Dämbkes, H. (1983). Herstellung und Eigenschaften von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.
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