Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Biesterfeld
1994
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | 156 S. Ill., graph. Darst. |
ISBN: | 3928495070 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV010094449 | ||
003 | DE-604 | ||
007 | t | ||
008 | 950306s1994 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
016 | 7 | |a 942717678 |2 DE-101 | |
020 | |a 3928495070 |9 3-928495-07-0 | ||
035 | |a (OCoLC)75502552 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV010094449 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | 0 | |a ger | |
044 | |a gw |c DE | ||
049 | |a DE-29T |a DE-11 |a DE-188 | ||
084 | |a UP 7570 |0 (DE-625)146436: |2 rvk | ||
100 | 1 | |a Resch-Esser, Ursula |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen |c vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin] |
264 | 1 | |a Aachen |b Biesterfeld |c 1994 | |
300 | |a 156 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
502 | |a Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994 | ||
650 | 0 | 7 | |a Raman-Effekt |0 (DE-588)4176912-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Adsorptionsschicht |0 (DE-588)4314127-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Adsorptionsschicht |0 (DE-588)4314127-4 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Schichtwachstum |0 (DE-588)4273432-0 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Raman-Effekt |0 (DE-588)4176912-0 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=006700309&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006700309 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1807684203094999040 |
---|---|
adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
5
TABELLENVERZEICHNIS
8
VERZEICHNIS
DER
ABKUERZUNGEN
9
1
EINLEITUNG
11
2
OBERFLAECHEN
UND
GRENZFLAECHEN
VON
HALBLEITERN
14
2.1
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
.
15
2.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
17
2.3
WACHSTUM
VON
ADSORBATEN
AUF
FESTKOERPEROBERFLAECHEN
.
21
3
GAAS
(LOO)-OBERFLAECHEN
26
3.1
PRAEPARATION
EINER
(LOO)-OBERFLAECHE
.
27
3.2
STRUKTUR
UND
EIGENSCHAFTEN
DER
(LOO)-OBERFLAECHEN
.
28
4
CHARAKTERISIERUNG
VON
OBERFLAECHEN
UND
DUENNEN
ADSORBATSCHICHTEN
38
4.1
ELEKTRONENSPEKTROSKOPISCHE
METHODEN
.
40
4.1.1
LEED
.
40
4.1.2
AUGER-ELEKTRONEN
SPEKTROSKOPIE
.
44
4.2
ELASTISCHE
LICHTSTREUUNG
.
48
2
INHALT
4.2.1
ELLIPSOMETRIE
.
48
4.2.2
RAS
.
50
4.3
RAMANSTREUUNG
(INELASTISCHE
LICHTSTREUUNG)
.
52
4.3.1
GRUNDLAGEN
DER
RAMANSTREUUNG
.
53
4.3.2
GEKOPPELTE
PLASMON-PHONON-MODEN
.
56
4.3.3
AUFBAU
DER
RAMANAPPARATUR
.
57
4.3.4
RAMANSTREUUNG
AN
GAAS,
AS,
IN
UND
SB
.
59
5
EXPERIMENTELLE
VERFAHREN
ZUR
BESTIMMUNG
VON
BANDVERBIEGUNGEN
64
5.1
BESTIMMUNG
DER
BANDVERBIEGUNG
MITTELS
RAMANSTREUUNG
.
64
5.1.1
BESTIMMUNG
DER
BANDVERBIEGUNG
MITTELS
EFIRS
.
64
5.1.2
BESTIMMUNG
DER
BANDVERBIEGUNG
MIT
PLP-MODEN
.
67
5.1.3
ANWENDUNG
AUF
III-V-HALBLEITER
.
69
5.2
BESTIMMUNG
DER
BANDVERBIEGUNG
MIT
ANDEREN
METHODEN
.
71
6
DER
AUFBAU
DES
UHV-MESSPLATZES
74
7
ARSEN-PASSIVIERUNG
VON
GAAS(100)-OBERFLAECHEN
77
7.1
HERSTELLUNG
DER
AS-CAPS
.
78
7.2
CHARAKTERISIERUNG
DER
AS-CAPS
.
78
7.3
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
THERMISCHEN
STABILITAET
DES
CAPS
UND
ZUR
AS-DESORPTION
84
7.4
CHARAKTERISIERUNG
DER
OBERFLAECHEN
NACH
AS-DESORPTION
.
