATURVERZEICHNIS
113 |
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