Einzelne Störstellen in der Si-SiO 2 -Grenzschicht von MOS-Feldeffekttransistoren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Karmann, Agnes (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1992
Schlagworte:
Beschreibung:202 S. graph. Darst.

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