Ripka, B. (1982). Temperaturverhalten des Gallium-Arsenid-Doppelheterostruktur-Lasers im Bereich zwischen -10 Grad Celsius und 40 Grad Celsius.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ripka, Bernd. Temperaturverhalten Des Gallium-Arsenid-Doppelheterostruktur-Lasers Im Bereich Zwischen -10 Grad Celsius Und 40 Grad Celsius. 1982.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Ripka, Bernd. Temperaturverhalten Des Gallium-Arsenid-Doppelheterostruktur-Lasers Im Bereich Zwischen -10 Grad Celsius Und 40 Grad Celsius. 1982.
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