90
8
WACHSTUM
VON
ANTIMONSCHICHTEN
AUF
GAAS(LOO)
98
8.1
SB-TERMINIERTE
GAAS(100)-OBERFLAECHEN
.
98
8.2
STRUKTUR
UND
MORPHOLOGIE
DER
ANTIMONSCHICHTEN
.
105
9
WACHSTUM
VON
INDIUMSCHICHTEN
AUF
GAAS(LOO)
115
9.1
IN-TERMINIERTE
GAAS(100)-OBERFLAECHEN
.
116
INHALT
3
9.2
STRUKTUR
UND
MORPHOLOGIE
DER
INDIUMSCHICHTEN
.
118
9.3
IN
AUF
ARSEN-BEDECKTEM
GAAS
.
129
10
RAMANSTREUUNG
ZUR
BESTIMMUNG
VON
BANDVERBIEGUNGEN
131
10.1
BANDVERBIEGUNG
AN
DER
SB/GAAS(100)-GRENZFLAECHE
.
131
10.2
BANDVERBIEGUNG
AN
DER
IN/GAAS(100)-GRENZFLAECHE
.
144
11
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
146
LITERATURVERZEICHNIS
149
DANKSAGUNG
157 |
any_adam_object | 1 |
author | Resch-Esser, Ursula |
author_facet | Resch-Esser, Ursula |
author_role | aut |
author_sort | Resch-Esser, Ursula |
author_variant | u r e ure |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV010094449 |
classification_rvk | UP 7570 |
ctrlnum | (OCoLC)75502552 (DE-599)BVBBV010094449 |
discipline | Physik |
format | Thesis Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV010094449</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">950306s1994 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">942717678</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3928495070</subfield><subfield code="9">3-928495-07-0</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75502552</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010094449</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 7570</subfield><subfield code="0">(DE-625)146436:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Resch-Esser, Ursula</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen</subfield><subfield code="c">vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin]</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Aachen</subfield><subfield code="b">Biesterfeld</subfield><subfield code="c">1994</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">156 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Raman-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176912-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Adsorptionsschicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314127-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Adsorptionsschicht</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314127-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Schichtwachstum</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273432-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Raman-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4176912-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=006700309&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006700309</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV010094449 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-08-18T00:46:36Z |
institution | BVB |
isbn | 3928495070 |
language | German |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006700309 |
oclc_num | 75502552 |
open_access_boolean | |
owner | DE-29T DE-11 DE-188 |
owner_facet | DE-29T DE-11 DE-188 |
physical | 156 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 1994 |
publishDateSearch | 1994 |
publishDateSort | 1994 |
publisher | Biesterfeld |
record_format | marc |
spelling | Resch-Esser, Ursula Verfasser aut Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin] Aachen Biesterfeld 1994 156 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994 Raman-Effekt (DE-588)4176912-0 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Adsorptionsschicht (DE-588)4314127-4 gnd rswk-swf Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Adsorptionsschicht (DE-588)4314127-4 s Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 s Raman-Effekt (DE-588)4176912-0 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=006700309&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
spellingShingle | Resch-Esser, Ursula Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen Raman-Effekt (DE-588)4176912-0 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Adsorptionsschicht (DE-588)4314127-4 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
subject_GND | (DE-588)4176912-0 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4314127-4 (DE-588)4273432-0 (DE-588)4113937-9 |
title | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen |
title_auth | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen |
title_exact_search | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen |
title_full | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin] |
title_fullStr | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin] |
title_full_unstemmed | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen vorgelegt von Ursula Resch-Esser. [Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin] |
title_short | Wachstum dünnster Adsorbatschichten (As, In, Sb) auf GaAs(100)-Oberflächen |
title_sort | wachstum dunnster adsorbatschichten as in sb auf gaas 100 oberflachen |
topic | Raman-Effekt (DE-588)4176912-0 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Adsorptionsschicht (DE-588)4314127-4 gnd Schichtwachstum (DE-588)4273432-0 gnd |
topic_facet | Raman-Effekt Galliumarsenid Adsorptionsschicht Schichtwachstum Hochschulschrift |
url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=006700309&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
work_keys_str_mv | AT reschesserursula wachstumdunnsteradsorbatschichtenasinsbaufgaas100oberflachen |