Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein
Kernforschungszentrum
1979
|
| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.
1979,75=Elektronik. |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 97 S. Ill. u. graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007531224 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1979 ad|| |||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)256004948 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007531224 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-355 | ||
| 100 | 1 | |a Draheim, Peter |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| 264 | 1 | |a Eggenstein |b Kernforschungszentrum |c 1979 | |
| 300 | |a 97 S. |b Ill. u. graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,75=Elektronik. | |
| 650 | 0 | 7 | |a Hochfrequenzdiode |0 (DE-588)4160132-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Hochfrequenzdiode |0 (DE-588)4160132-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Hochfrequenztransistor |0 (DE-588)4123385-2 |D s |
| 689 | 1 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 830 | 0 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,75=Elektronik. |w (DE-604)BV000004400 |9 1979,75 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904679 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804121825033060352 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Draheim, Peter |
| author_facet | Draheim, Peter |
| author_role | aut |
| author_sort | Draheim, Peter |
| author_variant | p d pd |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007531224 |
| ctrlnum | (OCoLC)256004948 (DE-599)BVBBV007531224 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01570nam a2200373 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007531224</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1979 ad|| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)256004948</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007531224</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Draheim, Peter</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein</subfield><subfield code="b">Kernforschungszentrum</subfield><subfield code="c">1979</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">97 S.</subfield><subfield code="b">Ill. u. graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,75=Elektronik.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochfrequenzdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4160132-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Hochfrequenzdiode</subfield><subfield code="0">(DE-588)4160132-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Hochfrequenztransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123385-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,75=Elektronik.</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">1979,75</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904679</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV007531224 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:04:08Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904679 |
| oclc_num | 256004948 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR |
| physical | 97 S. Ill. u. graph. Darst. |
| publishDate | 1979 |
| publishDateSearch | 1979 |
| publishDateSort | 1979 |
| publisher | Kernforschungszentrum |
| record_format | marc |
| series | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| spelling | Draheim, Peter Verfasser aut Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente Eggenstein Kernforschungszentrum 1979 97 S. Ill. u. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,75=Elektronik. Hochfrequenzdiode (DE-588)4160132-4 gnd rswk-swf Transistor (DE-588)4060646-6 gnd rswk-swf Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd rswk-swf Hochfrequenzdiode (DE-588)4160132-4 s Transistor (DE-588)4060646-6 s DE-604 Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 s 1\p DE-604 Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,75=Elektronik. (DE-604)BV000004400 1979,75 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Draheim, Peter Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. Hochfrequenzdiode (DE-588)4160132-4 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4160132-4 (DE-588)4060646-6 (DE-588)4123385-2 |
| title | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_auth | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_exact_search | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_full | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_fullStr | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_full_unstemmed | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_short | Neue Herstellungsverfahren für integrierte Hochfrequenz-Bauelemente |
| title_sort | neue herstellungsverfahren fur integrierte hochfrequenz bauelemente |
| topic | Hochfrequenzdiode (DE-588)4160132-4 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd Hochfrequenztransistor (DE-588)4123385-2 gnd |
| topic_facet | Hochfrequenzdiode Transistor Hochfrequenztransistor |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT draheimpeter neueherstellungsverfahrenfurintegriertehochfrequenzbauelemente |