Entwicklung einer Zwei-mü-m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt = Development of a two mue-m silicon-gate-CMOStechnology for microcomputer oriented VLSI circuits with a supply voltage range of 1.5 to 5 volts (Bundesmin. für Forschung u. Technologie, 1984)