APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Dämbkes, H. (1983). Herstellung und Eigenschaften von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.

MLA-Zitierstil (9. Ausg.)

Dämbkes, Heinrich. Herstellung Und Eigenschaften Von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren Mit Kanälen Hoher Elektronenkonzentration. 1983.

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