Effiziente Modellierung von "Hot-Electron"-Effekten in MOS-Transistoren:
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| Published: |
1995
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| Item Description: | Enth. 8 Sonderabdr. aus verschiedenen Zeitschr.. - Aachen, Techn. Hochsch., Habil.-Schr., 1995 |
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INHALTSVERZEICHNIS
DARSTELLUNG DES THEMATISCHEN ZUSAMMENHANGS UND DER
ERGEBNISSE DER GRUNDLEGENDEN VEROEFFENTLICHUNGEN
SEITE
EINLEITUNG 1
ENTWICKLUNG 5
EXPERIMENTELLE VERIFIKATION 6
THEORETISCHE ABSICHERUNG 10
EFFIZIENTE NUMERISCHE REALISIERUNG 15
ZUSAMMENFASSUNG 1
(
LISTE DER GRUNDLEGENDEN VEROEFFENTLICHUNGEN 18
LITERATUR 10
GRUNDLEGENDE VEROEFFENTLICHUNGEN
VEROEFFENTLICHUNG A 24
VEROEFFENTLICHUNG B 50
VEROEFFENTLICHUNG C 50
VEROEFFENTLICHUNG D 01
VEROEFFENTLICHUNG E 07
VEROEFFENTLICHUNG F 50
VEROEFFENTLICHUNG G 56
VEROEFFENTLICHUNG H 04
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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