Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid:
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| adam_text | ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG VON FLACHEN UND TIEFEN STOERSTELLEN IN 4H-,
6H- UND 15R-SILIZIUMKARBID DEN NATURWISSENSCHAFTLICHEN FAKULTAETEN DER
FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITAET ERLANGEN-NUERNBERG ZUR ERLANGUNG DES
DOKTORGRADES VORGELEGT VON ADOLF SCHOENER AUS SCHWABACH
INHALTSVERZEICHNIS INHALTSVERZEICHNIS 1. EINLEITUNG 2.
MATERIALEIGENSCHAFTEN VON SILIZIUMKARBID (SIC) 3 2.1. POLYTYPISMUS 3
2.2. INAEQUIVALENTE GITTERPLAETZE 5 2.3. KOHN-LUTTINGER-INTERFERENZEFFEKT
5 2.4. BANDSTRUKTUR 7 2.5. IR-ABSORPTIONSUNTERSUCHUNGEN AN STICKSTOFF IN
4H-, 6H- UND 15R-SIC 7 2.6. HERSTELLUNG DER SIC-KRISTALLE UND
SIC-EPITAXIESCHICHTEN 9 2.7. MATERIALPARAMETER DER SIC-POLYTYPEN 4H, 6H
UND 15R 11 3. MODELLE ZUR BERECHNUNG DER IONISIERUNGSENERGIE VON
STOERSTELLEN 12 3.1. MITTLERE IONISIERUNGSENERGIE UNTER BERUECKSICHTIGUNG
NAECHSTER-NACHBAR- COULOMB-WECHSELWIRKUNG 15 3.2. MODELL NACH EFROS UND
SHKLOVSKII 20 3.3. MODELL VON T.F.LEE UND T.C. MCGILL 27 4. PROBENHALTER
FUER DIE HOCHTEMPERATUR-WASSERSTOFF-PASSIVIERUNG 40 4.1. ANFORDERUNGEN AN
DEN PROBENHALTER 40 4.2. VERWENDETE MATERIALIEN 40 4.3. AUFBAU DES
HOCHTEMPERATUR-PROBENHALTERS 41 4.4. PROBENHALTERKOPF UND HEIZELEMENT 41
5. EXPERIMENTELLE METHODEN UND PROBENPRAEPARATION 44 5.1. METHODEN ZUR
ELEKTRISCHEN CHARAKTERISIERUNG 44 5.1.1. HALL-EFFEKT UND LEITFAEHIGKEIT
44 5.1.2. CV-MESSUNG 49 5.1.3. DEEP-LEVEL-TRANSIENT-SPECTROSCOPY 50
5.1.4. DOUBLE-CORRELATED-DLTS 60 5.2. KONTAKTPRAEPARATION 62 5.2.1.
STANDARDREINIGUNG 62 5.2.2. OHMSCHE KONTAKTE AUF SIC 62 5.2.3.
SCHOTTKY-KONTAKTEAUFSIC 63 5.3. PROZESS-TECHNOLOGIEN 63 5.3.1.
IONENIMPLANTATION 63 5.3.2. TEMPERPROZESSE 63 5.3.3. REAKTIVES
IONENAETZEN (RIE) 65 5.3.4. POLIEREN UND SCHLEIFEN 65 6. EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE 66 6.1. HALL-EFFEKT-ERGEBNISSE 66 6.1.1. STICKSTOFF-DONATOREN
IN N-LEITENDEM 4H-, 6H- UND 15R-SIC 66 6.1.2. ALUMINIUM-AKZEPTOR IN
P-LEITENDEM 4H- UND 6H-SIC 84 6.2. DLTS-UNTERSUCHUNGEN AN
LONEN-IMPLANTIERTEN 4H- UND 6H-SIC PROBEN 91 6.2.1. IONEN-IMPLANTATION
VON BOR BZW. ARGON IN P-LEITENDES 6H-SIC 91 6.2.2. IONEN-IMPLANTATION
VON TITAN, VANADIUM UND CHROM IN N-TYP 4H-SIC 110 6.2.3.
IONEN-IMPLANTATION VON TITAN, ARGON UND CHROM IN N-TYP 6H-SIC 117 7.
DISKUSSION 123 7.1. ELEKTRONEN-HALL-BEWEGLICHKEIT IN 4H-, 6H- UND 15R
123 7.1.1. STREUMECHANISMEN 123 7.1.2. ABHAENGIGKEIT VON DER
DOTIERKONZENTRATION UND DER KOMPENSATION 127 7.1.3. VERGLEICH VON
VOLUMENKRISTALLEN UND EPITAXIESCHICHTEN 131 7.2. STICKSTOFF-DONATOREN IN
4H-, 6H-, UND 15R-SIC 132 7.2.1. DISKUSSION DER HALL-EFFEKT-ERGEBNISSE
132 7.2.2. MODELLE ZUR ABHAENGIGKEIT DER IONISIERUNGSENERGIE VON DER
DOTIER- KONZENTRATION 136 7.2.3. VERGLEICH DER AUS HALL-EFFEKT UND
IR-ABSORPTION BESTIMMTEN IONISIERUNGSENERGIEN 148 7.3.
HALL-EFFEKT-ERGEBNISSE AN P-TYP 4H- UND 6H-SIC 150 7.3.1.
LOECHER-HALL-BEWEGLICHKEIT 150 7.3.2. ALUMINIUM-AKZEPTOR 150 7.4.
HALL-EFFEKT-ERGEBNISSE AN ELEKTRONEN-BESTRAHLTEN N-TYP 6H-SIC EPITAXIE-
SCHICHTEN 153 7.5. DLTS-ERGEBNISSE AN LONEN-IMPLANTIERTEN 4H- UND 6H-SIC
PROBEN 154 7.5.1. EIGENDEFEKT-KORRELIERTE DEFEKTZENTREN IN N-TYP 4H- UND
6H-SIC 154 7.5.2. EIGENDEFEKT-KORRELIERTE DEFEKTZENTREN IN P-TYP 6H-SIC
157 7.5.3. BOR-KORRELIERTE DEFEKTE IN P-TYP 6H-SIC 159 7.5.4.
VANADIUM-KORRELIERTE DEFEKTE IN N-TYP 4H-SIC 163 7.5.5.
TITAN-KORRELIERTE DEFEKTE IN N-TYP 4H-SIC 165 7.6.
WASSERSTOFF-PASSIVIERUNG 168 8. ZUSAMMENFASSUNG 169 9. AUSBLICK 173
ANHANG AL : PROBENLISTE I A2 : SYMBOLVERZEICHNIS V A3 : BERECHNUNGEN ZU
DEN MODELLEN AUS KAPITEL 3 IX A4 : LITERATURVERZEICHNIS XIII
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