Zur mikroskopischen Struktur und zu den Eigenschaften von Arsen-Antisitedefekten in Galliumarsenid:
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1992
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| adam_text | Titel: Zur mikroskopischen Struktur und zu den Eigenschaften von Arsen-Antisitedefekten in Galliumarsenid
Autor: Krambrock, Klaus
Jahr: 1992
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 3
2 Intrinsische Defekte in GaAs - Theoretischer und experimenteller
Kenntnisstand 7
2.1 Leerstellen und Zwischengitteratome 8
2.1.1 Theorie 8
2.1.2 Experiment 10
2.2 As - Antisitedefekte: der EL2 - Defekt 12
2.3 As - Antisitedefekte nach Elektronenbestrahlung 15
3 Meßmethoden, Meßapparatur und Experimentelles 18
3.1 Magnetischer Zirkulardichroismus der Absorption 18
3.2 Optischer Nachweis von EPR und ENDOR 21
3.3 ODMR - Meßapparatur 25
3.4 Verwendete Proben und Bestrahlungsparameter 27
4 Analyse von EPR - und ENDOR - Spektren 29
4.1 (OD)EPR - Analyse 30
4.2 (OD)ENDOR - Analyse 31
4.2.1 Die nächsten Nachbarn eines As - Antisitedefektes 33
4.3 Interpretation der Wechselwirkungsparameter 37
5 Elektronenbestrahlung bei 4.2 K und Umsetzen bei 77 K 40
5.1 Der isolierte As - Antisitedefekt 40
1
2
5.1.1 Magneto - optische Messungen und ODEPR - Untersuchungen 40
5.1.2 ODENDOR - Messungen und deren Analyse 49
5.1.3 Berechnungen zum MCDA - Spektrum des isolierten As -
Antisitedefektes 66
5.1.4 Diskussion 69
5.2 Die Gallium - Leerstelle 71
5.2.1 MCDA - und ODEPR - Untersuchungen 71
5.2.2 Diskussion der Defektstruktur 78
5.2.3 Interpretation des MCDA - Spektrums und Energieniveaus . . 83
5.3 Thermische Stabilität und Defektreaktionen 87
5.3.1 Hochdosisbereich 87
5.3.2 Niederdosisbereich 93
6 Elektronenbestrahlung bei 300 K 97
6.1 Der AsGa - Xj - und AsGa - X2 - Defekt 97
6.1.1 Magneto - optische Untersuchungen und ODEPR - Messungen 98
6.1.2 Die ZPL des AsG„ - Xa und des EL2 - Defektes 102
6.1.3 Energieniveaus und Metastabilität des Asa, - Xj - Defektes . 106
6.1.4 ODENDOR - Messungen und deren Analyse 112
6.2 Thermische Stabilität und Defektreaktionen 128
7 As - Antisitedefekte in unterschiedlich gezüchtetem GaAs 130
7.1 As - Antisitedefekte in MBE - GaAs 130
7.2 As - Antisitedefekte mit reduzierter HF - Wechselwirkung 140
7.3 As - Antisitedefekte mit großer HF - Wechselwirkung 143
8 Zusammenfassung 148
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