Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente:
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Düsseldorf
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| adam_text | Titel: Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelem
Autor: Zwinge, Johannes Gregor
Jahr: 1994
V Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung 1 2. Metallorganische Gasphasenepitaxie ( MOVPE ) 5 2.1 Wachstumsmechanismen 5 2.2 Zum Betrieb der MOVPE-Anlage S 2.3 Substratvorbehandlungen zur Epitaxie 9 3. Charakterisierungsmethoden 12 3.1 Elektronische Messungen 12 3.1.1 Elektrochemischer Profiler 12 3.1.2 van-der-Pauw-Messungen 13 3.1.3 Schottky-Dioden 13 3.1.4 Mott-Dioden 14 3.2 Doppelkristall-Röntgen-Diffraktometrie und Photolumineszenz-Messungen 19 3.2.1 Doppelkristall-Röntgen-Diffraktometrie (DCXD) 19 3.2.2 Photolumineszenz-Messungen 20 3.3 Spektroskopische Ellipsometrie (SE) 23 4. Absorptionsmechanismen von Licht in der Nähe der Bandkante 31 4.1 Modelle zur Erklärung der Urbach-Regel in der Literatur: Kritik und Auswahl 32 4.1.1 Exzitonen 32 4.1.2 Zustandsdichteausläufer 33 4.1.3 Exzitonen-Phononen-Wechselwirkungen 35 4.1.4 Thermische Fluktuationen der Bandlücke 35 4.1.5 Elektrische Felder: Stark-Effekt 36 4.1.6 Elektrische Felder: Franz-Keldysh-Effekt 37 4.1.7 Elektrische Felder: Das Mikrofeld-Modell 39 4.2 Entwicklung eines Modells zur Berücksichtigung von Störungen 40 41 4.2.1 Störstellen 4.2.2 Mechanische Verspannungen 42
VI Inhaltsverzeichnis 4.2.3 Versetzungen 44 4.3 Simulationsergebnisse 45 5. Strukturen und Ergebnisse 49 5.1 Pilzlaserstrukturen 49 5.1.1 Dotierungen: Elektrochemischer Profiler und van-der-Pauw-Messungen 50 5.1.2 Multiple-Quantum-Wells: Photolumineszenz- und DCXD-Messungen 54 5.1.3 Technologie mit MQW-Pilzlaserstrukturen 62 5.1.4 Massentransportprozesse 66 5.2 Mott- und Schottky-Dioden 71 5.2.1 Semiisolierendes InP: Mott-Dioden 71 5.2.2 Barrierenerhöhung auf InGaAs: Schottky-Dioden 74 5.3 Laserdiodenzeilen-Strukturen 79 5.3.1 Wachstumsergebnisse 81 5.3.2 Modell des Wachstumsverhaltens 86 5.3.3 Zum Potential des Strukturvorschlages 89 5.4 Indiumphosphid / Silizium - Strukturen 92 5.4.1 Meßergebnisse der spektroskopischen Ellipsometrie an InP: Nachweis der Funktion 93 5.4.2 Optische Messungen an InP/Si-Strukturen in der Nähe der Bandkante 95 5.4.3 Korrelation zwischen Puffer- und Hauptschichten 100 5.4.4 Modellmäßige Beschreibung des Absorptionsverhaltens heteroepitaktischer InP/Si-Strukturen 103 6. Zusammenfassung 108 7. Anhang HO 8. Literaturverzeichnis 113 Symbole und Bezeichnungen 126
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