Stanzl, H. (1990). Messung der elektronischen Transporteigenschaften an dotierten ZnTe-Epitaxie-Schichten im Temperaturbereich von 10 K bis 300 K.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Stanzl, Harald. Messung Der Elektronischen Transporteigenschaften an Dotierten ZnTe-Epitaxie-Schichten Im Temperaturbereich Von 10 K Bis 300 K. 1990.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Stanzl, Harald. Messung Der Elektronischen Transporteigenschaften an Dotierten ZnTe-Epitaxie-Schichten Im Temperaturbereich Von 10 K Bis 300 K. 1990.
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