Beitrag zur Entwicklung eines Flussmittel-freien Wellenlötverfahrens:
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| Published: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
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| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschrittberichte VDI / 2]
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| adam_text | Titel: Beitrag zur Entwicklung eines Flußmittel-freien Wellenlötverfahrens
Autor: Nowottnick, Mathias
Jahr: 1995
Flußmittel-freies Wellenlötverfahren V Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung................................................................................... 1 2 Literatur- und Patentrecherche................................................ 1 2.1 Technologie der Wellenlötverfahren............................................ 1 2.2 Ausgangszustand der Fügeteile.................................................. 5 2.3 Dekaplerung durch Flußmittel................................................... 13 2.4 Alternative Dekapierungsverfahren........................................... 18 2.4.1 Plasma - Vorbehandlung........................................................... 19 2.4.2 Ozon/UV - Vorbehandlung........................................................ 22 2.5 Bewertung der Dekapierungswirkung........................................ 24 2.6 Zusammenfassung.................................................................... 34 2.7 Ableitung der wissenschaftlichen Aufgabenstellung..................
36 3 Versuchsdurchführung........................................................... 38 3.1 Bewertung von Oberflächen und Fügestellen........................... 38 3.1.1 Metallographie........................................................................... 38 3.1.2 Röntgen-Transmission.............................................................. 39 3.1.3 Rasterelektronenmikroskopie.................................................... 39 3.1.4 Elektronenstrahl-Mikroanalyse.................................................. 40 3.1.5 Auger-Elektronen-Spektroskopie............................................... 41 3.1.6 Ellipsometrie.............................................................................. 41 3.1.7 Laser-Topographie.................................................................... 41 3.1.8 Benetzungskraftmessung.......................................................... 42 3.1.9 Randwinkelmessung................................................................. 43
3.1.10 Hochohmigkeits-Untersuchungen............................................. 44 3.1.11 Abriß-Mbscherkraftmessung..................................................... 44 3.2 Bauelemente, Halbzeuge und Werkstoffe................................. 45 3.2.1 Leiterplatten............................................................................... 45 3.2.2 Bauelemente............................................................................. 46 3.2.3 Lot und Hilfswerkstoffe.............................................................. 47 3.3 Geräte- und verfahrenstechnische Voraussetzungen............... 47 3.3.1 Vormontage............................................................................... 47 3.3.2 Thermisch beschleunigte Alterung............................................ 48 3.3.3 Plasma-Vorbehandlung............................................................. 48 3.3.4 Ozon/UV-Vorbehandlung.......................................................... 49 3.3.5 Kondensation................................................................ 50 3.3.6 Lötprozeß.................................................................................. 50 3.3.7 Thermozyklische Alterung......................................................... 51
52 52 53 54 54 57 59 62 64 71 75 82 91 91 92 96 98 99 102 104 107 115 116 118 119 124 130 134 141 146 148 150 153 Ergebnisse und Auswertung..................................... Voruntersuchungen...................................................... Ausgangszustände der Fügeteile................................. Oberflächen der Fügetelle............................................ Chipkondensatoren....................................................... Chipwiderstände........................................................... Zylindrische Bauformen (MiniMELF/SO-Diode)............ SO-Bauformen (SOT 23 und SO xx)............................ Leiterplatten.................................................................. AES-Untersuchungen................................................... Benetzungskraftmessungen......................................... Randwinkelmessungen................................................. Ausgewählte Aspekte der Verfahrenszuverlässigkeit... Plasma-Abtragswirkung................................................
T emperaturmessungen................................................. Röntgen-T ransmission.................................................. Lotspalt......................................................................... Chipbauelemente.......................................................... Zylindrische Bauformen................................................ SO-Bauformen.............................................................. Der Lotanstieg an THMD s............................................ Lotbadanalyse.............................................................. Ausgewählte Aspekte der technischen Zuverlässigkeit Thermozyklische Alterung............................................. FMF-gelötete Chipkondensatoren................................ FMF-gelötete Chipwiderstände..................................... FMF-gelötete zylindrische Bauformen.......................... FMF-gelötete SO-Anschlüsse....................................... THMD-Anschlüsse........................................................
Allgemeine Bewertung.................................................. Ionische Rückstände auf den Oberflächen................... Zusammenfassung..................................................... Literatur
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