Untersuchung elektronischer Zustände an röntgenbestrahlten Silizium/Oxid-Grenzflächen mittels Admittanzmessungen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Voland, Gert (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1977
Schlagworte:
Beschreibung:Darmstadt, Diss., 1978
Beschreibung:90 S.: graph.Darst., Tab.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!