(1984). GaAs- und GaAs-AlxGa1-xAs-Mehrschichtstrukturen mit speziellen Dotierungsprofilen für Bauelemente der Signal- und Optoelektronik: = GaAs and GaAs AlxGa1-xAs multilayer structures with special doping profiles for microwave and optoelectronic devices (Als Ms. gedr.). Bundesmin. für Forschung u. Technologie.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)GaAs- Und GaAs-AlxGa1-xAs-Mehrschichtstrukturen Mit Speziellen Dotierungsprofilen Für Bauelemente Der Signal- Und Optoelektronik: = GaAs and GaAs AlxGa1-xAs Multilayer Structures with Special Doping Profiles for Microwave and Optoelectronic Devices. Als Ms. gedr. Bonn: Bundesmin. für Forschung u. Technologie, 1984.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)GaAs- Und GaAs-AlxGa1-xAs-Mehrschichtstrukturen Mit Speziellen Dotierungsprofilen Für Bauelemente Der Signal- Und Optoelektronik: = GaAs and GaAs AlxGa1-xAs Multilayer Structures with Special Doping Profiles for Microwave and Optoelectronic Devices. Als Ms. gedr. Bundesmin. für Forschung u. Technologie, 1984.