Emeis, N. (1987). Isoelektronische Dotierung des Halbleitersystem InP/Ga-In-As InP/Ga0,47In0,53As und deren Einfluß auf die Eigenschaften bipolarer Bauelemente.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Emeis, Norbert. Isoelektronische Dotierung Des Halbleitersystem InP/Ga-In-As InP/Ga0,47In0,53As Und Deren Einfluß Auf Die Eigenschaften Bipolarer Bauelemente. 1987.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Emeis, Norbert. Isoelektronische Dotierung Des Halbleitersystem InP/Ga-In-As InP/Ga0,47In0,53As Und Deren Einfluß Auf Die Eigenschaften Bipolarer Bauelemente. 1987.
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