Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan: vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1993
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | [2], 139 S. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV008156981 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19950313 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930728s1993 gw d||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)214466229 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV008156981 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-12 |a DE-91 |a DE-29T |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 100 | 1 | |a Ambacher, Oliver |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan |b vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten |c Oliver Ambacher |
| 264 | 1 | |c 1993 | |
| 300 | |a [2], 139 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a München, Techn. Univ., Diss., 1993 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silane |0 (DE-588)4181296-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a PECVD-Verfahren |0 (DE-588)4267316-1 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Optoelektronischer Werkstoff |0 (DE-588)4295788-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silane |0 (DE-588)4181296-7 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a PECVD-Verfahren |0 (DE-588)4267316-1 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Optoelektronischer Werkstoff |0 (DE-588)4295788-6 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005382518 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804122540335955968 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Ambacher, Oliver |
| author_facet | Ambacher, Oliver |
| author_role | aut |
| author_sort | Ambacher, Oliver |
| author_variant | o a oa |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV008156981 |
| ctrlnum | (OCoLC)214466229 (DE-599)BVBBV008156981 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01701nam a2200433 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV008156981</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19950313 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930728s1993 gw d||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)214466229</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV008156981</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Ambacher, Oliver</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan</subfield><subfield code="b">vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten</subfield><subfield code="c">Oliver Ambacher</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1993</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[2], 139 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Techn. Univ., Diss., 1993</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silane</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181296-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">PECVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4267316-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Optoelektronischer Werkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4295788-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silane</subfield><subfield code="0">(DE-588)4181296-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">PECVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4267316-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Optoelektronischer Werkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4295788-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005382518</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV008156981 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:15:30Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005382518 |
| oclc_num | 214466229 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-12 DE-91 DE-BY-TUM DE-29T DE-11 DE-188 |
| physical | [2], 139 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1993 |
| publishDateSearch | 1993 |
| publishDateSort | 1993 |
| record_format | marc |
| spelling | Ambacher, Oliver Verfasser aut Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten Oliver Ambacher 1993 [2], 139 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier München, Techn. Univ., Diss., 1993 Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd rswk-swf Silane (DE-588)4181296-7 gnd rswk-swf PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd rswk-swf Optoelektronischer Werkstoff (DE-588)4295788-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silane (DE-588)4181296-7 s PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 s Wasserstoff (DE-588)4064784-5 s Optoelektronischer Werkstoff (DE-588)4295788-6 s DE-604 |
| spellingShingle | Ambacher, Oliver Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd Silane (DE-588)4181296-7 gnd PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Optoelektronischer Werkstoff (DE-588)4295788-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4064784-5 (DE-588)4181296-7 (DE-588)4267316-1 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4306087-0 (DE-588)4295788-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten |
| title_auth | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten |
| title_exact_search | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten |
| title_full | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten Oliver Ambacher |
| title_fullStr | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten Oliver Ambacher |
| title_full_unstemmed | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten Oliver Ambacher |
| title_short | Plasmainduzierte Abscheidung von amorphem Silicium aus Silan |
| title_sort | plasmainduzierte abscheidung von amorphem silicium aus silan vom verstandnis der chemischen reaktionsmechanismen zur abscheidung von hochwertigem amorphen silicium mit grossen depositionsraten |
| title_sub | vom Verständnis der chemischen Reaktionsmechanismen zur Abscheidung von hochwertigem amorphen Silicium mit grossen Depositionsraten |
| topic | Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd Silane (DE-588)4181296-7 gnd PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Optoelektronischer Werkstoff (DE-588)4295788-6 gnd |
| topic_facet | Wasserstoff Silane PECVD-Verfahren Silicium Amorpher Zustand Optoelektronischer Werkstoff Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT ambacheroliver plasmainduzierteabscheidungvonamorphemsiliciumaussilanvomverstandnisderchemischenreaktionsmechanismenzurabscheidungvonhochwertigemamorphensiliciummitgrossendepositionsraten |