Ahmed, M. K. (1982). Zwischenschichteinfluß auf das Rauschverhalten epitaxialer GaAs-SchottkyGate-Feldeffekttransistoren.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ahmed, Mohamed Kamel. Zwischenschichteinfluß Auf Das Rauschverhalten Epitaxialer GaAs-SchottkyGate-Feldeffekttransistoren. 1982.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Ahmed, Mohamed Kamel. Zwischenschichteinfluß Auf Das Rauschverhalten Epitaxialer GaAs-SchottkyGate-Feldeffekttransistoren. 1982.
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