Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1984
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Aachen, Techn. Hochsch., Diss. |
| Beschreibung: | II, 150 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007715765 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1984 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)51721027 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007715765 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-355 |a DE-824 |a DE-29T | ||
| 100 | 1 | |a Do Thanh, Liem |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| 264 | 1 | |c 1984 | |
| 300 | |a II, 150 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Aachen, Techn. Hochsch., Diss. | ||
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Korngrenze |0 (DE-588)4137128-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Ladungsträger |0 (DE-588)4166397-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Injektion |0 (DE-588)4027017-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Elektronenzustand |0 (DE-588)4263453-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Ladungsträger |0 (DE-588)4166397-4 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Injektion |0 (DE-588)4027017-8 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Korngrenze |0 (DE-588)4137128-8 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Elektronenzustand |0 (DE-588)4263453-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005069161 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804122083099148288 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Do Thanh, Liem |
| author_facet | Do Thanh, Liem |
| author_role | aut |
| author_sort | Do Thanh, Liem |
| author_variant | t l d tl tld |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007715765 |
| ctrlnum | (OCoLC)51721027 (DE-599)BVBBV007715765 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01386nam a2200397 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV007715765</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1984 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)51721027</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007715765</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-824</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Do Thanh, Liem</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1984</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">II, 150 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Aachen, Techn. Hochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Korngrenze</subfield><subfield code="0">(DE-588)4137128-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Injektion</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027017-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronenzustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4263453-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Ladungsträger</subfield><subfield code="0">(DE-588)4166397-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Injektion</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027017-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Korngrenze</subfield><subfield code="0">(DE-588)4137128-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Elektronenzustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4263453-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005069161</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV007715765 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:08:14Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005069161 |
| oclc_num | 51721027 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR DE-824 DE-29T |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR DE-824 DE-29T |
| physical | II, 150 S. |
| publishDate | 1984 |
| publishDateSearch | 1984 |
| publishDateSort | 1984 |
| record_format | marc |
| spelling | Do Thanh, Liem Verfasser aut Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen 1984 II, 150 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Aachen, Techn. Hochsch., Diss. MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Korngrenze (DE-588)4137128-8 gnd rswk-swf Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd rswk-swf Injektion (DE-588)4027017-8 gnd rswk-swf Elektronenzustand (DE-588)4263453-2 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MOS-FET (DE-588)4207266-9 s Ladungsträger (DE-588)4166397-4 s Injektion (DE-588)4027017-8 s Korngrenze (DE-588)4137128-8 s Elektronenzustand (DE-588)4263453-2 s DE-604 |
| spellingShingle | Do Thanh, Liem Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Korngrenze (DE-588)4137128-8 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Injektion (DE-588)4027017-8 gnd Elektronenzustand (DE-588)4263453-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4207266-9 (DE-588)4137128-8 (DE-588)4166397-4 (DE-588)4027017-8 (DE-588)4263453-2 (DE-588)4113937-9 |
| title | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_auth | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_exact_search | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_full | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_fullStr | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_full_unstemmed | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_short | Generation von Grenzflächenzustäden nach Injektion von Ladungsträgern in MOS- und MIOS-Strukturen |
| title_sort | generation von grenzflachenzustaden nach injektion von ladungstragern in mos und mios strukturen |
| topic | MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Korngrenze (DE-588)4137128-8 gnd Ladungsträger (DE-588)4166397-4 gnd Injektion (DE-588)4027017-8 gnd Elektronenzustand (DE-588)4263453-2 gnd |
| topic_facet | MOS-FET Korngrenze Ladungsträger Injektion Elektronenzustand Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT dothanhliem generationvongrenzflachenzustadennachinjektionvonladungstragerninmosundmiosstrukturen |