Züchtung eines Silizium-Einkristalles nach dem Floating-Zone-Verfahren unter g-Bedingungen im Spacelab-1:
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
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Format: | Buch |
Sprache: | Undetermined |
Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik
1986
|
Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Zsfassung in engl. Sprache. - PST: Growth of a silicon single crystal by the floating-zone technique under g-conditions during Spacelab-1 |
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