Schäden durch ionisierende Strahlung in SiO 2 -Si-Systemen: Experimente, empirische Beschreibungen, Modelle
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1994
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| Beschreibung: | Hagen, Univ., Diss., 1994 |
| Beschreibung: | 142 S. graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
.
4
2.
GRUNDLAGEN
.
7
2.1
MATERIALEIGENSCHAFTEN
.
7
2.1.1
SIO
2
.
7
2.1.2
OBERFLAECHE
DES
SI
UND
PHASENGRENZE
SIOJ/SI
.
9
2.1.3
DEFEKTE
IM
SIO
2
UND
AN
DER
SI-SIO
2
-PHASENGRENZE
.
11
2.2
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
SI-SIO
2
-SYSTEME
.
12
2.2.1
BAENDER-STRUKTUREN
DES
SIO
2
.
12
2.2.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
DEFEKTE
.
12
2.3
MOS-STRUKTUREN
.
15
2.3.1
IDEALE
MOS-STRUKTUREN
.
15
2.3.2
REALE
MOS-STRUKTUREN
UND
MESSUNG
VON
N
M
UND
D
H
.
20
2.4
MOSFET
.
24
2.4.1
MOSFET
UND
SEINE
FUNKTIONSWEISE
.
25
2.4.2
GLEICHUNGEN
FUER
I
D
,
V
UJ
UND
GM
.
26
2.5
STRAHLUNGSEFFEKTE
DER
MOS-BAUELEMENTE
.
27
3.
EXPERIMENTE
.32
3.1
STRAHLUNGSEINRICHTUNG
.
32
3.11
ELEKTRONENBESCHLEUNIGER
.
32
3.1.2
CO^-Y-QUELLE
.
32
3.1.3
ROENTGENANLAGE
.
33
3.2
MESSAUFBAU
.
35
3.3
PROBENPRAEPARATIONEN
.
36
4.
UNTERSUCHUNGEN
DER
STRAHLENSCHAEDEN
MIT
EX-SITU-MESSUNG
.
41
4.1
UNTERSUCHUNGEN
DER
STRAHLENSCHAEDEN
AN
BAUELEMENTEN
.
41
4.2
STRAHLUNGSEMPFINDLICHKEIT
DER
DURCH
UNTERSCHIEDLICHE
TECHNOLOGIEN
HERGESTELLTEN
PROBEN
.
44
4.3
AUSFUEHRLICHE
UNTERSUCHUNG
VON
ZWEI
TYPISCHEN
PROBEN
.
50
5.
UNTERSUCHUNGEN
DER
STRAHLENSCHADEN
MIT
IN-SITU-MESSUNG
.
54
5.1
AUSHEILUNG
DER
ORTSFESTEN
OXIDLADUNG
Q
M
.
54
5.2
HEURISTISCHE
ANALYTISCHE
BESCHREIBUNG
DER
Q^-AUSHEILUNG
.
57
5.3
SPANNUNGSABHAENGIGKEIT
DER
D
IT
-AUSHEILUNG
.
61
5.4
ZEITAUFGELOESTE
DYY-VERTEILUNGEN
WAEHREND
DER
AUSHEILUNG
.
64
5.4.1
D
LT
-AUSHEILUNG
BEI
POSITIVER
UND
NEGATIVER
SPANNUNG
.
64
5.4.2
VERRINGERUNG
DER
D
H
WAEHREND
DER
AUSHEILUNG
.
73
5.5
QUANTITATIVE
UNTERSUCHUNG
DER
D
IT
.
76
5.6
HEURISTISCHE
ANALYTISCHE
BESCHREIBUNG
DER
D
H
.
80
6.
AUFBAU
DES
MODELLES
.
85
6.1
E'-ZENTRUM
ALS
DOMINANTES
Q
M
-ZENTRUM
.
85
6.2
P
B
-ZENTRUM
ALS
DOMINANTES
D
LT
FUER
DAS
11
L -SI-SIO
2
-SYSTEM
.
87
6.3
BETRACHTUNG
DER
ROLLE
DES
WASSERSTOFFES
.
88
6.3.1
EINFLUSS
DES
WASSERSTOFFES
AUF
MOS-BAUELEMENTE
.
88
6.3.2
GEBUNDENER
WASSERSTOFF
IM
SIO
2
UND
SEINE
FREISETZUNG
DURCH
STRAHLUNG
.
89
6.4
REAKTIONEN
ZWISCHEN
E'-ZENTREN
UND
WASSERSTOFF
.
90
6.5
ERWEITERUNG
DER
PASSIVIERUNGSREAKTIONEN
ZWISCHEN
P
B
UND
WASSERSTOFF
.
91
6.6
REAKTIONEN
ZWISCHEN
P
B
-PRECURSOR
UND
WASSERSTOFF
IN
ABHAENGIGKEIT
DER
ANGELEGTEN
SPANNUNG
.
94
6.7
DYNAMISCHES
VERHALTEN
DES
WASSERSTOFFVERBRAUCHES
UND
KONZENTRATION
VON
H-ATOMEN
.
95
6.8
GENERATION
UND
AUSHEILUNG
VON
Q*
.
101
6.8.1
DYNAMISCHES
VERHALTEN
DER
Q
M
-AUSHEILUNG
.
101
6.8.2
GENERATION
VON
QO,
.
103
6.9
DYNAMISCHES
VERHALTEN
DER
DU
-
AUSHEILUNG
.
104
6.10
GENERATION
DER
DJ,
WAEHREND
DER
BESTRAHLUNG
.
109
6.11
GRAPHISCHE
ZUSAMMENSTELLUNG
DER
MODELLE
.
112
6.12
DISKUSSION
.
115
7.
ZUSAMMENFASSUNG
.
121
8.
ANHANG
.
123
AL
HERLEITUNG
DER
GLEICHUNG
FIIR
DIE
Q^-AUSHEILUNG
.
123
A2
-SYMBOLLISTE
.
125
A3
DANKSAGUNG
.
128
A4
VEROEFFENTLICHUNGEN
.
130
A5
LEBENSLAUF
.
132
9.
LITERATURLISTE
.
133 |
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