Vollimplantierte 0,8 mymy Gate Silizium MESFETs mit eliminierten Kurzkanal-Effekten:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Fernholz, Gabi (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1984
Schlagworte:
Beschreibung:Aachen, Techn. Hochsch., Diss.
Beschreibung:II, 91 S.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!