MOS-LSI-Entwicklungsprobleme:
Saved in:
| Format: | Book |
|---|---|
| Language: | German |
| Published: |
Eggenstein
Kernforschungszentrum
1979
|
| Series: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.
1979,80=Elektronik. |
| Subjects: | |
| Physical Description: | 60 S. Ill. u. graph. Darst. |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV007531223 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 930421s1979 ad|| |||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)46022877 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV007531223 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-355 |a DE-19 | ||
| 245 | 1 | 0 | |a MOS-LSI-Entwicklungsprobleme |c Mitarb.: Karl Arnold* |
| 264 | 1 | |a Eggenstein |b Kernforschungszentrum |c 1979 | |
| 300 | |a 60 S. |b Ill. u. graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,80=Elektronik. | |
| 650 | 0 | 7 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-Schaltung |0 (DE-588)4135571-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Werkstoff |0 (DE-588)4065579-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Reinigungsverfahren |0 (DE-588)4391913-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |a Projektionsmaskierung |2 gnd |9 rswk-swf | |
| 689 | 0 | 0 | |a Ionenimplantation |0 (DE-588)4027606-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Projektionsmaskierung |A f |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a Reinigungsverfahren |0 (DE-588)4391913-3 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 689 | 3 | 0 | |a MOS-Schaltung |0 (DE-588)4135571-4 |D s |
| 689 | 3 | |5 DE-604 | |
| 689 | 4 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 4 | 1 | |a Werkstoff |0 (DE-588)4065579-9 |D s |
| 689 | 4 | |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Arnold, Karl |e Sonstige |4 oth | |
| 830 | 0 | |a Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |v 1979,80=Elektronik. |w (DE-604)BV000004400 |9 1979,80 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904678 | ||
Record in the Search Index
| _version_ | 1804121825035157504 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV007531223 |
| ctrlnum | (OCoLC)46022877 (DE-599)BVBBV007531223 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01842nam a2200469 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV007531223</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">930421s1979 ad|| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)46022877</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV007531223</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-LSI-Entwicklungsprobleme</subfield><subfield code="c">Mitarb.: Karl Arnold*</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein</subfield><subfield code="b">Kernforschungszentrum</subfield><subfield code="c">1979</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">60 S.</subfield><subfield code="b">Ill. u. graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,80=Elektronik.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135571-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Werkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4065579-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Reinigungsverfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4391913-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Projektionsmaskierung</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027606-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Projektionsmaskierung</subfield><subfield code="A">f</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">Reinigungsverfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4391913-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="0"><subfield code="a">MOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135571-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="1"><subfield code="a">Werkstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4065579-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Arnold, Karl</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.</subfield><subfield code="v">1979,80=Elektronik.</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">1979,80</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904678</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | Projektionsmaskierung gnd |
| genre_facet | Projektionsmaskierung |
| id | DE-604.BV007531223 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:04:08Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-004904678 |
| oclc_num | 46022877 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| owner_facet | DE-355 DE-BY-UBR DE-19 DE-BY-UBM |
| physical | 60 S. Ill. u. graph. Darst. |
| publishDate | 1979 |
| publishDateSearch | 1979 |
| publishDateSort | 1979 |
| publisher | Kernforschungszentrum |
| record_format | marc |
| series | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. |
| spelling | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme Mitarb.: Karl Arnold* Eggenstein Kernforschungszentrum 1979 60 S. Ill. u. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,80=Elektronik. Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd rswk-swf MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd rswk-swf Werkstoff (DE-588)4065579-9 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Reinigungsverfahren (DE-588)4391913-3 gnd rswk-swf Projektionsmaskierung gnd rswk-swf Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 s DE-604 Projektionsmaskierung f Reinigungsverfahren (DE-588)4391913-3 s MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Werkstoff (DE-588)4065579-9 s Arnold, Karl Sonstige oth Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. 1979,80=Elektronik. (DE-604)BV000004400 1979,80 |
| spellingShingle | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung. Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd Werkstoff (DE-588)4065579-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Reinigungsverfahren (DE-588)4391913-3 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4027606-5 (DE-588)4135571-4 (DE-588)4065579-9 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4391913-3 |
| title | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme |
| title_auth | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme |
| title_exact_search | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme |
| title_full | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme Mitarb.: Karl Arnold* |
| title_fullStr | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme Mitarb.: Karl Arnold* |
| title_full_unstemmed | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme Mitarb.: Karl Arnold* |
| title_short | MOS-LSI-Entwicklungsprobleme |
| title_sort | mos lsi entwicklungsprobleme |
| topic | Ionenimplantation (DE-588)4027606-5 gnd MOS-Schaltung (DE-588)4135571-4 gnd Werkstoff (DE-588)4065579-9 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Reinigungsverfahren (DE-588)4391913-3 gnd |
| topic_facet | Ionenimplantation MOS-Schaltung Werkstoff Silicium Reinigungsverfahren Projektionsmaskierung |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT arnoldkarl moslsientwicklungsprobleme |