Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si-Grenzfläche:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hofmann, Karl (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1984
Schlagworte:
Beschreibung:158 S.

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